采用熔盐法制备α-Al_(2)O_(3),采用硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)对α-Al_(2)O_(3)进行表面改性,得到KH-α-Al_(2)O_(3)。以低密度聚乙烯(LDPE)为基体、不同的α-Al_(2)O_(3)为添加剂,制备α-Al_(2)O_(3)/XLPE和KH-α-Al_(2)...采用熔盐法制备α-Al_(2)O_(3),采用硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)对α-Al_(2)O_(3)进行表面改性,得到KH-α-Al_(2)O_(3)。以低密度聚乙烯(LDPE)为基体、不同的α-Al_(2)O_(3)为添加剂,制备α-Al_(2)O_(3)/XLPE和KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料。对α-Al_(2)O_(3)和KH-α-Al_(2)O_(3)的晶体结构、微观结构以及基团进行分析,考察不同α-Al_(2)O_(3)含量对α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料电学性能和热学性能的影响。结果表明:熔盐法制备的α-Al_(2)O_(3)是具有六方结构、结晶度高、直径5~10μm的不规则圆片,KH550的改性不会造成α-Al_(2)O_(3)结晶度的变化。KH-α-Al_(2)O_(3)在KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料中沿材料厚度方向排列,且分散更为均匀,有利于抑制电荷在基体中的传输。KH-α-Al_(2)O_(3)有利于提高XLPE的直流击穿场强和直流电导率。当KH-α-Al_(2)O_(3)的添加质量分数为1.5%时,KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE的直流击穿场强达到320 k V/mm,电导率为1.043×10^(-13)S/m。KH-α-Al_(2)O_(3)的引入使XLPE基体和KH-α-Al_(2)O_(3)之间的界面产生一定数量的陷阱,有效实现了对注入电荷的抑制。KH-α-Al_(2)O_(3)可以明显降低XLPE的热失重速率,提高KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料热稳定性。当KH-α-Al_(2)O_(3)的质量分数达到1.5%时,分解温度升高至475.44℃,90℃条件下的导热系数从0.390 W/(m·K)增加到0.545 W/(m·K)。展开更多
文摘采用熔盐法制备α-Al_(2)O_(3),采用硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)对α-Al_(2)O_(3)进行表面改性,得到KH-α-Al_(2)O_(3)。以低密度聚乙烯(LDPE)为基体、不同的α-Al_(2)O_(3)为添加剂,制备α-Al_(2)O_(3)/XLPE和KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料。对α-Al_(2)O_(3)和KH-α-Al_(2)O_(3)的晶体结构、微观结构以及基团进行分析,考察不同α-Al_(2)O_(3)含量对α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料电学性能和热学性能的影响。结果表明:熔盐法制备的α-Al_(2)O_(3)是具有六方结构、结晶度高、直径5~10μm的不规则圆片,KH550的改性不会造成α-Al_(2)O_(3)结晶度的变化。KH-α-Al_(2)O_(3)在KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料中沿材料厚度方向排列,且分散更为均匀,有利于抑制电荷在基体中的传输。KH-α-Al_(2)O_(3)有利于提高XLPE的直流击穿场强和直流电导率。当KH-α-Al_(2)O_(3)的添加质量分数为1.5%时,KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE的直流击穿场强达到320 k V/mm,电导率为1.043×10^(-13)S/m。KH-α-Al_(2)O_(3)的引入使XLPE基体和KH-α-Al_(2)O_(3)之间的界面产生一定数量的陷阱,有效实现了对注入电荷的抑制。KH-α-Al_(2)O_(3)可以明显降低XLPE的热失重速率,提高KH-α-Al_(2)O_(3)/XLPE接地线绝缘材料热稳定性。当KH-α-Al_(2)O_(3)的质量分数达到1.5%时,分解温度升高至475.44℃,90℃条件下的导热系数从0.390 W/(m·K)增加到0.545 W/(m·K)。
