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高效Cu-In-Ga-S近红外量子点及其PMMA复合膜的性能研究
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作者 肖媛媛 蔡宇帆 +5 位作者 胡晓雪 魏鸿 谢佳明 余韵 尤庆亮 肖标 《复合材料学报》 北大核心 2026年第1期292-300,共9页
近年来,近红外荧光转换发光二极管(NIR pc-LEDs)中的发光材料越来越受到人们的关注。然而,大多数的NIR荧光材料的光致发光量子产率(PLQY)低,不利于制备NIR pc-LEDs。因此,本文采用一锅法合成了一种高质量的Cu-In-Ga-S(CIGS)@ZnS近红外... 近年来,近红外荧光转换发光二极管(NIR pc-LEDs)中的发光材料越来越受到人们的关注。然而,大多数的NIR荧光材料的光致发光量子产率(PLQY)低,不利于制备NIR pc-LEDs。因此,本文采用一锅法合成了一种高质量的Cu-In-Ga-S(CIGS)@ZnS近红外荧光量子点(QDs)。通过改变Ga的摩尔含量,使得光致发光(PL)光谱在800~930 nm的范围内可调节。在包覆ZnS壳层后,PLQY从CIGS QDs的42.3%提高到CIGS@ZnS QDs的92.3%。激发功率依赖的PL光谱及PL衰减曲线表明了CIGS和CIGS@ZnS QDs主要以给体-受体对(DAP)复合的方式发光。温度相关的PL测试结果揭示了ZnS壳层抑制了QDs中的电子-声子的相互作用,使得载流子的辐射复合增加,从而提高了PLQY。将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与CIGS@ZnS QDs共混制备的1.5 mm厚近红外复合膜与商用蓝光LED芯片结合所制备出NIR pc-LEDs具有最高的光功率,且发光光谱中近红外光所占的比例也更高。 展开更多
关键词 cu-in-ga-s 近红外量子点 荧光转换发光二极管 聚甲基丙烯酸甲酯 给体-受体对复合
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