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CuBi_3S_5和CuBi_3Se_5化合物的制备及其光电性质研究
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作者 苗凤秀 万松明 +3 位作者 张庆礼 吕宪顺 顾桂新 殷绍唐 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期558-563,共6页
开展了CuBi_3S_5和CuBi_3Se_5两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质。以水合肼(N_2H_4·H_2O)为还原剂,以CuCl、BiCl_3和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法成功制备了CuBi_3S_5和CuBi_3Se_5... 开展了CuBi_3S_5和CuBi_3Se_5两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质。以水合肼(N_2H_4·H_2O)为还原剂,以CuCl、BiCl_3和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法成功制备了CuBi_3S_5和CuBi_3Se_5两种化合物的多晶。采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度变化的关系,结果表明:CuBi_3Se_5呈金属性质,而CuBi_3S_5呈半导体性质。根据Arrhenius关系式计算出CuBi_3S_5室温下的热激活能为17.1 meV。在室温下对CuBi_3S_5多晶块体进行了霍尔效应实验,结果表明:其载流子浓度为3.75×10^(17)cm^(-3),霍尔迁移率为14 cm^2V^(-1)s^(-1),CuBi_3S_5为n型半导体。漫反射光谱的实验结果表明CuBi_3S_5的禁带宽度约为0.66 eV。 展开更多
关键词 材料 光电性质 溶剂热法 四点探针法 霍尔效应 CuBi3S5 cubi3se5
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