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DDR4N Flash存储器芯片发展趋势
1
作者 迪建 《集成电路应用》 2015年第1期26-28,共3页
DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,正在导入到英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3内存芯片将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方... DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,正在导入到英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3内存芯片将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从便携音频播放器、存储卡的应用导向低阶SSD。 展开更多
关键词 集成电路 存储器 ddr4n FLASH
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