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英飞凌推出采用新型硅封装的CoolGaN^(TM)G3晶体管
1
《变频器世界》 2025年第3期50-50,共1页
氮化(GaN)技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止,GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异,产品十分零散,客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题,英飞凌推出采用RQFN5x6封装的Co0IGaN^(TM)G3 100V(IGD0... 氮化(GaN)技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止,GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异,产品十分零散,客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题,英飞凌推出采用RQFN5x6封装的Co0IGaN^(TM)G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN^(TM)G3 80V(IGE033 S08S1)高性能GaN晶体管。 展开更多
关键词 coolgang3 RQFN5x6封装 RQFN 3.3x3.3封装
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