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Alleviating the crosstalk effect via a fine-moulded light-blocking matrix for colour-converted micro-LED display with a 122% NTSC gamut 被引量:4
1
作者 Yongming Yin Zhiping Hu +8 位作者 Muhammad Umair Ali Miao Duan Yongwei Wu Ming Liu Wenxiang Peng Jun Hou Dongze Li Xin Zhang Hong Meng 《Light(Advanced Manufacturing)》 2022年第3期197-204,共8页
One of the major challenges when fabricating high gamut colour-converted micro-light-emitting diodes(LEDs)displays is severe crosstalk effect among adjacent pixels because of the wide view-angle feature of micro-LED c... One of the major challenges when fabricating high gamut colour-converted micro-light-emitting diodes(LEDs)displays is severe crosstalk effect among adjacent pixels because of the wide view-angle feature of micro-LED chips.In this study,potential factors that contribute to the crosstalk effect were systematically simulated.We observed that precisely filling the space between each micro-LED chip with a light blocking matrix(LBM)can be a promising solution to alleviate this risk.After careful investigations,a press-assisted moulding technique was demonstrated to be an effective approach of fabricating the LBM.Nevertheless,experimental observations further revealed that residual black LBM on the surface of micro-LEDs severely reduces the brightness,thereby compromising the display performance.This problem was successfully addressed by employing a plasma etching technique to efficiently extract the trapped light.Eventually,a top-emitting blue micro-LED-based backlight fine-moulded with a black LBM was developed and combined with red and green quantum dot colour-conversion layers for full-colour display.The colour gamut of our manufactured display prototype can cover as high as 122%that of the National Television Standards Committee. 展开更多
关键词 Micro-LED crosstalk effect Quantum dots Color conversion Plasma etching Fine-moulding
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Research on Raman Crosstalk in Broadband Wavelength Division Multiplexed Systems
2
作者 薛飞 邱昆 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2004年第1期10-13,共4页
After a theoretical model is put forward on the base of accurate description of the Raman gain profile and the physical quantity, maximum Raman crosstalk(MRC), which quantificationally depicts the intensity of Raman c... After a theoretical model is put forward on the base of accurate description of the Raman gain profile and the physical quantity, maximum Raman crosstalk(MRC), which quantificationally depicts the intensity of Raman crosstalk is defined. The influences of launch power, fiber effective core area, fiber nonlinear index, fiber length, channel number and channel interval on MRC are deduced. The result indicates that compared with low speed and narrowband optical fiber communication system, serious Raman crosstalk lies in high speed and broadband system, which impacts the performance of the system badly. The result is useful for forecasting Raman crosstalk in broadband and high speed optical fiber communication system. 展开更多
关键词 wavelength division multiplexing stimulated Raman scattering effective core area nonlinear index maximum Raman crosstalk(MRC)
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基于工艺波动的单粒子串扰效应研究
3
作者 刘保军 雍霄驹 +1 位作者 张爽 陈名华 《空军工程大学学报》 北大核心 2025年第3期79-85,共7页
为了表征互连线结构参数工艺波动对单粒子串扰(SEC)的影响,基于互连线的RLC等效模型和单粒子瞬态(SET)的等效电路,设计正交试验,利用极差分析和方差分析法,确定了互连线结构参数工艺波动时SEC的极限工艺角,并分析了技术节点、粒子能量... 为了表征互连线结构参数工艺波动对单粒子串扰(SEC)的影响,基于互连线的RLC等效模型和单粒子瞬态(SET)的等效电路,设计正交试验,利用极差分析和方差分析法,确定了互连线结构参数工艺波动时SEC的极限工艺角,并分析了技术节点、粒子能量、互连线长度对SEC极限工艺角的影响机理。结果表明,在互连线耦合效应和脉冲传播特性的共同作用下,45 nm技术节点以上,互连线结构参数波动±10%时,SEC的波动范围大于20%,且相对变化量随着粒子能量的增加,呈增大趋势,但并没有随着互连线长度的增加而出现较大的差异。45 nm技术节点以下,尽管SEC的电压峰值、噪声面积显著增加,但互连线工艺波动对SEC的影响却呈减小趋势,且随着互连线长度增加,SEC的波动呈增大趋势。 展开更多
关键词 工艺波动 单粒子瞬态(SET) 串扰效应 极限工艺角
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空气孔-沟槽辅助六芯光纤传输特性的研究
4
作者 宋锡策 闫煜鹏 +5 位作者 蒲俊宇 孙宏森 刘凯 李长江 钟宇豪 余先伦 《光通信技术》 北大核心 2025年第2期90-94,共5页
为了提升光纤的传输性能,设计了一种空气孔-沟槽辅助六芯光纤结构。六芯光纤中每根纤芯被一层低折射率沟槽包围,纤芯与沟槽之间存在一层包层,同时光纤周围环绕着空气孔辅助结构。基于光纤的耦合模式理论,对光纤的串扰、模场面积以及弯... 为了提升光纤的传输性能,设计了一种空气孔-沟槽辅助六芯光纤结构。六芯光纤中每根纤芯被一层低折射率沟槽包围,纤芯与沟槽之间存在一层包层,同时光纤周围环绕着空气孔辅助结构。基于光纤的耦合模式理论,对光纤的串扰、模场面积以及弯曲损耗3种传输特性进行了深入分析。研究结果表明:带有空气孔-沟槽辅助结构的光纤在芯间串扰方面表现最佳,串扰值达到最低约-55 d B;而单沟槽辅助结构则有效增大了光纤的模场面积,达到最大值约390μm^(2)。然而,不同结构下光纤的弯曲损耗变化并未呈现明显规律,但其对数取值集中在4~9 d B/m。 展开更多
关键词 空气孔-沟槽辅助光纤 弯曲损耗 芯间串扰 有效模场面积
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肿瘤细胞与神经信号在神经内分泌癌转移中的串扰作用:基于通讯劫持的视角
5
作者 宋淑萍 王心怡 +4 位作者 周锶琪 成旭晨 林潍轩 王永炫 孙艳芹 《中国肺癌杂志》 北大核心 2025年第2期138-145,共8页
神经内分泌癌(neuroendocrine carcinoma, NEC)为一类起源于神经内分泌细胞的恶性肿瘤。由于NEC细胞兼具神经细胞和内分泌细胞的特性,在肿瘤转移过程中可通过多种机制劫持神经元信号传导并动态调节神经元谱系标志物的表达,从而形成有利... 神经内分泌癌(neuroendocrine carcinoma, NEC)为一类起源于神经内分泌细胞的恶性肿瘤。由于NEC细胞兼具神经细胞和内分泌细胞的特性,在肿瘤转移过程中可通过多种机制劫持神经元信号传导并动态调节神经元谱系标志物的表达,从而形成有利于肿瘤生长与转移的微环境。另一方面,肿瘤微环境的变化反过来也会增强神经元与肿瘤细胞的相互作用,最终协同促进NEC转移的发生。本综述介绍了癌症神经科学领域的研究进展,揭示了NEC中的神经元谱系标志物,通过介导肿瘤细胞与神经系统之间发生串扰、双向交流以及协同作用,促进肿瘤扩散转移。因此,肿瘤神经科学领域的最新研究成果,丰富了我们对肿瘤转移生物学机制的认识,为深入理解肿瘤转移,特别是脑转移的复杂生物学过程,开辟了新的研究方向。本文就肿瘤细胞与神经信号在NEC转移中的串扰作用作一综述。 展开更多
关键词 癌症神经科学 肿瘤转移 神经内分泌癌 串扰作用 通讯劫持
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基于倾斜狭缝光栅的自由立体显示串扰比 被引量:12
6
作者 侯春萍 王晓燕 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期663-668,共6页
自由立体显示采用倾斜放置的狭缝光栅来减轻莫尔条纹的影响,却因此造成各视点图像之间的串扰.首先基于子像素判决提出一种定量计算串扰比的方法,建模得到光栅倾斜角度与相邻视点图像之间串扰比的关系.然后提出立体图像有效分辨率的概念... 自由立体显示采用倾斜放置的狭缝光栅来减轻莫尔条纹的影响,却因此造成各视点图像之间的串扰.首先基于子像素判决提出一种定量计算串扰比的方法,建模得到光栅倾斜角度与相邻视点图像之间串扰比的关系.然后提出立体图像有效分辨率的概念,将串扰比引入其中,能够客观地衡量经过立体显示后得到的立体图像分辨率.此外,假设装配误差为随机变量,经由模型仿真得到串扰比误差与装配误差之间的关系.研究表明:基于倾斜缝光栅的自由立体显示设备中,各个最优观看位置的串扰比随着光栅倾斜角度的增大而增大,但是当光栅倾斜角取某些特殊值时,串扰比为局部最小值. 展开更多
关键词 狭缝光栅 串扰比 有效分辨率
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强光致CCD过饱和效应机理分析 被引量:25
7
作者 张震 程湘爱 姜宗福 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期233-237,共5页
分析了正常工作条件下CCD信号检测电路工作的全过程;指出了在正常工作状态下CCD对检测电路的注入是以低占空比的周期性窄脉冲方式进行的,配合有效的复位机制,使每个像素的复位电平保持为常值。根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传... 分析了正常工作条件下CCD信号检测电路工作的全过程;指出了在正常工作状态下CCD对检测电路的注入是以低占空比的周期性窄脉冲方式进行的,配合有效的复位机制,使每个像素的复位电平保持为常值。根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传输沟道内的电势分布特点,提出了CCD过饱和状态的物理实质,即激光在CCD的受辐照点处提供了一个光生电流源,光生电荷将CCD的传输势阱全部填满之后使得CCD由一个电荷器件转变为一个电流器件。电流通过由CCD时钟的低电平所确定的沟道传输,使CCD对检测电路的注入以近乎连续的周期性长脉冲方式进行,导致了复位电平的改变,造成过饱和的视频图像。 展开更多
关键词 图像传感器 CCD 过饱和效应 串扰 复位电平
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STN-CD显示驱动技术 被引量:4
8
作者 郭振东 常昌远 +2 位作者 吴金 夏炎 魏同立 《电子器件》 CAS 2001年第4期338-345,共8页
液晶显示器件以优异的特性在显示技术中异军突起 ,具有良好的发展前景。本文介绍了 LCD主流产品之一 STN- LCD的显示原理 ,在此基础上讨论了 STN-
关键词 STN-LCD 显示驱动技术 液晶显示器
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交叉效应对光栅光调制器阵列的影响 被引量:2
9
作者 金珠 温志渝 +1 位作者 张智海 黄尚廉 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1790-1797,共8页
为了讨论交叉效应对无源矩阵驱动的光栅光调制器的影响,建立了无源矩阵驱动光栅光调制器的电学模型。介绍了光栅光调制器的工作原理和驱动电压。利用基尔霍夫的电流定理和电压定理,对该无源矩阵驱动阵列的电学模型进行化简分析,得到了... 为了讨论交叉效应对无源矩阵驱动的光栅光调制器的影响,建立了无源矩阵驱动光栅光调制器的电学模型。介绍了光栅光调制器的工作原理和驱动电压。利用基尔霍夫的电流定理和电压定理,对该无源矩阵驱动阵列的电学模型进行化简分析,得到了交叉效应中半选点像素、非选点像素与全选点像素之间的电压关系。实验测得器件的驱动电压,并对加工的阵列器件进行交叉效应验证,得到这3种像素的±1级衍射光强与全选点像素驱动电压的关系。最后,提出两种抑制交叉效应的方法。实验结果显示:光栅光调制器的工作电压为8V,吸合电压约8.5V时;对于加工的16×16阵列,半选点像素电压约为全选点像素电压的1/2,且远大于非选点像素电压,结论与交叉效应理论分析一致。结果表明:交叉效应会降低阵列的光学对比度和光利用率,而器件较低的驱动电压有利于与有源矩阵电路实现单片集成,消除器件的交叉效应。 展开更多
关键词 微机电系统 光栅光调制器 交叉效应 无源矩阵驱动
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基于绝缘硅的微环谐振可调谐滤波器 被引量:17
10
作者 李帅 吴远大 +4 位作者 尹小杰 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1143-1148,共6页
采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350~500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽... 采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350~500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比为22.1dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4℃~60℃温度范围内实现了4.8nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12nm/℃.研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰. 展开更多
关键词 绝缘硅 微环谐振 热光效应 滤波器 串扰
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复用技术耦合率失真优化的多图像加密算法 被引量:5
11
作者 孙力 黄正谦 《计算机工程与设计》 北大核心 2015年第4期872-878,共7页
为对多图像进行同步加密,解决当前多图像加密算法因采用压缩思想导致的串扰效应,提出角度旋转复用技术耦合率失真优化控制的多图像同步加密算法。引入DCT(discrete cosine transform)与ZigZag机制,基于角度旋转思想,设计复用技术,将多... 为对多图像进行同步加密,解决当前多图像加密算法因采用压缩思想导致的串扰效应,提出角度旋转复用技术耦合率失真优化控制的多图像同步加密算法。引入DCT(discrete cosine transform)与ZigZag机制,基于角度旋转思想,设计复用技术,将多个明文转换成复合矩阵,借助IDCT(inverse discrete cosine transform),形成置乱图像;设计率失真优化控制技术,嵌入复用技术中,减少失真度;构造加密函数,获取密文。仿真结果表明,该加密机制高度安全,与当前多图像加密机制相比,解密质量更高,失真度更小。 展开更多
关键词 多图像同步加密 角度旋转复用技术 率失真控制 结构相似度 熵模型 串扰效应
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CMOS混合信号集成电路中的串扰效应 被引量:2
12
作者 董刚 杨银堂 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期34-37,共4页
论述了混合信号集成电路中的串扰效应及其对电路本身的影响,重点讨论了在重掺杂衬底中数字干扰对模拟器件的影响,并给出了数字噪声注入等效电路。同时从制造工艺和设计技术方面讨论了降低串扰效应的方法。
关键词 CMOS 混合信号 集成电路 串扰效应 设计技术
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Development of short prototype of dual aperture quadrupole magnet for CEPC ring 被引量:2
13
作者 Mei Yang Fu-San Chen +4 位作者 Ya-Feng Wu Zhuo Zhang Bao-Gui Yin Bin Na Zhan-Jun Zhang 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期148-158,共11页
Main quadrupole magnets are critical for the Circular Electron and Positron Collider(CEPC)and are specifically designed as dual aperture quadrupole(DAQ)magnets.However,the field crosstalk between the two apertures pre... Main quadrupole magnets are critical for the Circular Electron and Positron Collider(CEPC)and are specifically designed as dual aperture quadrupole(DAQ)magnets.However,the field crosstalk between the two apertures presents challenges.As the CEPC will work at four beam energies of Z,W,Higgs and ttbar mode,the DAQ magnets will operate at four field gradients spanning from 3.18 to 12.63 T/m.The first short quadrupole magnet prototype with the bore diameter of 76 mm and magnetic length of 1.0 m revealed the problems of large magnetic field harmonics and a magnetic center shift within the beam energy range.Accordingly,a compensation method was proposed in this work to solve the field crosstalk effect.By adjusting the gap height at the middle of the two apertures,the field harmonics and magnetic center shift are significantly reduced.After optimization,the short prototype was modified using a new scheme.The field simulations are validated from the magnetic measurement results.Further,the multipole field meets the requirements of the four beam energies.The detailed magnetic field optimization,field harmonics adjustment,and measurement results are presented herein. 展开更多
关键词 Dual aperture magnets Field measurements crosstalk effect Quadrupole magnet Field harmonics CEPC
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微机械梳状驱动音叉陀螺的误差源研究 被引量:3
14
作者 李万玉 阮爱武 +1 位作者 罗晋生 冯培德 《航空学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期426-429,共4页
定性地讨论了微机械梳状驱动音叉陀螺特有的一些误差源,主要有微机械结构的 Brow nian 噪声、电路噪声、机械耦合误差及电子机械耦合误差等。对上述误差源的认识是微结构制造和电路设计的基础。
关键词 微机械 梳状驱动 音叉陀螺 机械耦合误差
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SiC MOSFET特性分析及驱动电路研究 被引量:15
15
作者 毛鹏 缠潇潇 张卫平 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期24-27,67,共5页
对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,仿真得到其开关轨迹。提出一种有关驱动电阻对于开关过程影响的分析模型。论述研究了将SiC MOSFET应用于单管功率变换器、桥... 对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,仿真得到其开关轨迹。提出一种有关驱动电阻对于开关过程影响的分析模型。论述研究了将SiC MOSFET应用于单管功率变换器、桥式功率变换器及双管正激变换器等典型电路时适用的驱动电路,针对桥式电路中存在的串扰问题进行了分析,使用LTSpice软件对4种优化后的驱动电路进行仿真并比较其优缺点,提出几点关于驱动电路的布局技巧。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 驱动电路 串扰
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硅基片上变压器层间串扰与屏蔽优化
16
作者 张峰 屈操 赵婷 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第6期1-5,共5页
提出了一种基于共面波导传输线栅格屏蔽原理的片上变压器层间串扰屏蔽结构.通过场路结合、协同仿真的方法比较分析了该结构对片上变压器层间串扰的影响.结果表明:该屏蔽结构能有效屏蔽硅基片上变压器层间电磁场的渗透,对改善片上变压器... 提出了一种基于共面波导传输线栅格屏蔽原理的片上变压器层间串扰屏蔽结构.通过场路结合、协同仿真的方法比较分析了该结构对片上变压器层间串扰的影响.结果表明:该屏蔽结构能有效屏蔽硅基片上变压器层间电磁场的渗透,对改善片上变压器的高频性能、屏蔽片上变压器的层间串扰效应有较好的效果. 展开更多
关键词 硅基片上变压器 互连线 串扰效应 栅格屏蔽
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非线性传输对光节点引入的串扰的影响
17
作者 程振杰 余重秀 徐大雄 《北京邮电大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期16-19,52,共5页
利用软件首次模拟了光纤的非线性传输对串扰的影响 ,发现光纤的非线性传输在很大程度上加大了串扰对系统的影响 ;由于自相位调制引起的调制不稳定性 ,主信号和串扰完全同频时的误码并不是最坏情况 ;相反地 ,主信号和串扰有一定频差时误... 利用软件首次模拟了光纤的非线性传输对串扰的影响 ,发现光纤的非线性传输在很大程度上加大了串扰对系统的影响 ;由于自相位调制引起的调制不稳定性 ,主信号和串扰完全同频时的误码并不是最坏情况 ;相反地 ,主信号和串扰有一定频差时误码比较大 .模拟结果表明 ,在设计长距离光传送网时 ,应尽量保持光节点引入的串扰量小于 4 0 d 展开更多
关键词 同频串扰 异频串扰 非线性效应 光纤通信 非线性传输 光节点
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平顶型蚀刻衍射光栅波分复用器优化设计 被引量:3
18
作者 宋军 何赛灵 石志敏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期550-554,共5页
本文对利用多模干涉 (MMI)结构实现解复用器蚀刻衍射光栅 (EDG)频谱平坦化的设计方法进行了改进 通过使用预展宽输入结构把带间串扰降到很低值 ;通过使用抛物线型多模干涉区 ,把带通纹波减小到接近于零的同时 ,大大增加了 1dB带宽 ,最... 本文对利用多模干涉 (MMI)结构实现解复用器蚀刻衍射光栅 (EDG)频谱平坦化的设计方法进行了改进 通过使用预展宽输入结构把带间串扰降到很低值 ;通过使用抛物线型多模干涉区 ,把带通纹波减小到接近于零的同时 ,大大增加了 1dB带宽 ,最终得到了平坦化效果最佳的设计方法 作为例子 。 展开更多
关键词 平顶型蚀刻衍射光栅 波分复用器 优化设计 多模干涉 频谱 平坦化 光通信
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基于并联游标效应的MZ光纤应变传感器增敏解调系统 被引量:2
19
作者 王婷婷 柯炜 王秀婷 《光通信技术》 北大核心 2024年第1期13-17,共5页
为了进一步提高马赫-曾德尔(MZ)光纤应变传感器的灵敏度,设计了一种基于并联游标效应的MZ光纤应变传感器增敏解调系统。该系统由传感干涉仪和参考干涉仪并联组成,2个干涉仪都是单模-无芯-少模-单模(SNFS)结构的马赫-曾德尔干涉仪(MZI)... 为了进一步提高马赫-曾德尔(MZ)光纤应变传感器的灵敏度,设计了一种基于并联游标效应的MZ光纤应变传感器增敏解调系统。该系统由传感干涉仪和参考干涉仪并联组成,2个干涉仪都是单模-无芯-少模-单模(SNFS)结构的马赫-曾德尔干涉仪(MZI)。通过提取2个SNFS-MZI传输信号的差频成分并跟踪其波谷的移动,提高系统应变灵敏度。此外,通过单独提取参考干涉仪的干涉谱,从而消减应变测量时的温度串扰。实验结果表明:该系统的应变灵敏度为7.39 pm/με,约为单个传感干涉仪的应变灵敏度5倍;通过调节参考干涉仪和传感干涉仪的传感臂长,可以灵活调节MZ光纤应变传感器增敏解调系统的灵敏度性能。 展开更多
关键词 光纤光学 马赫-曾德尔干涉仪 并联游标效应 应变 温度串扰
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用于全桥变换器的SiC MOSFET驱动电路设计 被引量:17
20
作者 王建渊 林文博 孙伟 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2020年第2期120-124,共5页
碳化硅(SiC)器件由于具有禁带宽度更宽、临界击穿场强高、导通电阻小等优点,相比于硅(Si)器件更适用于高频开关场合,有利于提升电力电子装置的效率,减小装置体积。SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥电路应用中,交替导通... 碳化硅(SiC)器件由于具有禁带宽度更宽、临界击穿场强高、导通电阻小等优点,相比于硅(Si)器件更适用于高频开关场合,有利于提升电力电子装置的效率,减小装置体积。SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥电路应用中,交替导通的上、下开关管易发生串扰问题,严重限制了SiC MOSFET的应用。结合SiC MOSFET的参数特性及驱动要求,设计了一种高效的SiC MOSFET驱动电路,描述了其电路设计过程,并采用了一种栅极有源箝位串扰抑制方法。最后搭建了实验测试平台,验证了驱动电路的功能。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 碳化硅 驱动电路 串扰
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