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Magnetic and Structural Properties in Co/Cu/Co Sandwiches with Ni and Cr Buffer Layers 被引量:2
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作者 Hollglie SHEN, Tie LI, Qinwo SHEN, Qiang PAN and Shichang ZOU (State Key Laboratory of Functional Materials for Informations and State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 2000 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第2期195-196,共2页
The magnetic and structural properties in Co/Cu/Co sandwiches with Ni and Cr buffer layers were investigated. It was found that the coercivity in Ni layer buffered samples decreases with increasing Ni layer thickness,... The magnetic and structural properties in Co/Cu/Co sandwiches with Ni and Cr buffer layers were investigated. It was found that the coercivity in Ni layer buffered samples decreases with increasing Ni layer thickness, while that in Cr layer buffered ones increases with increasing Cr layer thickness, leading to a large difference in field sensitivity of their giant magnetoresistance (GMR) properties. X-ray diffraction and high resolution transmission electron microscope images exhibited that there is a strong fcc (111) texture in the samples with Ni buffer layer. But there are only randomly oriented potycrystalline grains in Cr buffered sandwiches. According to atomic force microscope topography, the surface roughness of Cr buffered sandwiches is smaller than that of Ni buffered ones. It is demonstrated that buffer layer influences both magnetic and structural properties in Co/Cu/Co sandwiches as well as their GMR characteristics. 展开更多
关键词 cr CO HRTEM Magnetic and Structural Properties in Co/Cu/Co Sandwiches with Ni and cr buffer layers CU NI
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Ta/Cr复合涂层的磁控溅射沉积与性能优化
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作者 许瑞 刘龙 +3 位作者 刘翠翠 徐志刚 彭健 王传彬 《装备环境工程》 2025年第1期50-60,共11页
目的在Ta涂层与基体之间引入Cr缓冲层,研究不同Cr缓冲层厚度(447~1503 nm)对涂层物相结构、微观形貌、力学性能、结合性能及摩擦磨损性能的影响,以提高Ta涂层与不锈钢基体间结合力,提升Ta/Cr复合涂层的性能。方法采用磁控溅射技术,在PCr... 目的在Ta涂层与基体之间引入Cr缓冲层,研究不同Cr缓冲层厚度(447~1503 nm)对涂层物相结构、微观形貌、力学性能、结合性能及摩擦磨损性能的影响,以提高Ta涂层与不锈钢基体间结合力,提升Ta/Cr复合涂层的性能。方法采用磁控溅射技术,在PCrNi1MoA合金钢基体上引入Cr缓冲层,构筑Ta/Cr复合涂层。采用X射线衍射仪分析Ta涂层的物相结构,采用扫描电子显微镜观察Ta/Cr复合涂层表面和截面的形貌特征,测量其厚度,观察截面致密度。利用纳米压痕仪测试Ta/Cr复合涂层的力学性能,利用洛氏硬度计和划痕仪测试涂层与基体的结合情况,并利用摩擦磨损仪对材料的耐磨性能进行测试。结果缓冲层厚度在447~1283 nm时,可以得到单一物相的α-Ta涂层;缓冲层厚度为1283 nm时,Ta涂层具有优异的力学性能,硬度达到11.42 GPa,弹性模量为179 GPa,且界面结合力超过30 N,并且表现出优异的摩擦磨损特性,摩擦因数仅0.3~0.4,磨损率低至0.011×10^(-6) mm^(3)/(N·m)。结论Cr缓冲层厚度的变化显著影响Ta/Cr复合涂层的物相结构、晶粒尺寸及表面形貌,进而影响基体与Ta涂层间的结合力以及涂层的力学性能,引入一定厚度的Cr缓冲层有利于制备优异力学和摩擦磨损性能的α-Ta涂层,且与基体结合性能良好。 展开更多
关键词 α-Ta涂层 cr缓冲层 磁控溅射 力学性能 界面结合 摩擦磨损
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Cr掺杂及Cr过渡层对类金刚石薄膜附着力的影响 被引量:24
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作者 孙丽丽 代伟 +1 位作者 张栋 汪爱英 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期26-28,34,共4页
采用线性离子束复合磁控溅射的混合PVD技术制备了含Cr过渡层以及Cr掺杂的DLC薄膜,并测量了其厚度、残余应力、结合力、摩擦因数等性能。划痕测试的结果表明,增加过渡层后薄膜的结合状况得到了明显改善,其残余应力也有所下降,Cr掺杂的DL... 采用线性离子束复合磁控溅射的混合PVD技术制备了含Cr过渡层以及Cr掺杂的DLC薄膜,并测量了其厚度、残余应力、结合力、摩擦因数等性能。划痕测试的结果表明,增加过渡层后薄膜的结合状况得到了明显改善,其残余应力也有所下降,Cr掺杂的DLC薄膜残余压应力最低可达0.23GPa。有关结果为强膜基结合力、低应力、大面积的类金刚石薄膜可控制备提供了新的技术思路。 展开更多
关键词 类金刚石膜 cr掺杂 过渡层 结合力 残余应力
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Ni-Cr衬底上MOCVD法制备YSZ过渡层的研究
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作者 罗乐 袁美萍 +1 位作者 叶常青 钱长涛 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第4期252-255,共4页
用MOCVD方法在柔性金属衬底上沉积超导膜是潜在的实用高温超导成材方法。用适当方法原位快速地制备有择优取向的防扩散过渡层是其中的关键。本文报导用有机源Y(dpm)_3和Zr(dpm)_4,采用MOCVD方法在Ni基合金... 用MOCVD方法在柔性金属衬底上沉积超导膜是潜在的实用高温超导成材方法。用适当方法原位快速地制备有择优取向的防扩散过渡层是其中的关键。本文报导用有机源Y(dpm)_3和Zr(dpm)_4,采用MOCVD方法在Ni基合金衬底上沉积了Y稳定的ZrO_2立方相过渡层,厚度约0.5μm。文中研究了氧分压和沉积温度对YSZ结晶和择优取向的影响。结果表明,在生长压力为130Pa时,氧分压低至20Pa,制备出(111)取向为主的YSZ多晶膜,氧分压为50~100Pa,则制备出(h00)择优取向为主的YSZ膜。衬底温度太低,将导致YSZ膜质量变差。 展开更多
关键词 MOCVD法 超导膜 YSZ 过渡层 YBCO 薄膜
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Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜微观结构和磁性能的影响
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作者 张敬凌 葛妮娜 +4 位作者 王振 谭士杰 王玉波 邱林俊 徐景 《磁性材料及器件》 CAS 2016年第5期23-27,44,共6页
利用新型AE(Advanced Energy)脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo_5/Cr和Cu/SmCo_5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过... 利用新型AE(Advanced Energy)脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo_5/Cr和Cu/SmCo_5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过对样品在650℃退火60min,可以获得较良好的硬磁性能,垂直膜面的矫顽力可以达到1308Oe。以Cr作为缓冲层时,在低于2×10^(-5)Pa的真空环境中,且在650℃退火60min便制备出样品。随后分别改变Cr缓冲层的厚度和SmCo_5的厚度并观察其对Cr/SmCo_5/Cr的磁性能的影响。 展开更多
关键词 cr(Cu)/SmCo5/cr薄膜 缓冲层 结构 磁性能
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铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米结构的影响
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作者 罗银燕 朱贤方 《光谱实验室》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期2207-2210,共4页
研究了铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响。首先利用自组装的方法在玻璃基底上制备出单层排列的聚苯乙烯纳米球阵列,然后使用物理气相沉积的方法在二维聚苯乙烯纳米球阵列上沉积一层铬层作过渡层和银层,最后将玻璃基... 研究了铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响。首先利用自组装的方法在玻璃基底上制备出单层排列的聚苯乙烯纳米球阵列,然后使用物理气相沉积的方法在二维聚苯乙烯纳米球阵列上沉积一层铬层作过渡层和银层,最后将玻璃基底在乙醇溶液中超声移除聚苯乙烯纳米球,得到二维的银纳米点阵。实验发现,随着铬过渡层厚度的增加,制得的二维银纳米点阵阵列趋于完整,单个的银纳米颗粒由椭圆状转变为三角形形状。实验中测量了所得到的二维银纳米结构的吸收光谱。 展开更多
关键词 银纳米点阵 纳米球刻蚀 铬过渡层 吸收光谱
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