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铜掺杂Cu2SnSe4的热电输运性能 被引量：2
1
作者 郑丽仙 胡剑峰 骆军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第24期253-260,共8页
Cu2SnSe4化合物具有本征的低热导率和可调控的电导率,同时不含稀贵元素、无毒和价格低廉,具有作为中温区热电材料的潜力.本文通过高能球磨结合放电等离子烧结制备了Cu2SnSe4以及Cu掺杂的Cu2+xSnSe4块体材料(0.2≤X≤1).研究了Cu掺杂填充... Cu2SnSe4化合物具有本征的低热导率和可调控的电导率,同时不含稀贵元素、无毒和价格低廉,具有作为中温区热电材料的潜力.本文通过高能球磨结合放电等离子烧结制备了Cu2SnSe4以及Cu掺杂的Cu2+xSnSe4块体材料(0.2≤X≤1).研究了Cu掺杂填充Cu/Sn位置上1/4本征空位对Cu2+xSnSe4热电性能的影响,发现Cu/Sn中1/4空位能够被Cu完全填满(x=1),且Cu掺杂能够大幅度地提升(可达两个数量级)样品的电导率,从而显著提高了功率因子.同时,发现在大Cu掺杂量范围(0.1≤X≤0.8)内,Cu2+xSnSe4电导率增长与掺杂量增加呈线性关系,且载流子迁移率随Cu掺杂量的增加而增加.进一步的研究发现,载流子在Cu2+xSnSe4中的电输运行为遵循电子-声子耦合的小极化子模型. 展开更多
关键词 cu2snse4 热电性能 小极化子跃迁
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溶液法旋涂制备Cu2SnSe3薄膜
2
作者 连亚军 郭华飞 +1 位作者 袁宁一 刘遵峰 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第3期391-395,400,共6页
采用水溶性前体溶液法旋涂制备Cu2SnSe 3晶体薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量分散光谱仪(EDS)对该薄膜进行测试表征,并测量其拉曼光谱、霍尔效应和吸收光谱。结果表明:该方法成本低、安全、节能、易于操作,且对硬... 采用水溶性前体溶液法旋涂制备Cu2SnSe 3晶体薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量分散光谱仪(EDS)对该薄膜进行测试表征,并测量其拉曼光谱、霍尔效应和吸收光谱。结果表明:该方法成本低、安全、节能、易于操作,且对硬件设备要求低;薄膜制备所需退火温度较低,且薄膜中的杂质少。 展开更多
关键词 溶液法 旋涂 cu2snse3薄膜
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Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响 被引量：1
3
作者 张伟 陈顺礼 汪渊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期630-634,共5页
利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果... 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67～4.62mΩ.cm。 展开更多
关键词 cu2snse3薄膜 Cu/Sn比率 硒化 物理性质
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热注射法合成Cu_2SnSe_3纳米晶及其光电转换性能 被引量：1
4
作者 刘仪柯 唐雅琴 +2 位作者 伍玉娇 刘芳洋 蒋良兴 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2348-2351,共4页
以乙酰丙酮铜、无水氯化亚锡为金属源,Se/OLA悬浊液为硒源,在油胺溶剂中热注射合成了Cu_2SnSe_3纳米晶。采用TEM、XRD、EDS分别对典型纳米晶产物的形貌、物相和组成做了分析表征。通过不同反应温度的条件实验,研究了反应温度对最终产物... 以乙酰丙酮铜、无水氯化亚锡为金属源,Se/OLA悬浊液为硒源,在油胺溶剂中热注射合成了Cu_2SnSe_3纳米晶。采用TEM、XRD、EDS分别对典型纳米晶产物的形貌、物相和组成做了分析表征。通过不同反应温度的条件实验,研究了反应温度对最终产物的影响,探讨了相关规律。采用光电化学池评价了纳米晶的光电转换性能,结果表明Cu_2SnSe_3纳米晶光电转换性能优良,表现出较好的应用前景。 展开更多
关键词 纳米晶 cu2snse3 热注射法 光电转换性能
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简易合成Cu_2SnSe_3作染料敏化太阳能电池对电极(英文)
5
作者 朱磊 强颖怀 +3 位作者 赵宇龙 顾修全 宋端鸣 宋昌斌 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2339-2344,共6页
采用简易溶剂热法合成直径为150-250 nm的Cu2SnSe3纳米颗粒.以Cu2SnSe3"墨水"为前驱体采用滴落涂布法在掺氟二氧化锡基板上沉积Cu2SnSe3薄膜作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极.利用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、... 采用简易溶剂热法合成直径为150-250 nm的Cu2SnSe3纳米颗粒.以Cu2SnSe3"墨水"为前驱体采用滴落涂布法在掺氟二氧化锡基板上沉积Cu2SnSe3薄膜作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极.利用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、能谱仪(EDS)等对Cu2SnSe3纳米颗粒的形貌、结构和组成进行表征.结果表明:产物纯净无杂项且符合化学计量比.以Cu2SnSe3为对电极的DSSC转化效率为7.75%,与铂对电极DSSC效率相当(7.21%).研究表明,DSSC的光电流密度和影响因子与Cu2SnSe3薄膜厚度密切相关,这是由于不同厚度的Cu2SnSe3薄膜作对电极所对应的催化位置数目和电阻值不同.电化学阻抗谱研究说明,Cu2SnSe3因具有类似铂良好的电催化性能而适合用作染料敏化太阳能电池对电极材料.本文以Cu2SnSe3代替贵金属铂,提供了一种廉价制备高效染料敏化太阳能电池对电极的新方法. 展开更多
关键词 cu2snse3 纳米颗粒 溶剂热 对电极 染料敏化太阳能电池
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Se位掺杂对燃烧合成Cu_2SnSe_3热电性能的影响 被引量：2
6
作者 马瑞 李宇洋 +4 位作者 刘光华 李江涛 韩叶茂 周敏 李来风 《陶瓷学报》 北大核心 2017年第4期466-470,共5页
Cu_2SnSe_3是一种不含稀贵或有毒元素的新型热电材料,具有较低的热导率和较高的电导率,通过掺杂可大大提高Cu_2SnSe_3的热电优值,使其有望在中温区附近得到应用。通过燃烧合成直接一步制备出致密的Cu_2SnSe_3块体材料,其相对密度在96%以... Cu_2SnSe_3是一种不含稀贵或有毒元素的新型热电材料,具有较低的热导率和较高的电导率,通过掺杂可大大提高Cu_2SnSe_3的热电优值,使其有望在中温区附近得到应用。通过燃烧合成直接一步制备出致密的Cu_2SnSe_3块体材料,其相对密度在96%以上,最大热电优值为0.48,与传统烧结工艺制备的样品性能相当,整个反应过程在数分钟内即迅速完成,从而极大的简化了合成工艺。为进一步提高Cu_2SnSe_3材料的热电性能,本文利用燃烧合成方法制备多晶块体材料,采用S、Te两种元素对Cu_2SnSe_3进行掺杂,系统研究了掺杂对热电性能的影响。结果表明,S、Te两种元素的Se位掺杂提高了Seebeck系数,降低了热导率和电导率,最终使热电优值有所提升。S掺杂Cu_2SnSxSe_(3-x)样品中,当x=0.15时在温度773 K下取得最大ZT值为0.66。Te掺杂Cu_2SnTe_xSe_(3-x)样品中,当x=0.05时在温度773 K下取得最大ZT值为0.40。 展开更多
关键词 热电性能 cu2snse3 燃烧合成 Se位掺杂
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Ag掺杂Cu_2SnSe_3致相反热电性能及其复合提升 被引量：4
7
作者 周一鸣 周玉玲 +2 位作者 庞前涛 邵建伟 赵立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期301-309,共9页
热电材料可有效回收废热并将其转化为电能,然而转换效率受复杂耦合热电参数的限制。高效热电材料需要具有优异的电传输和良好的隔热性能。具有类金刚石结构的Cu2SnSe3是一种潜在的中温区热电材料,本研究通过在Sn位和Cu引入Ag离子,分别... 热电材料可有效回收废热并将其转化为电能,然而转换效率受复杂耦合热电参数的限制。高效热电材料需要具有优异的电传输和良好的隔热性能。具有类金刚石结构的Cu2SnSe3是一种潜在的中温区热电材料,本研究通过在Sn位和Cu引入Ag离子,分别获得了高电传输相Cu2Sn0.93Ag0.07Se3和低热传输相Cu1.91Ag0.09SnSe3,然后通过机械混合和烧结制备了Cu2Sn0.93Ag0.07Se3和Cu1.91Ag0.09SnSe3两相复合的材料。利用两相材料的晶体结构相同和晶格常数匹配的特点,在高温段有效地协同调控了Cu2SnSe3材料的电输运和热输运性能,从而使材料的高温热电性能得到优化,用有效介质理论很好地描述了高性能的两相复合材料的电和热传输行为。 展开更多
关键词 热电 有效介质理论 类金刚石结构 cu2snse
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Cu_2SnSe_3纳米管阵列薄膜的制备及表征
8
作者 孙海滨 陈昊 +2 位作者 郜梦迪 柴爱宁 张伟 《当代化工》 CAS 2018年第11期2267-2269,2276,共4页
一维纳米半导体材料由于其独特的物理、化学特性受到了广泛关注。首先利用在FTO透明导电基底上制备了有序且分布均匀的ZnO纳米片阵列薄膜,并以ZnO阵列薄膜为模板,制备了具有空心纳米管结构的Cu_2SnSe_3阵列薄膜。详细讨论了Cu_2SnSe_3... 一维纳米半导体材料由于其独特的物理、化学特性受到了广泛关注。首先利用在FTO透明导电基底上制备了有序且分布均匀的ZnO纳米片阵列薄膜,并以ZnO阵列薄膜为模板,制备了具有空心纳米管结构的Cu_2SnSe_3阵列薄膜。详细讨论了Cu_2SnSe_3阵列薄膜的制备过程,并利用XRD、SEM和UV-vis等对纳米管阵列薄膜的结构形貌及光学性质进行了分析。 展开更多
关键词 cu2snse3 纳米管阵列 纳米结构 半导体材料
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Cu_2SnSe_3-Ag纳米复合物的合成及其热电性质研究
9
作者 何琼平 左永 +2 位作者 许婷婷 徐瑞 宋吉明 《化学通报》 CSCD 北大核心 2017年第11期1043-1048,共6页
采用Schlenk line技术,通过一种简单的硒源热注射的方法合成了Cu_2SnSe_3(CTSe)纳米晶,同时采用胶体法得到了单分散性极好的、粒径为4nm左右的Ag纳米颗粒(Ag NPs),之后通过简单的滴加法向CTSe纳米晶基质中掺入了特定比例的Ag NPs,得到CT... 采用Schlenk line技术,通过一种简单的硒源热注射的方法合成了Cu_2SnSe_3(CTSe)纳米晶,同时采用胶体法得到了单分散性极好的、粒径为4nm左右的Ag纳米颗粒(Ag NPs),之后通过简单的滴加法向CTSe纳米晶基质中掺入了特定比例的Ag NPs,得到CTSe-Ag纳米复合物。通过X射线粉末衍射、透射电镜、高分辨透射电镜、红外光谱和热重分析等表征了样品的组成、结构和形貌。同时对合成样品的热电性质进行了研究,相关的测试结果表明,以CTSe为基体掺杂AgNPs的样品中,CTSe-1(mol)%Ag具有最佳的热电优值(ZT=0.23,655K),相较纯相CTSe(ZT=0.18,655K)提高了27%。 展开更多
关键词 cu2snse3纳米晶 AG纳米颗粒 胶体法 纳米复合材料 热电性质
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