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夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料微波介电响应机理研究 被引量：2
1
作者 周伟 肖鹏 罗衡 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期86-90,共5页
以短切炭纤维、氮化硅为原料,采用凝胶注模工艺,在1600℃、N2气氛下无压烧结制备了夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料。采用网络矢量分析仪测试了夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料在X波段的介电响应行为,并通过理论建模深入分析了该复合材料的微波... 以短切炭纤维、氮化硅为原料,采用凝胶注模工艺,在1600℃、N2气氛下无压烧结制备了夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料。采用网络矢量分析仪测试了夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料在X波段的介电响应行为,并通过理论建模深入分析了该复合材料的微波介电响应机理。结果表明:短切炭纤维呈二维分布的夹层结构,Cf-Si_3N_4复合材料介电常数随着炭纤维面密度增加存在"阈值"现象。通过修正Debye模型,提出了夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料在炭纤维形成导通网络后的介电响应理论模型,揭示了夹层结构Cf-Si_3N_4复合材料介电损耗频散特性的机理。研究结果还表明,在短切炭纤维刚刚形成导通网络时,复合材料的弛豫时间存在较大分散性,介电常数可采用多弛豫时间函数分段描述法。随着炭纤维面密度逐步增加,弛豫时间的分散性减小,分段弛豫时间函数演化成单一弛豫时间理论模型。 展开更多
关键词 夹层结构 cf-si3n4复合材料 介电响应机理 弛豫时间
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不同裂解升温速率制备的C_f/Si_3N_4复合材料性能研究 被引量：2
2
作者 郑文伟 陈朝辉 +1 位作者 方晖 马青松 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期22-24,28,共4页
以聚硅氮烷为先驱体 ,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对制备 3D- B Cf/Si3N4 复合材料性能的影响。结果表明 :随着裂解升温速率的提高 ,陶瓷基复合材料的力学性能明显提高 ,以 10℃ /min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的弯曲... 以聚硅氮烷为先驱体 ,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对制备 3D- B Cf/Si3N4 复合材料性能的影响。结果表明 :随着裂解升温速率的提高 ,陶瓷基复合材料的力学性能明显提高 ,以 10℃ /min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的弯曲强度达 6 0 4 展开更多
关键词 cf/si3n4 陶瓷基复合材料 裂解升温速率 聚硅氮烷 力学性能 碳 氮化硅
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碳纤维复合Si_3N_4陶瓷材料的制备及性能研究(英文)
3
作者 王贺云 刘茜 +2 位作者 周遥 周真真 刘光辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1003-1008,共6页
为研究碳纤维（Cf）加入量对复合材料性能的影响,本研究以Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结技术制备了Cf/Si3N4复合材料,其中碳纤维加入量为0、2wt%和5wt%。选用乙醇作分散介质,通过球磨工艺可有效分散短切碳纤维。研究结果表明：碳纤维在... 为研究碳纤维（Cf）加入量对复合材料性能的影响,本研究以Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结技术制备了Cf/Si3N4复合材料,其中碳纤维加入量为0、2wt%和5wt%。选用乙醇作分散介质,通过球磨工艺可有效分散短切碳纤维。研究结果表明：碳纤维在复合材料中分散均匀,且材料中的晶粒在垂直于热压压力的方向呈现一定取向排列。高温烧结过程中,碳纤维与Si3N4或其表面的SiO2层发生反应,生成SiC中间层。适量碳纤维加入有助于提高复合材料的热导性能。当Cf加入量为2wt%时,Cf/Si3N4的热导率较高,为45.8 W/（m K）;而不添加Cf的样品,其热导率为37.1 W/（m K）。加入Cf后,Cf/Si3N4的断裂韧性有小幅提高,维氏硬度在16.6-16.8 GPa范围内变化。 展开更多
关键词 cf/si3n4复合材料 热压烧结 界面反应 热导 力学性能
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(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷的制备及性能
4
作者 肖伟玲 肖鹏 +2 位作者 周伟 罗衡 李杨 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期34-38,共5页
采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)C_f形貌的影响。同时研究了(SiC)C_f的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC)C_f含量达到10wt%时... 采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)C_f形貌的影响。同时研究了(SiC)C_f的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC)C_f含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si_3N_4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m^(1/2),介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15~18,虚部约为6~8;反射衰减随(SiC)C_f的含量和厚度的增加而向低频移动。 展开更多
关键词 siC cf si3n4 力学性能 介电性能
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碳纤维增韧增强氮化硅陶瓷基复合材料力学性能的数值模拟 被引量：2
5
作者 匡加才 张长瑞 江大志 《高科技纤维与应用》 CAS 2002年第3期31-33,共3页
斟于基体平均应力法以及等效夹杂法,提出了种求连续相材料的应力和应变T anakke-Mori Eshelby 1的近似理论,由此可精确评估两相和相复合材料的力学性能。本文利用计算机模拟对碳纤维增韧的氮化硅复3合材料(Cf/Si3N4的弹性模量、剪切模... 斟于基体平均应力法以及等效夹杂法,提出了种求连续相材料的应力和应变T anakke-Mori Eshelby 1的近似理论,由此可精确评估两相和相复合材料的力学性能。本文利用计算机模拟对碳纤维增韧的氮化硅复3合材料(Cf/Si3N4的弹性模量、剪切模量和泊松比进行理论计算,从其内部微观结构出发,探讨了不同相含)量、气孔的含量以及形状等对复合材料学性能的影响。 展开更多
关键词 碳纤维 增韧 增强 氮化硅陶瓷基复合材料 力学性能 Tanake-Mori原理 数值模拟
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