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CeSi_2薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性 被引量：3
1
作者 程国安 徐松兰 +3 位作者 叶敦茹 朱景环 肖志松 曾庆城 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期36-41,共6页
将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层，选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2．CeSi2的结晶程度随注... 将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层，选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2．CeSi2的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完整．用远紫外光激发得到了室温蓝紫色PL谱．以红光（650～700nm）激发，则上转换蓝光和紫光发射的效率较高，其发光特性比较稳定．蓝光和紫光受激发射峰的强度随注入剂量的增加而迅速增加． 展开更多
关键词 cesi2 离子束合成 光致蓝紫光谱 薄膜 室温
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Ce对Mg-3Al-2.5Si合金中初生Mg_2Si相的变质作用与机理 被引量：5
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作者 李克 李健 +1 位作者 胡斐 夏智 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2019年第1期19-24,共6页
采用金相光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射(XRD)等手段,研究了不同Ce含量对Mg-3Al-2. 5Si合金中初生Mg_2Si相的变质效果。结果表明,加入适量Ce可以有效细化初生Mg_2Si相,初生Mg_2Si逐步由"骨骼枝"... 采用金相光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射(XRD)等手段,研究了不同Ce含量对Mg-3Al-2. 5Si合金中初生Mg_2Si相的变质效果。结果表明,加入适量Ce可以有效细化初生Mg_2Si相,初生Mg_2Si逐步由"骨骼枝"状和"花瓣"状向细小规则的多边形状转变。Ce的加入量为0. 2%和0. 6%时,对初生Mg_2Si相的变质机理主要以"吸附毒化"机制为主。当Ce加入量为1%时,对初生Mg_2Si相的变质和细化效果最好,尺寸减小到18μm以下。合金基体中形成了大量细小短杆状CeSi_2相,可成为初生Mg_2Si的有效形核核心,此时Ce对初生Mg_2Si的变质有"吸附毒化"和异质形核机制两方面作用;当Ce加入量超过1. 6%时,初生Mg_2Si再次粗化,表现出过变质效果。 展开更多
关键词 耐热镁合金 异质形核 初生Mg2Si相 cesi2
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