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Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究 被引量:16
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作者 冯大建 丁雨憧 +3 位作者 刘军 李和新 付昌禄 胡少勤 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期430-432,共3页
采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm... 采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。 展开更多
关键词 闪烁晶体 石榴石 ce:gagg 提拉法 光输出
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不同厚度Ce:GAGG闪烁晶体性能研究 被引量:3
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作者 王强 丁雨憧 +4 位作者 屈菁菁 王璐 董鸿林 方承丽 毛世平 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期259-264,共6页
选择不同厚度的Ce:GAGG闪烁晶体(2,4,6,8,10 mm),通过透过率测试分析自吸收对Ce:GAGG闪烁晶体性能的影响,同时研究晶体表面不同粗糙度、不同封装、不同耦合方式对Ce:GAGG闪烁晶体光输出、能量分辨率的影响。实验结果表明通过优化Ce:GAG... 选择不同厚度的Ce:GAGG闪烁晶体(2,4,6,8,10 mm),通过透过率测试分析自吸收对Ce:GAGG闪烁晶体性能的影响,同时研究晶体表面不同粗糙度、不同封装、不同耦合方式对Ce:GAGG闪烁晶体光输出、能量分辨率的影响。实验结果表明通过优化Ce:GAGG闪烁晶体样品表面粗糙度、封装反射层和耦合方式,能大幅度提高Ce:GAGG闪烁晶体样品的光输出和能量分辨率。使用137Cs标准放射源,测试得到Ce:GAGG闪烁晶体样品的最佳能量分辨率为7.0%。 展开更多
关键词 材料 ce:gagg闪烁晶体 透过率 光输出 能量分辨率
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Development of a Gamma Spectroscopy Detector Based on SiPMs and 1" Ce:GAGG Scintillator
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作者 Qiang Wang Zetao Zhang +6 位作者 Yuchong Ding Xuanhou Hu Xiong Xiao Biao Wang Jingjing Qu Qianyin Wan Yang Xu 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2023年第7期2156-2164,共9页
In the field of nuclear radiation detection, sodium iodide (NaI(Tl)) and lanthanum bromide (LaBr<sub>3</sub>) are the primary scintillation crystals used for energy spectrum detectors. Furthermore, energy ... In the field of nuclear radiation detection, sodium iodide (NaI(Tl)) and lanthanum bromide (LaBr<sub>3</sub>) are the primary scintillation crystals used for energy spectrum detectors. Furthermore, energy spectrum detectors based on gadolinium gallium aluminum garnet (Ce:GAGG) scintillation crystals are minor. In this work, a 1-inch Ce:GAGG and Silicon Photomultipliers (SiPMs) are employed to construct a detector, and the coupled medium was silicone oil. An optimal SiPMs quantity scheme for the energy resolution was determined by varying the number of SiPMs coupled to Ce:GAGG and studying the effect of the different number of SiPMs on the energy resolution of the detector. Energy-resolution contrast experiments between Ce:GAGG and NaI(Tl) were performed using this scheme. The experimental results demonstrate that increasing the number of SiPMs enhances the energy resolution of the detector significantly. Notably, the energy resolution of the Ce:GAGG detector is comparable to that of the NaI(Tl) detector. Additionally, both detectors exhibit an energy linearity exceeding 99.9%. . 展开更多
关键词 ce:gagg Gamma Spectroscopy DETECTOR SiPMs Energy Resolution
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Zn2+掺杂对共沉淀法制备Ce:Gd3Ga3Al2O12陶瓷粉体闪烁性能的影响 被引量:1
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作者 邱智华 张鲜辉 +2 位作者 王帅华 吴少凡 林永红 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期761-768,共8页
利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发... 利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响。研究表明:前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO3相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20~60nm,分布均匀;随着Zn2+含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn2+含量为0.4 mol%时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn2+掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势。因此,Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义。 展开更多
关键词 共沉淀法 前驱粉体 ce:gagg陶瓷粉体 Zn2+共掺杂
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