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CuGaO2微粒的制备及其在钙钛矿太阳能电池的应用研究 被引量:1
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作者 钟耀东 朱磊 陶雪钰 《教育教学论坛》 2019年第36期271-272,共2页
采用水热法合成CuGaO2微粒,研究了旋涂CuGaO2溶液前驱体浓度对薄膜质量和电池光电转换效率的影响。结果表明,当CuGaO2溶液的浓度为15mg/ml时,电池的光电转换效率有较明显的提高,达到了1.66%。以CuGaO2无机空穴传输材料替代传统昂贵的有... 采用水热法合成CuGaO2微粒,研究了旋涂CuGaO2溶液前驱体浓度对薄膜质量和电池光电转换效率的影响。结果表明,当CuGaO2溶液的浓度为15mg/ml时,电池的光电转换效率有较明显的提高,达到了1.66%。以CuGaO2无机空穴传输材料替代传统昂贵的有机小分子材料,为进一步降低钙钛矿太阳能电池成本提供了一条切实可行的途径。 展开更多
关键词 cugao2 钙钛矿太阳能电池 空穴传输材料 光电性能
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压力作用下透明导电氧化物2H-CuGaO2的结构和性能 被引量:1
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作者 刘启祥 刘文婷 +2 位作者 鲁一荻 史奔 马艳恒 《工业技术创新》 2019年第3期86-90,共5页
铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构... 铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构。研究发现:1)压力增加能够导致2H-CuGaO2晶胞的收缩;2)在0~30GPa压力范围内,2H-CuGaO2是延展性材料;3)当压力为20.83GPa时,2H-CuGaO2变得不稳定;4)2H-CuGaO2是间接跃迁带隙半导体,价带主要由Cu的3d态及O的2p态电子构成,导带主要由Cu的3p态及O的2p态电子构成,且当压力增加时,带隙值线性增大。本研究对相关材料的使用有参考作用。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 2H-cugao2 压力 弹性常数 平面波超软赝势法
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CuGaO_2空穴传输层的钙钛矿太阳电池的数值模拟 被引量:4
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作者 林灵燕 范宝殿 《泉州师范学院学报》 2018年第2期50-54,共5页
采用SCAPS-1D电池模拟软件,对以CuGaO_2作为空穴传输层的平面异质结钙钛矿太阳电池进行数值模拟,模拟的电池结构为FTO/TiO_2/CH_3NH_3PbI_3/CuGaO_2/Au.分析了钙钛矿吸收层厚度、缺陷态浓度、CH_3NH_3PbI_3/CuGaO_2和TiO_2/CH_3NH_3PbI_... 采用SCAPS-1D电池模拟软件,对以CuGaO_2作为空穴传输层的平面异质结钙钛矿太阳电池进行数值模拟,模拟的电池结构为FTO/TiO_2/CH_3NH_3PbI_3/CuGaO_2/Au.分析了钙钛矿吸收层厚度、缺陷态浓度、CH_3NH_3PbI_3/CuGaO_2和TiO_2/CH_3NH_3PbI_3界面缺陷浓度对电池光电性能的影响,并且通过模拟优化得到CuGaO_2为空穴传输层的钙钛矿电池的最佳I-U特性为:U_(oc)=1.14V,J_(sc)=23.84 mA/cm^2,FF=85.95%,PCE=23.42%. 展开更多
关键词 钙钛矿电池 模拟 cugao2
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Preparation of CuGaO<sub>2</sub>Thin Film by a Sol-Gel Method Using Two Kinds of Metal Source Combination
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作者 Takashi Ehara 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》 2018年第8期68-78,共11页
We prepare CuGaO2 thin films on SiO2 substrates by using the sol-gel spin-coating method with two combinations of Cu and a Ga source, Cu and Ga nitrate, or acetylacetonate. X-ray diffraction analysis reveals that the ... We prepare CuGaO2 thin films on SiO2 substrates by using the sol-gel spin-coating method with two combinations of Cu and a Ga source, Cu and Ga nitrate, or acetylacetonate. X-ray diffraction analysis reveals that the thin films prepared using nitrate sol that are annealed at a temperature of 850&#176;C - 950&#176;C show both c-axis-orientated peaks, (006) and a non-c-axis-oriented peak (012) with similar intensity;little dependence of signal intensity on annealing temperature is also shown. The films are opaque in appearance at these annealing temperatures. Scanning electron microscope observation reveals that the opaque appearance is due to the texture or cracks on the surface of the films. In contrast, the films prepared using acetylacetonate show a (006) peak with higher signal intensity than the (012) peaks. The films show more transparent appearance than that of the films by nitrate. The highest conductivity of the film is 5.7 × 10-4Ω-1&#183;cm-1, obtained in the films by nitrate annealed at 850&#176;C. 展开更多
关键词 TRANSPARENT CONDUCTIVE Oxide DELAFOSSITE cugao2 Sol-Gel Thin Films
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