本文用 Van der pauw 法在77～300k 的温度范围内测试了 CdTe∶Al 材料的霍尔电学特性。实验测得 Al 杂质施主能级为0.010eV,最大霍尔迁移率为1.8×10~3cm^2/V·s,实验结果表明高掺杂样品中存在明显的“离化杂质浓度效应”。文...本文用 Van der pauw 法在77～300k 的温度范围内测试了 CdTe∶Al 材料的霍尔电学特性。实验测得 Al 杂质施主能级为0.010eV,最大霍尔迁移率为1.8×10~3cm^2/V·s,实验结果表明高掺杂样品中存在明显的“离化杂质浓度效应”。文中还讨论了 CdTe∶Al 中的杂质补偿问题以及载流子的散射机理,并给出了霍尔系数、迁移率等有关参数与温度的关系。展开更多
文摘本文用 Van der pauw 法在77～300k 的温度范围内测试了 CdTe∶Al 材料的霍尔电学特性。实验测得 Al 杂质施主能级为0.010eV,最大霍尔迁移率为1.8×10~3cm^2/V·s,实验结果表明高掺杂样品中存在明显的“离化杂质浓度效应”。文中还讨论了 CdTe∶Al 中的杂质补偿问题以及载流子的散射机理,并给出了霍尔系数、迁移率等有关参数与温度的关系。
