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高成品率砷化镓DPDT单片射频开关 被引量：2
1
作者 李拂晓 蒋幼泉 +4 位作者 陈继义 钮利荣 高建峰 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期202-204,245,共4页
采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,... 采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga 展开更多
关键词 砷化镓 dpdt 射频开关 单片开关 GAAS 手机
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Hasco公司小型6A DPDT继电器
2
《电子产品世界》 2004年第07B期25-26,共2页
关键词 Hasco公司 6A dpdt 继电器 性能
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NEC推出双波段WLAN系统用DPDT GaAs MMIC开关
3
作者 陈裕权 《半导体信息》 2004年第5期29-29,共1页
日电公司(NEC)推出型号为UPG2035T5F双刀双掷(DPDT)GaAs MMIC开关,其工作频率为2.4～2.5GHz和4.8～6GHz。该开关用作802.11a和802.11b╱g之间的天线转接开关。对于无线局域网系统接收端而言,低插损意味着噪声系数小,而发射端的功耗小。... 日电公司(NEC)推出型号为UPG2035T5F双刀双掷(DPDT)GaAs MMIC开关,其工作频率为2.4～2.5GHz和4.8～6GHz。该开关用作802.11a和802.11b╱g之间的天线转接开关。对于无线局域网系统接收端而言,低插损意味着噪声系数小,而发射端的功耗小。高隔离有助于减小发射信号和接收信号间泄漏;高输入功率使用容量意味着线性更高,失真更小。 展开更多
关键词 WLAN系统 NEC dpdt GaAs MMIC 噪声系数 无线局域网 使用容量 双刀 接收端 发射端 插损
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GaAs PHEMT通信开关电路设计 被引量：4
4
作者 白元亮 田国平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期656-660,共5页
设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路。分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)开关电路。使用ADS软件对电路进行了优化设计,并对电路版图进行了电磁场... 设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路。分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)开关电路。使用ADS软件对电路进行了优化设计,并对电路版图进行了电磁场仿真优化,基于0.5μm GaAs PHEMT工艺,流片制作了SPDT和DPDT开关电路。测试结果表明,在DC^6 GHz带宽内,SPDT开关插损大于-0.75 dB,隔离度小于-27 dB(3 GHz),回波损耗小于-18 dB,芯片尺寸为0.55 mm×0.50 mm。DPDT开关插损大于-1.8 dB,隔离度小于-20 dB(3 GHz),回波损耗小于-12 dB,芯片尺寸为0.65 mm×0.60mm。两种开关均采用正电压控制(+5 V),具有低插损、高隔离度、大功率处理能力(P1 dB大于30 dBm)和芯片尺寸小等优点,可广泛应用于微波通信系统中。 展开更多
关键词 GAAS PHEMT 正压控制 单刀双掷（SPDT） 双刀双掷（dpdt）
原文传递
用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制 被引量：2
5
作者 蒋幼泉 陈继义 +5 位作者 李拂晓 高建峰 徐中仓 邵凯 陈效建 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期326-328,共3页
报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
关键词 手机 砷化镓单片集成电路 双刀双掷开关 多栅场效应晶体管
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超宽带双刀双掷氮化镓功率开关芯片
6
作者 戴剑 张忠山 《现代信息科技》 2021年第6期48-50,53,共4页
文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带(17~35 GHz)双刀双掷功率开关芯片,同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为... 文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带(17~35 GHz)双刀双掷功率开关芯片,同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB,隔离度典型值为27 dB。装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力。芯片尺寸仅为3×2.5 mm^(2)。该功率开关芯片可广泛应用于多功能雷达射频组件中,用于发射/接收的切换和极化方向的选择。 展开更多
关键词 超宽带 射频开关 双刀双掷 插损 耐功率能力
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基于微印多层和混合集成的开关功分网络设计
7
作者 李良 窦文新 《信息通信》 2020年第1期277-279,共3页
文章论述了基于微印多层和微波混合集成工艺的开关功分网络设计。微印多层技术能兼顾微波电路性能和小型化设计,再结合微波混合集成工艺,能进一步扩展微波电路性能。文章以一开关功分网络设计为例,介绍其仿真设计方法,并给出实测结果。... 文章论述了基于微印多层和微波混合集成工艺的开关功分网络设计。微印多层技术能兼顾微波电路性能和小型化设计,再结合微波混合集成工艺,能进一步扩展微波电路性能。文章以一开关功分网络设计为例,介绍其仿真设计方法,并给出实测结果。该网络在6层微波板基础上,集成DPDT开关、Wilkinson功分器,实现微波信号的流向控制,在大大缩小电路体积基础上,获得良好的微波性能。 展开更多
关键词 微波多层印刷技术 微波混合集成工艺 WILKINSON功分器 dpdt开关
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基于微印多层及混合集成的波束形成网络设计
8
作者 李良 卓越 周丽 《电子信息对抗技术》 2020年第6期105-108,共4页
论述基于微印多层和微波混合集成工艺的波束形成网络设计。微印多层技术能兼顾微波电路性能和小型化设计,再结合微波混合集成工艺,能进一步扩展微波电路性能。以一波束形成网络设计为例,介绍其仿真设计方法,并给出实测结果。该网络在6... 论述基于微印多层和微波混合集成工艺的波束形成网络设计。微印多层技术能兼顾微波电路性能和小型化设计,再结合微波混合集成工艺,能进一步扩展微波电路性能。以一波束形成网络设计为例,介绍其仿真设计方法,并给出实测结果。该网络在6层微波板基础上,集成DPDT开关、Wilkinson功分器,实现微波信号的流向控制,在大大缩小电路体积基础上,获得良好的微波性能。 展开更多
关键词 微波多层印刷技术 微波混合集成工艺 WILKINSON功分器 dpdt开关
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