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脉冲激光沉积CuF2薄膜的电化学性能 被引量：4
1
作者 张华 周永宁 +1 位作者 吴晓京 傅正文 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1287-1291,共5页
采用脉冲激光沉积法在不锈钢基片上制备了纳米结构的CuF2薄膜,其充放电性能显示该薄膜具有540mAh·g-1可逆容量,对应于每个CuF2可与2.0个Li发生反应.其循环伏安特性显示在2.2和2.8V(vsLi/Li+)处出现了一对新的氧化还原峰.充放电后... 采用脉冲激光沉积法在不锈钢基片上制备了纳米结构的CuF2薄膜,其充放电性能显示该薄膜具有540mAh·g-1可逆容量,对应于每个CuF2可与2.0个Li发生反应.其循环伏安特性显示在2.2和2.8V(vsLi/Li+)处出现了一对新的氧化还原峰.充放电后薄膜的组成与结构通过非原位高分辨电子显微和选区电子衍射来表征.结果揭示了纳米结构CuF2薄膜的电化学反应机理,LiF在过渡金属Cu的驱动下可以发生可逆的分解和形成. 展开更多
关键词 cuf2 薄膜 脉冲激光沉积 锂离子电池
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MoO_3包覆对锂一次电池CuF_2正极材料性能的影响 被引量：6
2
作者 刘修明 王先友 +3 位作者 伍文 王欣 王国宝 杨顺毅 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期288-292,共5页
通过球磨CuF2和MoO3的混合物,制成CuF2/MoO3复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电化学测试等研究CuF2/MoO3复合材料的结构和电化学性能。结果表明:MoO3晶粒均匀地附着在CuF2的表面,形成均匀的导电网,从而使制备的CuF2/MoO3... 通过球磨CuF2和MoO3的混合物,制成CuF2/MoO3复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电化学测试等研究CuF2/MoO3复合材料的结构和电化学性能。结果表明:MoO3晶粒均匀地附着在CuF2的表面,形成均匀的导电网,从而使制备的CuF2/MoO3复合材料具有高导电性,可作为锂一次电池正极活性材料。以0.1C倍率放电,截止电压为1.5V,CuF2/MoO3复合材料放电比容量高达483mA·h/g,放电电位平台为2.5V,明显高于CuF2正极材料的278mA·h/g,接近其理论容量528mA·h/g。 展开更多
关键词 锂一次电池 正极材料 cuf2/MoO3复合材料 电化学性能
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CuF_2/MoO_3/C复合正极的电化学阻抗谱研究 被引量：1
3
作者 史月丽 吴楠 +3 位作者 沈明芳 董佳群 庄全超 江利 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期155-163,共9页
采用球磨方法制备了CuF2/MoO3/C复合材料电极,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、恒流充放电、循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)等方法表征与观察复合材料的结构与形貌,测试了电极的电化学性能.结果表明,球磨CuF2和MoO... 采用球磨方法制备了CuF2/MoO3/C复合材料电极,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、恒流充放电、循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)等方法表征与观察复合材料的结构与形貌,测试了电极的电化学性能.结果表明,球磨CuF2和MoO3晶粒的尺寸为200～300 nm.CuF2/MoO3/C复合电极10 mA.g-1电流密度首次放电容量为647 mAh.g-1,但随之复合材料循环寿命迅速衰减.循环伏安曲线首次放电,2.2 V左右出现了一个还原峰,第2、3周期该还原峰电位升至3.2 V左右.CuF2/MoO3/C复合电极的Nyquist图由高、中频区两个半圆串接和一条斜线组成.放电过程,高频区半圆相应于锂离子扩散多层SEI膜,还与电极材料与集流体的接触有关;中频区半圆与CuF2和MoO3及C的肖特基接触有关;低频区斜线反映扩散传递过程.CuF2/MoO3/C电极电荷传递阻力较大,这可能也是CuF2/MoO3/C电极容量较快衰减的原因. 展开更多
关键词 cuf2 MOO3 C复合材料 转化反应 电化学阻抗谱 肖特基接触阻抗
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磁控溅射制备高循环稳定性的氟氧化铜薄膜研究 被引量：1
4
作者 宋世湃 彭翔 +2 位作者 彭晓丽 张晓琨 向勇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第7期28-34,共7页
以二水氟化铜(CuF2·2H2O)为靶材,采用磁控溅射薄膜沉积工艺,制备了具有高循环稳定性的氟氧化铜薄膜。研究了工作气压对薄膜形貌、厚度及成分的影响。X射线光电子能谱和循环伏安分析结果表明薄膜内部存在Cu-O键和Cu-F键,以及单质铜... 以二水氟化铜(CuF2·2H2O)为靶材,采用磁控溅射薄膜沉积工艺,制备了具有高循环稳定性的氟氧化铜薄膜。研究了工作气压对薄膜形貌、厚度及成分的影响。X射线光电子能谱和循环伏安分析结果表明薄膜内部存在Cu-O键和Cu-F键,以及单质铜。0.55 Pa制备的氟氧化铜薄膜主要成分为2.4Cu-1.25CuO-0.5CuF2,50周循环可逆充放电比容量约为340 mAh/g。结果表明,磁控溅射方式能有效降低OH-的比例,实现氟氧化物电极的制备,提高了转化反应电极材料在高比能锂电池中的应用潜力。 展开更多
关键词 二水氟化铜(cuf2·2H2O) 氟氧化铜 磁控溅射 循环稳定性
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