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CoolSiC^(TM)2000V SiC沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准
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《变频器世界》 2025年第8期53-56,共4页
本文介绍了新的CoolSiC^(TM)2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装,具有加大的爬电距离和电气间隙,使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACKTM3B封装的升压模块。这些产品的... 本文介绍了新的CoolSiC^(TM)2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装,具有加大的爬电距离和电气间隙,使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACKTM3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度,可靠性和效率,并简化了设计。 展开更多
关键词 coolsic 2000V SiC沟槽栅MOSFET TO-247PLUS-4-HCC封装
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英飞凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V单管新产品
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《半导体信息》 2019年第3期12-13,共2页
2019年5月7日,英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiCTM MOSFET1200V单管新产品。新产品导通电阻从30mΩ到350mΩ不等,拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外,表面贴封装(SMD)和CoolSiCTM MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这... 2019年5月7日,英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiCTM MOSFET1200V单管新产品。新产品导通电阻从30mΩ到350mΩ不等,拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外,表面贴封装(SMD)和CoolSiCTM MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这些产品. 展开更多
关键词 MOSFET 1200V coolsic TM
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3
《汽车之友》 2025年第6期16-17,共2页
英飞凌推出全新CoolSiC TM JFET技术。5月5日,英飞凌发布全新CoolSiC^(TM) JFET系列,具备低导通损耗、强短路能力和线性模式下热稳定性,支持精准过压控制。适用于固态断路器、AI数据中心热插拔、电熔丝、电池断电开关等,助力固态电源系... 英飞凌推出全新CoolSiC TM JFET技术。5月5日,英飞凌发布全新CoolSiC^(TM) JFET系列,具备低导通损耗、强短路能力和线性模式下热稳定性,支持精准过压控制。适用于固态断路器、AI数据中心热插拔、电熔丝、电池断电开关等,助力固态电源系统高效稳定运行。 展开更多
关键词 coolsic 低导通损耗 线性模式 强短路能力
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