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新型二维材料单层CrOCl的磁性和光学性质研究
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作者 卿晓梅 镇思琦 翟志淳 《中国新技术新产品》 2022年第20期4-7,共4页
该文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了新型二维材料单层CrOCl的磁性和光学性质。研究结果表明,单层CrOCl在考虑自旋-耦合作用时基态为铁磁结构,铁磁结构下体系导带区存在2.59 eV的自旋劈裂,在太阳光的紫外线区域有较宽的光吸收带... 该文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了新型二维材料单层CrOCl的磁性和光学性质。研究结果表明,单层CrOCl在考虑自旋-耦合作用时基态为铁磁结构,铁磁结构下体系导带区存在2.59 eV的自旋劈裂,在太阳光的紫外线区域有较宽的光吸收带(3.2 eV-45 eV)和较大的吸收系数(9.4×10^(5) cm^(-1))。这预示单层CrOCl在自旋电子器件和紫外探测器领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 单层crocl 磁性 电子结构 光学性质
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Highly anisotropic thermal conductivity of few-layer CrOCl for efficient heat dissipation in graphene device 被引量:1
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作者 Xiaoming Zheng Yuehua Wei +11 位作者 Zhenhua Wei Wei Luo Xiao Guo Xiangzhe Zhang Jinxin Liu Yangbo Chen Gang Peng Weiwei Cai Shiqiao Qin Han Huang Chuyun Deng Xueao Zhang 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2022年第10期9377-9385,共9页
With the packing density growing continuously in integrated electronic devices,sufficient heat dissipation becomes a serious challenge.Recently,dielectric materials with high thermal conductivity have brought insight ... With the packing density growing continuously in integrated electronic devices,sufficient heat dissipation becomes a serious challenge.Recently,dielectric materials with high thermal conductivity have brought insight into effective dissipation of waste heat in electronic devices to prevent them from overheating and guarantee the performance stability.Layered CrOCl,an antiferromagnetic insulator with low-symmetry crystal structure and atomic level flatness,might be a promising solution to the thermal challenge.Herein,we have systematically studied the thermal transport of suspended few-layer CrOCl flakes by microRaman thermometry.The CrOCl flakes exhibit high thermal conductivities along zigzag direction,from~392±33 to~1,017±46 W·m^(−1)·K^(−1) with flake thickness from 2 to 50 nm.Besides,pronounced thickness-dependent thermal conductivity ratio(/from~2.8±0.24 to~4.3±0.25)has been observed in the CrOCl flakes,attributed to the discrepancy of phonon dispersion and phonon surface scattering.As a demonstration to the heat sink application of layered CrOCl,we then investigate the energy dissipation in graphene devices on CrOCl,SiO_(2) and hexagonal boron nitride(h-BN)substrates,respectively.The graphene device temperature rise on CrOCl is only 15.4%of that on SiO_(2) and 30%on h-BN upon the same electric power density,indicating the efficient heat dissipation of graphene device on CrOCl.Our study provides new insights into two-dimentional(2D)dielectric material with high thermal conductivity and strong anisotropy for the application of thermal management in electronic devices. 展开更多
关键词 crocl High thermal conductivity strong anisotropy efficient heat dissipation heat sink graphene devices
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新型范德华绝缘体封装的MoS_(2)晶体管性能研究
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作者 袁恺 闵成彧 +4 位作者 陈鹏堃 胡欢 黄俊 杨帆 唐昭焕 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期315-320,共6页
以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是下一代延续摩尔定律的潜在电子学新材料之一。然而,二维特性使得MoS_(2)中电子的输运行为对环境条件高度敏感。采用范德华绝缘体材料进行封装包覆,是目前消除二维半导体器件环境敏感性的有效方案之一... 以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是下一代延续摩尔定律的潜在电子学新材料之一。然而,二维特性使得MoS_(2)中电子的输运行为对环境条件高度敏感。采用范德华绝缘体材料进行封装包覆,是目前消除二维半导体器件环境敏感性的有效方案之一。文章采用化学气相传输法制备新型范德华绝缘体材料CrOCl,并以少层CrOCl为介电层和封装材料,设计并制备了基于MoS_(2)的场效应晶体管。以CrOCl为底栅介电层及封装材料的MoS_(2)晶体管的室温场效应迁移率约为60 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),2 K下进一步增大至100 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。此外,相比于无封装MoS_(2)晶体管高达20 V的回滞窗口,CrOCl的包覆有效消除了晶体管转移特性的回滞现象,证明其在二维材料电子学中的应用潜力。 展开更多
关键词 范德华绝缘体crocl MoS_(2)场效应晶体管 介电层 封装材料 回滞现象
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