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更正:全黄铜矿CuGaSe_(2)/CuInSe_(2)两端叠层太阳能电池的顶端设计与优化
1
作者 钟建成 张笑天 +3 位作者 林常青 薛阳 唐欢 黄丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期386-386,共1页
《物理学报》2024年第73卷第10期第103101页《全黄铜矿CuGaSe_(2)/CuInSe_(2)两端叠层太阳能电池的顶端设计与优化》一文中因作者疏忽导致(1)式书写有误,特此更正,并诚挚地向读者致歉.相关内容更正如下.
关键词 叠层太阳能电池 cuinsE2 《物理学报》 设计与优化 黄铜矿 更正
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CuInS_2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究 被引量：1
2
作者 王震东 莫晓亮 陈国荣 《真空》 CAS 北大核心 2011年第1期29-32,共4页
本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米。同时,热探针... 本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米。同时,热探针测试发现:薄膜的导电类型为弱N型。光学性能方面,当退火温度高于250℃时,CuInS2薄膜的禁带宽度为1.50 eV,接近吸收太阳光谱所需的理想禁带宽度值。 展开更多
关键词 cuins2粉末 真空烧结 cuins2薄膜 单源热蒸发
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CuInS_2/ZnS核壳结构量子点的水相制备与性能研究 被引量：3
3
作者 周蓓莹 陈东 +3 位作者 刘佳乐 江莞 罗维 王连军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期279-283,共5页
因不含Cd、Pb、Te等有毒元素,且具有在可见光至近红外光波段可调的发光性能,铜铟硫(CuInS_2)量子点作为一种新型的I-III-VI型三元半导体材料,广泛应用于分析检测和生物成像等领域。本研究采用一种低毒低温的方法快速合成CuInS_2量子点及... 因不含Cd、Pb、Te等有毒元素,且具有在可见光至近红外光波段可调的发光性能,铜铟硫(CuInS_2)量子点作为一种新型的I-III-VI型三元半导体材料,广泛应用于分析检测和生物成像等领域。本研究采用一种低毒低温的方法快速合成CuInS_2量子点及其ZnS核壳结构量子点,不仅利用ZnS带隙较宽且表面缺陷少的特点,弥补了CuInS_2量子点的劣势,提高了CuInS_2量子点的发光性能;同时由于低毒性ZnS壳层的包覆,进一步降低生物毒性。当Cu∶In摩尔比为1∶1时,CuInS_2量子点于530 nm处出现明显的发射峰,且随着In含量的增加,发光峰逐渐红移。包覆ZnS壳层后,CuInS_2量子点的发光强度明显增大,且谱峰明显红移。当Cu∶Zn比为1∶1,回流时间为45 min时,合成的CuInS_2/ZnS量子点发光性能最优。该合成方法节省能源、生产效率高、绿色环保,具有较大的应用前景。 展开更多
关键词 cuins2 cuins2/ZnS 核壳结构 水相制备
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磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化 被引量：11
4
作者 汤会香 严密 +4 位作者 张辉 张加友 孙云 薛玉明 杨德仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期741-744,共4页
采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了... 采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 . 展开更多
关键词 正交实验 cuinse2薄膜 优化制备
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溶剂热合成CuInS_2纳米粉体及薄膜的制备 被引量：10
5
作者 邹正光 陈壁滔 +2 位作者 龙飞 谢春艳 聂小明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1191-1195,共5页
本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2（C IS）纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜... 本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2（C IS）纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜的影响。采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）及能谱仪（EDS）对合成产物进行了分析表征。研究结果表明：随着合成温度的升高和合成时间的延长,合成粉体的纯度提高。随着溶液浓度的增大,衍射峰出现宽化现象,合成粉体的粒径变小。在合成温度为195℃,保温时间为12 h,反应溶液浓度为氯化铜0.02 mol/L、氯化铟0.02 mol/L、硫脲0.04 mol/L的条件下,制备得到单一的C IS片状纳米粉体,片状颗粒的大小为200~500 nm,最终经过热处理能获厚度在5~8μm左右的相对致密的C IS薄膜。 展开更多
关键词 溶剂热 cuins2 纳米粉体
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电沉积法制备CuInSe_2薄膜的组成与形貌 被引量：10
6
作者 张治安 刘芳洋 +3 位作者 吕莹 赖延清 李劼 刘业翔 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期560-566,共7页
采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6～-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440～610℃范围内;... 采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6～-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440～610℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8 V时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。 展开更多
关键词 cuinse2(CIS) 太阳电池 薄膜 电沉积 硒化退火
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溶剂热法CuInSe_2粉体的形貌可控制备与表征 被引量：6
7
作者 段学臣 蒋波 +3 位作者 程亚娟 孙巧珍 朱磊 刘扬林 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期293-297,共5页
采用溶剂热法,通过改变反应温度和初始nCu/nIn比制备了一系列CuInSe2粉体。粉体的物相结构、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)进行了表征。结果表明:180℃... 采用溶剂热法,通过改变反应温度和初始nCu/nIn比制备了一系列CuInSe2粉体。粉体的物相结构、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)进行了表征。结果表明:180℃反应即可形成纯黄铜矿型CuInSe2粉体;随着反应温度的升高,粉体形貌有"片-片簇-球簇"的演变规律,其光吸收性能也随之增强,出现"红移"现象;初始nCu/nIn比能有效调控片簇的致密度。同时探讨了粉体不同形貌的形成机理。 展开更多
关键词 溶剂热 cuinsE2 形貌 光吸收 机理
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花状CuInS2微晶的溶剂热合成及表征 被引量：4
8
作者 蔡文 胡杰 +3 位作者 向卫东 赵寅生 王晓明 黄文旵 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期42-45,共4页
以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3为铟源,硫脲（Tu）为硫源,分别以N,N二甲基甲酰胺（N,N-dimethylformamide,DMF）、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂在200℃下反应12h合成花状CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电... 以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3为铟源,硫脲（Tu）为硫源,分别以N,N二甲基甲酰胺（N,N-dimethylformamide,DMF）、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂在200℃下反应12h合成花状CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜对粉体的结构、形貌、相组分进行表征。研究表明：以DMF、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂均能得到由厚度为100-200nm的纳米片组成的花状CuInS2微晶。并对其形成机理进行探讨。 展开更多
关键词 溶剂热法 cuins2太阳电池材料 花状微晶 纳米片 硫脲
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电沉积制备CuInSe_2薄膜及性能研究 被引量：5
9
作者 周学东 赵修建 +1 位作者 夏冬林 李建庄 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期4-6,共3页
采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜。通过EDS、... 采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜。通过EDS、XRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行了表征,实验结果表明利用电沉积方法可以制备出晶粒分布均匀的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜,禁带宽度为1.14eV左右,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cuinsE2 薄膜 电沉积 太阳能电池
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CuInS_2纳米晶的制备和发光性质 被引量：6
10
作者 王秀英 刘学彦 赵家龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期7-11,共5页
以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提... 以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提高,最大达到了48%;继续增加壳层厚度,其发光量子效率反而降低。进一步测量它们的荧光寿命,发现包覆ZnS壳层后的CuInS2纳米晶的荧光寿命明显增加,证实表面包覆明显减少其表面的无辐射复合中心,提高了其发光效率。进一步制备了CuInS2/ZnS核壳量子点发光二极管,并对其电致发光性质进行了研究。 展开更多
关键词 cuins2 量子点 纳米晶 发光二极管
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电沉积CuInSe_2薄膜的热处理研究 被引量：6
11
作者 陈鸣波 邓薰南 尤金跨 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期102-104,共3页
报道了热处理对电沉积ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的表观形貌、结构及光电性质的影响。
关键词 cuinsE2 薄膜 热处理 电沉积
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硫分压对光吸收层CuInS_2薄膜性能的影响 被引量：2
12
作者 阎有花 刘迎春 +3 位作者 方玲 卢志超 周少雄 李正邦 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期838-841,共4页
在不同硫分压r(r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明:随着r增加,薄膜的结晶... 在不同硫分压r(r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r=1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016cm-3,光学带隙在1.53eV左右。 展开更多
关键词 cuins2薄膜 硫化法 硫分压 微结构
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电沉积制备CuInS_2半导体薄膜及其光学性能研究 被引量：4
13
作者 孙倩 关荣锋 张大峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期65-71,83,共8页
利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料Cu... 利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜。为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜。Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3+=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV。 展开更多
关键词 半导体薄膜 太阳能电池 cuins2 黄铜矿结构 光学带隙
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热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS_2薄膜的影响 被引量：3
14
作者 汤会香 严密 +1 位作者 张辉 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期363-366,共4页
采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高... 采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。 展开更多
关键词 cuins2薄膜 化学水浴沉积法 热处理
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粉末涂敷法制备CuInSe_2薄膜的硒化烧结过程研究 被引量：3
15
作者 聂洪波 王延来 +1 位作者 王义民 果世驹 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期132-137,共6页
用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可... 用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可能性进行了热力学计算。结果表明:硒化烧结过程分为三个阶段:二元化合物CuSe和三元化合物CuInSe2的形成均出现在硒化烧结的前两个阶段;第三个阶段主要是CuInSe晶粒长大和薄膜的致密化过程。H气氛在CuInSe薄膜烧结过程中可能起到催化剂的作用。 展开更多
关键词 cuinsE2 Cu—In合金 烧结 热力学
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电化学法制备CuInSe_2薄膜工艺的研究 被引量：3
16
作者 徐玲 刘昌龄 +4 位作者 吴世彪 陈少华 张信义 王利群 汪星和 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期547-550,共4页
实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶... 实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶粒更加均匀和致密,可以改善镀层的质量;退火有利于薄膜晶粒的增大,使其结晶程度更好。 展开更多
关键词 电沉积 cuinse2薄膜 X射线衍射分析 X射线光电子能谱
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CuInSe_2薄膜特性研究 被引量：4
17
作者 季秉厚 罗永胜 李蓉萍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期33-40,共8页
利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
关键词 薄膜 特性 半导体材料 cuinsE2
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电化学沉积太阳电池用CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的研究进展 被引量：4
18
作者 刘芳洋 赖延清 +5 位作者 张治安 刘军 匡三双 李轶 李劼 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期36-40,45,共6页
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和... 综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况。回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 cuinse2(CIS) Cu(In Ga)Se2(CIGS) 太阳电池 电化学沉积
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纤锌矿CuInS_2纳米晶的合成及其机理研究 被引量：2
19
作者 邹正光 高耀 +1 位作者 龙飞 张劲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2164-2170,共7页
采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2（W-CIS）纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米... 采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2（W-CIS）纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米粉体物相及形貌的影响。结果表明：以Cu Cl2·2H2O或Cu（CH3COO）2·H2O、In Cl3·4H2O和硫脲为原料,聚乙二醇-400、乙二胺为溶剂于200℃下反应2 h可以成功合成出结晶性良好的CuInS2纳米片,直径约为300 nm,厚度大约为10~20 nm。通过研究发现,乙二胺对形成纤锌矿结构CuInS2起着关键的作用,并且该粉体对亚甲基蓝的降解率可达75.04%。 展开更多
关键词 溶剂热法 纤锌矿 cuins2纳米晶 亚甲基蓝 降解率
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硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响 被引量：3
20
作者 赵湘辉 魏爱香 +1 位作者 招瑜 刘俊 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期140-144,共5页
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试... 采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。 展开更多
关键词 太阳能电池 cuinse2薄膜 磁控溅射 硒化工艺
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