设计了一种新型高性能Class AB开关电流(SI)第一代存储单元电路。电路由对称的电压反转跟随器(FVF)连接Class AB SI存储单元组成,输入级采用电流传输器结构,输出级采用可调共源共栅结构,电路具有误差小、功耗低、性能高等特点。基于此...设计了一种新型高性能Class AB开关电流(SI)第一代存储单元电路。电路由对称的电压反转跟随器(FVF)连接Class AB SI存储单元组成,输入级采用电流传输器结构,输出级采用可调共源共栅结构,电路具有误差小、功耗低、性能高等特点。基于此存储单元,设计了延时器和双线性积分器进行验证。电路采用SMIC 0.18μm工艺,在Spectre中进行仿真。结果表明,该存储单元具有较好的性能和应用价值。展开更多
文摘设计了一种新型高性能Class AB开关电流(SI)第一代存储单元电路。电路由对称的电压反转跟随器(FVF)连接Class AB SI存储单元组成,输入级采用电流传输器结构,输出级采用可调共源共栅结构,电路具有误差小、功耗低、性能高等特点。基于此存储单元,设计了延时器和双线性积分器进行验证。电路采用SMIC 0.18μm工艺,在Spectre中进行仿真。结果表明,该存储单元具有较好的性能和应用价值。
