DDR4的PCB设计仿真优化研究

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作者 李雅琦 刘婷婷 王兰 《电脑编程技巧与维护》 2025年第1期49-52,共4页

双倍数据速率(DDR)内存技术发展迅猛,从初代DDR1到发展较为成熟的DDR4,数据传输速率不断增长,阻抗突变带来的影响日渐凸显,这对DDR的PCB设计质量也就有了更高的要求。基于一驱五DDR4 PCB,使用DDR仿真工具对信号质量进行仿真,分析了不同... 双倍数据速率(DDR)内存技术发展迅猛,从初代DDR1到发展较为成熟的DDR4,数据传输速率不断增长,阻抗突变带来的影响日渐凸显,这对DDR的PCB设计质量也就有了更高的要求。基于一驱五DDR4 PCB,使用DDR仿真工具对信号质量进行仿真,分析了不同端接电阻情况下,近端及远端颗粒信号眼图及信号波形情况,为DDR4的PCB设计提供设计优化方向,为电子产品质量做进一步保障。 展开更多

关键词 ddr4内存 仿真技术 端接电阻

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DDR4并行互连传输串扰特性仿真与分析 被引量：11

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作者 李川 王彦辉 郑浩 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2019年第4期612-617,共6页

为满足高带宽存储应用需求,访存速率和互连密度越来越高。DDR4作为主存领域应用广泛且速率较快的并行存储互连技术,上升/下降沿时间或低至百ps量级,信号间串扰不容忽视。以某DDR4驱动模型和板级嵌入式应用为研究对象,建立多线打扰模型,... 为满足高带宽存储应用需求,访存速率和互连密度越来越高。DDR4作为主存领域应用广泛且速率较快的并行存储互连技术,上升/下降沿时间或低至百ps量级,信号间串扰不容忽视。以某DDR4驱动模型和板级嵌入式应用为研究对象,建立多线打扰模型,从时域角度仿真分析布线间距、打扰源相位、数据速率、耦合传输线长对带状线传输串扰的影响。结果显示:5倍介质厚度布线间距条件下串扰接近于0mV,不同相位关系打扰源形成的总串扰具有成倍双向差异。对于特定访存速率,耦合传输线长度与串扰极值存在周期性对应关系,据此合理设计DDR数据组线长,可以有效规避串扰极大值。 展开更多

关键词 ddr4 近端串扰 远端串扰 时域分析 信号完整性

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基于FPGA的DDR4高速存储模块设计 被引量：1

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作者 刘帅 焦新泉 李辉景 《单片机与嵌入式系统应用》 2023年第11期37-40,91,共5页

设计了一种有更高传输速率和更大带宽的存储模块来满足更高的数据存储需求。该设计采用Xilinx公司的UltraScale系列高性能芯片作为FPGA主控制模块,后续基于原有模块设计并外挂了4片容量为1 GB的DDR4内存芯片,结合片上DDR4控制模块实现... 设计了一种有更高传输速率和更大带宽的存储模块来满足更高的数据存储需求。该设计采用Xilinx公司的UltraScale系列高性能芯片作为FPGA主控制模块,后续基于原有模块设计并外挂了4片容量为1 GB的DDR4内存芯片,结合片上DDR4控制模块实现对内存的读/写控制,通过FPGA内部集成的DDR4 SDRAM IP核进行例化核设计。通过实验验证,DDR4在300 MHz系统时钟频率下能够进行正确的读/写操作,无数据丢失,保证了高速率、大带宽数据的正常传输,证明该机制具有良好的可靠性及适用性。 展开更多

关键词 FPGA ddr4 XCKU060

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12 V电源平面对DDR4信号的影响 被引量：1

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作者 林楷智 宗艳艳 +2 位作者 孙龙 田民政 马骏驰 《电子技术应用》 2020年第8期68-71,76,共5页

随着互联网的高速发展,5G时代已经到来,数据的传输速率越来越高,对服务器板卡的研发是个新一轮的挑战。内存的发展从DDR3到现在已经广泛使用的DDR4,其工作电压已降为1.2 V,而DDR4信号的上升沿及下降沿低至百皮秒量级。为确保数据的传输... 随着互联网的高速发展,5G时代已经到来,数据的传输速率越来越高,对服务器板卡的研发是个新一轮的挑战。内存的发展从DDR3到现在已经广泛使用的DDR4,其工作电压已降为1.2 V,而DDR4信号的上升沿及下降沿低至百皮秒量级。为确保数据的传输速率以及传输的准确性,DDR4传输线上的串扰不容忽视。以服务器项目中PCB主板的DDR4传输线为研究对象,首先设计不同的主板叠层模型,利用不同的叠层结构来控制DDR4所在信号层的远端参考层,然后通过调用Sigrity工具仿真和实际测试分析不同叠层模型下的测试结果。结果显示,远端参考12 V电源平面会对DDR4信号造成超过几十毫伏量级的串扰,而12 V电源层与信号层之间加入地层屏蔽后,串扰电压显著减小。 展开更多

关键词 ddr4 远端参考平面 仿真分析 叠层 Sigrity

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一种支持DDR4的软硬件结合的访存踪迹收集分析工具集 被引量：3

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作者 李作骏 陈明宇 秦晓宁 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2019年第6期973-980,共8页

随着多核技术的发展,大数据、云计算、人工智能应用的普及,非易失性内存技术的逐步实用以及信息安全的迫切需求,作为数据处理核心部分的内存系统的设计显得极为重要,而现有的内存系统分析工具却由于各种缺陷已经无法满足研究人员的需求... 随着多核技术的发展,大数据、云计算、人工智能应用的普及,非易失性内存技术的逐步实用以及信息安全的迫切需求,作为数据处理核心部分的内存系统的设计显得极为重要,而现有的内存系统分析工具却由于各种缺陷已经无法满足研究人员的需求。在原有HMTT的基础上进行硬件级别的重新设计,在最新的DDR4-1600平台上实现了完整、高效、无失真地获取访存踪迹的功能,并在原有系统的基础上进一步提升了工具的可移植性。最后,使用该工具对最新的SPECCPU2017应用进行了访存踪迹的采集测试,并对收集到的访存踪迹信息进行了分析,进一步验证了本文工作的有效性,为今后的各类应用访存行为以及内存系统结构设计研究提供了强有力的工具支撑。 展开更多

关键词 访存踪迹 FPGA ddr4 物理地址

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3200 Mbps DDR4 PHY的物理设计优化 被引量：4

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作者 任小敏 苏皆磊 +1 位作者 倪哲勤 王琴 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第7期1-5,共5页

以一款基于TSMC 16nm FinFET工艺的HPC(High Performance Computing)芯片中DDR4PHY模块为研究对象,提出了其物理设计及优化方案,完成了DDR4PHY的布图规划和布局、时钟树综合与优化和时序收敛分析.布图规划时考虑到宏单元和IO单元的特性... 以一款基于TSMC 16nm FinFET工艺的HPC(High Performance Computing)芯片中DDR4PHY模块为研究对象,提出了其物理设计及优化方案,完成了DDR4PHY的布图规划和布局、时钟树综合与优化和时序收敛分析.布图规划时考虑到宏单元和IO单元的特性再结合面积和时序等性能的优化确定了DDR4PHY的布局形状.时钟树综合时,对比分析了传统的时钟树综合CTS和优化设计过的多源时钟树综合MSCTS,设计了针对DDR4PHY模块特点的大型多位缓冲器M2M8,其驱动距离可以达到1200μm.仿真实验结果表明,优化后的时钟树结构级数从65级降到19级,时钟最大延迟最多降低了48.37%,时钟偏差减少了52.33%,功耗降低了17.24%,DDR4PHY的各项性能优化结果显著,达到实验目的. 展开更多

关键词 ddr4PHY 时钟树综合 多源时钟树结构 多位缓冲器

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DDR4SDRAM的EMC设计探讨 被引量：1

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作者 刘燕 《电子世界》 2017年第7期24-26,共3页

基于EMC角度阐述了一些DDR4在设计中的注意要点和规则,从硬件原理设计和PCB设计两方面入手,要求设计工程师遵循一些基本准则,以满足单板级的EMC需求。

关键词 ddr4 EMC 设计

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DDR4电路设计及布局布线分析 被引量：4

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作者 孔庆亮 《工业控制计算机》 2020年第1期128-129,共2页

随着嵌入式应用的性能需求越来越高,DDR的应用越来越广泛。新一代DDR的速率越来越高,电路设计过程中需要考虑的因素也越来越多,信号完整性设计变得越来越重要。且DDR的Debug过程非常繁琐,信号测试变得越来越困难,越来越不准确,而且很难... 随着嵌入式应用的性能需求越来越高,DDR的应用越来越广泛。新一代DDR的速率越来越高,电路设计过程中需要考虑的因素也越来越多,信号完整性设计变得越来越重要。且DDR的Debug过程非常繁琐,信号测试变得越来越困难,越来越不准确,而且很难验证。从DDR4实际布局布线出发,介绍了DDR4布局布线方面的部分关键点及注意事项。 展开更多

关键词 ddr4 布局布线 信号完整性

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DDR4高速并行总线的信号完整性仿真研究 被引量：1

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作者 伍颖 《计算机应用文摘》 2023年第16期71-73,共3页

文章主要采用仿真测试的方式,对反射与串扰两种影响DDR4高速并行总线信号完整性的因素进行重点分析,并找出提升信号完整性的PCB布线方法,旨在为高速并行总线信号完整性问题的解决带来启发。

关键词 ddr4 高速并行总线 信号完整性 信道仿真

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是德科技推出全球最小的针对DDR4x16设计的逻辑分析仪BGA内插器探测解决方案 解决方案旨在帮助工程师突破设计空间限制

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《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2015年第8期1113-1113,共1页

是德科技公司日前宣布推出配合逻辑分析仪执行DDR4x16DRAM（动态随机存取存储器）设计测试的全新BGA（球形栅格阵列）内插器解决方案。借助Keysight W4636ADDR4x16 BGA内插器解决方案,工程师能够快速且精确地捕获地址、命令信号和数据... 是德科技公司日前宣布推出配合逻辑分析仪执行DDR4x16DRAM（动态随机存取存储器）设计测试的全新BGA（球形栅格阵列）内插器解决方案。借助Keysight W4636ADDR4x16 BGA内插器解决方案,工程师能够快速且精确地捕获地址、命令信号和数据信号子集,以完成高达2 400 Mb/s的设计调试和功能验证测量。 展开更多

关键词 逻辑分析仪 BGA ddr4x16 内插 空间限制 随机存取存储器 测试功能 测试需求 功能验证 被测系统

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帝斯曼在Chinaplas重点展示DDR4内存连接器高性能材料Stanyl与Stanyl ForTii

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《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期10-10,共1页

作为全球生命科学与材料科学领先企业,荷兰皇家帝斯曼集团证实多家一流电子器件公司选用了其高性能聚酰胺材料用于制造全新系列的同步动态随机存储器(SDRAM)连接器。新一代第四代双倍速率同步动态随机存储器(DDR4)连接器对热塑性塑料的... 作为全球生命科学与材料科学领先企业,荷兰皇家帝斯曼集团证实多家一流电子器件公司选用了其高性能聚酰胺材料用于制造全新系列的同步动态随机存储器(SDRAM)连接器。新一代第四代双倍速率同步动态随机存储器(DDR4)连接器对热塑性塑料的热性能与机械性能提出了前所未有的要求。帝斯曼于2014Chinaplas期间展示Stanyl-聚酰胺46与StanylForTii TM-聚酰胺4T材料。连接器制造商选择Stanyl与Stanyl ForTii基于多个原因。为了保证连接器在FR4印刷线路板(PCB)(通常由FR4玻璃纤维增强环氧树脂层压板制成)上实现高共面度,FR4和连接器外壳材料之间的线性热膨胀系数(CLTE)必须高度匹配。Stanyl与Stanyl ForTii不仅能满足这些要求,还拥有高刚度和高负载变形温度两大特点。因此。 展开更多

关键词 Stanyl ForTii 帝斯曼 动态随机存储器 ddr4 CHINAPLAS 高性能材料 外壳材料 印刷线路板 玻璃纤维增强 高刚度

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是德科技推出性能优异的逻辑分析仪和高数据速率DDR4BGA内插器

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《国外电子测量技术》 2015年第11期96-96,共1页

新闻摘要：新的逻辑分析仪模块提供高达4Gb/s的状态模式速率、高达10GHz的定时模式捕获,高达400 MB的存储深度新的四采样状态模式可对速度高达2 500 Mb/s的DDR4和LPDDR4系统进行单点探测新的探测技术使用最小巧的DDR4BGA内插器和无... 新闻摘要：新的逻辑分析仪模块提供高达4Gb/s的状态模式速率、高达10GHz的定时模式捕获,高达400 MB的存储深度新的四采样状态模式可对速度高达2 500 Mb/s的DDR4和LPDDR4系统进行单点探测新的探测技术使用最小巧的DDR4BGA内插器和无连接器探头电缆,可让工程师验证和调试同时读取、写入的DDR4或LPDDR4流量,可实现高达4Gb/s的数据速率是德科技公司（NYSE：KEYS）日前推出一款具有业界最高数据速率状态模式（高达4Gb／s）、最高定时模式（10GHz）和最深存储深度（高达400MB）的逻辑分析仪模块。 展开更多

关键词 逻辑分析仪 ddr4BGA 高数据速率 内插 协议验证 存储深度 双阈值 探测技术 捕获速度 数据捕获

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Diablo Technologies发布全球首款全闪存DDR4内存模块MEMORY(TM)

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《微型机与应用》 2015年第16期69-69,共1页

——该突破性的设计获近期于北京举办的大数据世界论坛＂最佳大数据分析基础设施奖＂和＂最佳大数据运营基础设施奖＂Diablo Technolog ies近日在北京发布全球首款全闪存服务器系统内存技术Memory1TM,这项技术改写了数据中心性能表现和... ——该突破性的设计获近期于北京举办的大数据世界论坛＂最佳大数据分析基础设施奖＂和＂最佳大数据运营基础设施奖＂Diablo Technolog ies近日在北京发布全球首款全闪存服务器系统内存技术Memory1TM,这项技术改写了数据中心性能表现和经济效益两方面的行业标准。Diablo还宣布Memory1技术获得2015年大数据世界论坛颁发的“最佳大数据分析基础设施奖”和“最佳大数据运营基础设施奖”两项大奖。 展开更多

关键词 内存模块 ddr4 MEMORY TM 数据世界 数据分析 首款 基础设施 数据中心 系统内存

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颜值、性能都不能少四款DDR4 RGB内存实战体验

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作者 马宇川(文/图) 《微型计算机》 2018年第34期64-68,共5页

针对90后、00后突出个性化、重视产品外观的需求,近一年来,不少内存产品都加入了RGB光效,特别是中高端产品,如今不发光的内存几乎就成了入门、低端的代名词。那么这些RGB内存在拥有漂亮外观的同时,它们在性能上的表现能否令人满意?另外... 针对90后、00后突出个性化、重视产品外观的需求,近一年来,不少内存产品都加入了RGB光效,特别是中高端产品,如今不发光的内存几乎就成了入门、低端的代名词。那么这些RGB内存在拥有漂亮外观的同时,它们在性能上的表现能否令人满意?另外,在发光效果上它们有何区别呢?为此我们特别对新近上市的四款RGB内存新品进行了体验。 展开更多

关键词 内存产品 RGB ddr4 性能 产品外观 高端产品 光效果 个性化

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远超DDR4,速度可达DDR5 6400 DDR5内存技术、产品解析

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作者 张平(文/图) 《微型计算机》 2019年第19期90-95,共6页

内存是计算机技术的重要组成部分,经历了长时间的竞争更替和路线选择之后,PC内存技术被稳定在以DDR技术为基础的发展路线上。从DDR到DDR2、DDR3,今天主流的内存已进化至DDR4。乐观估计,DDR5将从2019年起降临市场,成为全新一代内存技术... 内存是计算机技术的重要组成部分,经历了长时间的竞争更替和路线选择之后,PC内存技术被稳定在以DDR技术为基础的发展路线上。从DDR到DDR2、DDR3,今天主流的内存已进化至DDR4。乐观估计,DDR5将从2019年起降临市场,成为全新一代内存技术方案。相比现有产品,DDR5带来了更高的带宽、更大的容量和更出色的安全性。正所谓“长江后浪推前浪”,在DDR5正式降临之前,请跟随本文一起来了解一下它的技术特点和产品特性吧! 展开更多

关键词 内存技术 ddr4 产品特性 速度 解析 路线选择 计算机技术 DDR技术

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基于FPGA的一种DDR4存储模块设计

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作者 谢晨 卓敏 《电子产品世界》 2021年第8期102-104,共3页

5G通信的主要特征包括“高速率、大带宽”,为了满足高速率、大带宽数据的传输要求,需要一种存储技术对数据进行存储。本文就存储技术结合DDR4协议,设计了一种DDR4传输机制,本研究采用高性能的XCVU9P系列的FPGA芯片作为控制芯片,使用其... 5G通信的主要特征包括“高速率、大带宽”,为了满足高速率、大带宽数据的传输要求,需要一种存储技术对数据进行存储。本文就存储技术结合DDR4协议,设计了一种DDR4传输机制,本研究采用高性能的XCVU9P系列的FPGA芯片作为控制芯片,使用其内部自带的DDR4 SDRAM(MIG)IP核进行例化核设计。经过验证,实现在250 MHz时钟下对DDR4 SDRAM的读/写操作,数据无丢失,能够保证高速率、大带宽数据正常传输,该传输机制具有良好的可靠性、适用性及有效性。 展开更多

关键词 ddr4 高速率 大带宽 FPGA

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iGAME内存首秀iGAME DDR4 32008GB内存

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作者 马宇川(文/图) 《微型计算机》 2018年第36期88-89,共2页

首先从外观上来看,这款内存采用了iGAME传统的红黑配色,内存散热片采用类似于《环太平洋》机甲战士所用的黑色金属盔甲设计,再配上由精致热转印工艺打造的银色iGAME品牌名与大大的“G”字母logo,从外观上给人非常霸气的观感。而与普通... 首先从外观上来看,这款内存采用了iGAME传统的红黑配色,内存散热片采用类似于《环太平洋》机甲战士所用的黑色金属盔甲设计,再配上由精致热转印工艺打造的银色iGAME品牌名与大大的“G”字母logo,从外观上给人非常霸气的观感。而与普通内存不同的是,设计师还通过漂亮的红色支架在内存顶部的镂空部分设计了一组凹凸有型、线条感十足的导光条—显然RGB光效,也是iGAMEDDR4 3200 8GB内存的基本元素。毕竟从2018年开始,发光内存越来越多,不能发光的内存几乎成了入门、低端的代名词。 展开更多

关键词 内存散热片 ddr4 设计师 黑色金属 环太平洋 基本元素 热转印 RGB

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五光徘徊,十色陆离芝奇皇家戟DDR4 3200内存大赏

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作者 马宇川(文/图) 《微型计算机》 2019年第1期38-41,共4页

有人说:“在这款内存面前,其他各位内存的灯效都是……”如此嚣张的话术不是厂商自己的宣传用语,而是很多读者知道芝奇发布皇家戟内存后,在我们其他发光内存评测文章下的留言。这也不禁让我们对芝奇皇家戟内存产生了好奇,这款内存的颜... 有人说:“在这款内存面前,其他各位内存的灯效都是……”如此嚣张的话术不是厂商自己的宣传用语,而是很多读者知道芝奇发布皇家戟内存后,在我们其他发光内存评测文章下的留言。这也不禁让我们对芝奇皇家戟内存产生了好奇,这款内存的颜值真的就这么惊艳吗?接下来就请大家一起欣赏吧。 展开更多

关键词 内存 ddr4 留言

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DDR4N Flash存储器芯片发展趋势

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作者 迪建 《集成电路应用》 2015年第1期26-28,共3页

DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,正在导入到英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3内存芯片将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方... DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,正在导入到英特尔工作站/伺服器以及高阶桌上型电脑平台,并与LP-DDR3内存芯片将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从便携音频播放器、存储卡的应用导向低阶SSD。 展开更多

关键词 集成电路 存储器 ddr4N FLASH

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内存“大放价”:市售DDR4内存选购指南

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作者 张祖强(文/图) 《微型计算机》 2019年第13期94-98,共5页

2017年9月,笔者组装了一台入门级游戏主机,选购的是一款DDR4 2400 16GB双通道内存,当时电商平台的售价是1299元。相信很多朋友看到这个价格都会觉得太贵,毕竟换作现在,这个价格还可以再买一对相同的内存。时常关注内存价格走势的朋友应... 2017年9月,笔者组装了一台入门级游戏主机,选购的是一款DDR4 2400 16GB双通道内存,当时电商平台的售价是1299元。相信很多朋友看到这个价格都会觉得太贵,毕竟换作现在,这个价格还可以再买一对相同的内存。时常关注内存价格走势的朋友应该知道,内存价格在2019年一路走低,目前电商平台上的内存价格已经比2017年9月低太多,所以现在组装电脑的确非常划算。那么市售的DDR4内存怎么选,哪些内存值得入手,刚拆封的新内存如何初步检查它的质量是否合格呢? 展开更多

关键词 双通道内存 ddr4 选购指南 市售 价格走势 电商平台 组装电脑 游戏主机

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