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Localized-states quantum confinement induced by roughness in CdMnTe/CdTe heterostructures grown on Si(111) substrates
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作者 Leonarde N.Rodrigues Wesley F.Inoch +3 位作者 Marcos L.F.Gomes Odilon D.D.Couto Jr. Bráulio S.Archanjo Sukarno O.Ferreira 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第9期28-35,共8页
This work shows that despite a lattice mismatch of almost 20%, CdMnTe/CdTe/CdMnTe heterostructures grown directly on Si(111) have surprisingly good optical emission properties. The investigated structures were grown b... This work shows that despite a lattice mismatch of almost 20%, CdMnTe/CdTe/CdMnTe heterostructures grown directly on Si(111) have surprisingly good optical emission properties. The investigated structures were grown by molecular beam epitaxy and characterized by scanning transmission electron microscopy, macro-and micro-photoluminescence. Low temperature macro-photoluminescence experiments indicate three emission bands which depend on the CdTe layer thickness and have different confinement characteristics. Temperature measurements reveal that the lower energy emission band (at 1.48 eV)is associated to defects and bound exciton states, while the main emission at 1.61 eV has a weak 2D character and the higher energy one at 1.71 eV has a well-defined (zero-dimensional, 0D) 0D nature. Micro-photoluminescence measurements show the existence of sharp and strongly circularly polarized (up to 40%) emission lines which can be related to the presence of Mn in the heterostructure. This result opens the possibility of producing photon sources with the typical spin control of the diluted magnetic semiconductors using the low-cost silicon technology. 展开更多
关键词 cdmnte/cdte/cdmnte heterostructure cdte/cdmnte quantum emitters quantum dot-like emission silicon(111)substrate
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CdTe/CdMnTe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究
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作者 张希清 梅增霞 +1 位作者 段宁 ZK Tang 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期275-276,共2页
用分子束外延在GeAs衬底上生长了 CdTe/Cd0.8Mn0.2多量子阱结构。利用X射线衍射(XRD)、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的 ps时间分辨光谱研究了 CdTe/CdMnTe多量子阱的结构和激子复合特性... 用分子束外延在GeAs衬底上生长了 CdTe/Cd0.8Mn0.2多量子阱结构。利用X射线衍射(XRD)、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的 ps时间分辨光谱研究了 CdTe/CdMnTe多量子阱的结构和激子复合特性。在变密度激发的ps时间分辨光谱中,发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的。 展开更多
关键词 cdte/cdmnte 量子阱 激子复合 动力学 半导体
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In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响 被引量:1
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作者 张继军 王领航 +2 位作者 王涛 曾冬梅 介万奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1030-1033,共4页
采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体(CdMnTe:In)和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体(CdMnTe)。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结构,半峰宽为40~80arc Sec,位错密度为100~1... 采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体(CdMnTe:In)和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体(CdMnTe)。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结构,半峰宽为40~80arc Sec,位错密度为100~100cm^-2,结晶质量良好.In掺杂不影响晶体的结构和结晶质量。电流.电压(I-V)测试表明,CdMnTe:In晶体的电阻率为1~3×10^9Ω·cm,与CdMnTe晶体相比上升了3个数量级.近红外光透过光谱(IR transmission)研究发现In掺杂后CdMnTe晶体红外透过率降低,在波数范围4000~1000cm^-1,CdMnTe晶体红外透过率为51.2%~56.4%,而CdMnTe:In的红外透光率为15.4%~6%。 展开更多
关键词 cdmnte In掺杂 X射线衍射 电阻率 红外透过率
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CdS/CdMnTe太阳能电池异质结界面与光电性能的第一性原理计算 被引量:1
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作者 栾丽君 何易 +1 位作者 王涛 Liu Zong-Wen 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第16期225-234,共10页
CdS/CdMnTe异质结是具有集成分立光谱结构的叠层电池的"核芯"元件,是驱动第三代太阳能电池发展的核心引擎,其界面相互作用对大幅度提高太阳能电池的转换效率至关重要.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算构建CdS(002),C... CdS/CdMnTe异质结是具有集成分立光谱结构的叠层电池的"核芯"元件,是驱动第三代太阳能电池发展的核心引擎,其界面相互作用对大幅度提高太阳能电池的转换效率至关重要.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算构建CdS(002),CdMnTe(111)表面模型及Mn原子占据不同位置的CdS/CdMnTe异质结界面结构模型,分析CdS(002),CdMnTe(111)表面及异质结界面的电子性质和光学性质.晶格结构分析表明,CdS/CdMnTe异质结的晶格失配度约为3.5%,弛豫后原子位置与键长均在界面处发生一定程度的变化.态密度分析发现异质结界面的费米能级附近不存在界面态,并且界面处的Cd,S,Te原子之间的轨道杂化可增强界面的结合能力.差分电荷密度分析显示,界面处发生了电荷的重新分配,电子由CdMnTe转移到CdS侧.光学分析显示,CdS/CdMnTe异质结主要吸收紫外光,吸收系数可达105 cm^(-1),但不同Mn原子位置的异质结光学性质也稍有差别.在200—250 nm范围,Mn原子位于中间层的异质结的吸收系数更大,但在250—900 nm范围内,Mn原子位于界面层的异质结吸收峰更高.本文合理构建了CdS/CdMnTe异质结模型,计算分析了其界面光电性能,可为提高叠层电池的光电转换效率提供一定的理论参考,为实现多带隙异质结的实验研究提供一定的理论依据. 展开更多
关键词 CdS/cdmnte异质结 第一性原理计算 态密度 光学性质
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Te溶剂Bridgman法CdMnTe晶体核辐射探测器的制备和表征 被引量:2
5
作者 杜园园 姜维春 +1 位作者 陈晓 雒涛 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第10期1892-1899,共8页
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对^(24... 碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对^(241)Am@59.5 keVγ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×10^(10)Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对^(241)Am@59.5 keVγ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10^(-3)cm^(2)/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。 展开更多
关键词 碲锰镉 Te溶剂Bridgman法 红外透过率 钝化 漏电流 核辐射探测器 能量分辨率
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移动加热器法生长CdMnTe晶体的性能研究 被引量:2
6
作者 沈萍 张继军 +3 位作者 王林军 沈敏 梁巍 孟华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期13-18,共6页
采用垂直布里奇曼法(VB)生长CdMnTe晶体,由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素,晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等,限制其在核辐射探测器方面的应用。为了提高晶体的质量,本文采用移动加热器法(travelling heater met... 采用垂直布里奇曼法(VB)生长CdMnTe晶体,由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素,晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等,限制其在核辐射探测器方面的应用。为了提高晶体的质量,本文采用移动加热器法(travelling heater method,THM)生长CdMnTe晶体,对该方法生长的晶体中Mn的轴向分布、杂质浓度、Te夹杂和电学性能进行测试分析,并与VB法生长的晶体作对比。结果表明THM法生长的CdMnTe晶体中Mn的轴向分布均匀,杂质浓度低于VB法制得的晶体,Te夹杂的尺寸5~25μm,浓度10^3cm^-3,电阻率为10^9-10^10Ω·cm,导电类型为弱n型,制备的探测器在室温下对蝴Am放射源有能谱响应。实验表明THM法生长的CMT晶体在晶体质量和电学性能方面明显优于VB法。 展开更多
关键词 cdmnte 移动加热器法 垂直布里奇曼法 Te夹杂 电学性能
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移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究(英文) 被引量:3
7
作者 梁巍 王林军 +3 位作者 张继军 秦凯丰 赖建明 吴文其 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期872-878,共7页
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te(CMT)和Cd0.9Zn0.1Te(CZT)单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×10^9~6.2×10^10Ω·cm。CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合... 采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te(CMT)和Cd0.9Zn0.1Te(CZT)单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×10^9~6.2×10^10Ω·cm。CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23。富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4~14.4 ppm范围内。红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5~24μm,浓度为105cm-3。除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大。制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV 241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2%和24.6%。 展开更多
关键词 碲锰镉 碲锌镉 移动加热器法 电阻率
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Growth interface of CdMnTe crystal by traveling heater method 被引量:1
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作者 吴文其 张继军 +5 位作者 王林军 闵嘉华 温旭亮 梁小燕 黄建 唐可 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期1433-1438,共6页
The growth interfaces of CdMnTe(CMT) crystals grown by traveling heater method(THM) were studied. Two types of polycrystalline CMT feed ingots synthesized in a traditional rocking furnace and vertical Bridgman(VB... The growth interfaces of CdMnTe(CMT) crystals grown by traveling heater method(THM) were studied. Two types of polycrystalline CMT feed ingots synthesized in a traditional rocking furnace and vertical Bridgman(VB) furnace were adopted in THM growth, and the effects of the polycrystalline feed on the growth interface were revealed. The morphology of the growth interface of CMT crystal(CMT2) grown from the feed by vertical Bridgman was smoother with lower curvature compared with that of CMT crystal(CMT1) from the feed by rocking furnace. The radial Mn composition and Te inclusion distribution of the CMT wafers were analyzed and correlated to the growth interface. The Mn segregation along the radial direction and Te inclusion density of CMT2 were lower than those of CMT1. The VB method synthesized polycrystalline feed could improve the growth interface morphology, which is beneficial for decreasing the Te inclusions and Mn segregation in CMT wafers. 展开更多
关键词 cdmnte traveling heater method growth interface polycrystalline feed material
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Au电极与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究
9
作者 沈敏 张继军 +3 位作者 王林军 闵嘉华 汪琳 梁小燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期8217-8221,共5页
采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响。结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光... 采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响。结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光后Au/CdMnTe的接触电阻率分别为544.5和89.0Ω·cm2。通过AFM与XPS分析了晶体表面的形貌与成分,发现表面粗糙度和富Te成分对CdMnTe薄层电阻和载流子传输长度有较大的影响,决定了接触电阻率的大小。在150℃空气气氛退火1h后,经CP和CMP表面处理的样品,Au/CdMnTe接触电阻率均减小,分别为313.6和30.2Ω·cm2。退火促进了Au向CdMnTe晶体的扩散,使接触电阻率进一步降低,欧姆接触性能提高。 展开更多
关键词 碲锰镉 接触电阻率 化学抛光 化学机械抛光 退火
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Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe多量子阱的光反射研究
10
作者 章灵军 单伟 +1 位作者 姜山 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期171-179,共9页
本文首次报道用光调制光谱(PR)研究了Cd1-xMnxTe/GdTe半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁,观察到多量子阱的各子能级激子跃迁11H.11L,22H,33H等,并得到轻重空穴分裂为18meV.当能带偏移... 本文首次报道用光调制光谱(PR)研究了Cd1-xMnxTe/GdTe半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁,观察到多量子阱的各子能级激子跃迁11H.11L,22H,33H等,并得到轻重空穴分裂为18meV.当能带偏移Qc=0.90时,理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好.发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强,并给出了初步解释,通过变温测量,测得各子能级的温度系数并与纯CdTe及Cd1-xMaxTe混晶体材料的温度系数作了比较. 展开更多
关键词 cdmnte/cdte 量子阱 能带结构
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Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉第旋转效应 被引量:4
11
作者 陈辰嘉 王学忠 +3 位作者 刘继周 高蔚 徐灵戈 马可军 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期101-106,共6页
测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn^(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂... 测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn^(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。 展开更多
关键词 半磁半导体 cdmnte 法拉第效应
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半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe深能级的研究
12
作者 凌志华 景玉梅 +1 位作者 黄锡珉 马凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第1期39-43,共5页
通过测量半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在77~300K温度范围的电导率变化,得到了晶体的一个受主深能级约为0.18ev左右,并通过分析以及退火后的电导率的测量,认为它可能是由[V_(Cd) ̄(2-)D ̄... 通过测量半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在77~300K温度范围的电导率变化,得到了晶体的一个受主深能级约为0.18ev左右,并通过分析以及退火后的电导率的测量,认为它可能是由[V_(Cd) ̄(2-)D ̄+]引起的,同时通过VanderPaul法,对Cd_(1-x)Mn_xTe晶体进行了室温下的霍耳效应测量,得到了它的一些电学参数。 展开更多
关键词 半磁性 半导体 深能级 cdmnte
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Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe时界面稳定性的讨论
13
作者 莫要武 吴汶海 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第1期78-85,共8页
用Mullins和Sekerka的线性动力学理论定性探讨了Te溶液生长半磁半导体Cd_(1Mn_xTe时固-液界面的稳定性.并在自行设计的旋转式液相外延装置中,用CdTe作籽晶,利用失稳小平面的长厚,富Te溶液生长了C... 用Mullins和Sekerka的线性动力学理论定性探讨了Te溶液生长半磁半导体Cd_(1Mn_xTe时固-液界面的稳定性.并在自行设计的旋转式液相外延装置中,用CdTe作籽晶,利用失稳小平面的长厚,富Te溶液生长了CdMnTe晶膜,其面积为0.5cm ̄2,厚度~0.4mm.分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因,最后探讨了获得稳定液相外延的条件. 展开更多
关键词 溶液生长 半磁半导体 界面 稳定性 cdmnte
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Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究
14
作者 莫要武 吴汶海 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期107-111,共5页
测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2... 测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2+3d(4T1)能级出现在Cd1-xMnxTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。 展开更多
关键词 溶液生长 半磁半导体 光学性质 碲锰镉半导体
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Cd_(1-x)Mn_xTe单晶生长特性的研究及其生长条件的选择
15
作者 马国立 郭喜平 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期30-32,共3页
以MnTe—CdTe伪二元相图为基础,分析了单晶生长过程中的分凝特性及扩散规律,从成分过冷的角度讨论了生长界面的稳定性,最后就生长过程中存在的其它问题做了简要探讨,并给出其技术解决方法。
关键词 碲锰镉 布里奇曼法 单晶生长 溶质再分配 分凝
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Defects in CdMnTe crystals for nuclear detector applications 被引量:1
16
作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 徐亚东 郑昕 王涛 于晖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第4期15-19,共5页
A laser scanning confocal microscope (LSCM) and a field-emission scanning electron microscope (FE- SEM) were used to study the defects in CdMnTe crystals, such as twin boundaries, Te inclusions, and dislocations. ... A laser scanning confocal microscope (LSCM) and a field-emission scanning electron microscope (FE- SEM) were used to study the defects in CdMnTe crystals, such as twin boundaries, Te inclusions, and dislocations. Twin boundaries were usually decorated with Te inclusions, which could induce dislocations. The optical, elec- trical properties and detector performance of CdMnTe crystals with twins and free of twins were compared. The results showed that the wafers with a high density of twins usually had lower average IR transmittance and poorer crystalline quality. Besides, the energy spectra indicated that twin boundaries in a CdMnTe detector had a negative effect on detector performance; the values of both the energy resolution and (μτ)e were nearly half of those for a single crystal detector. 展开更多
关键词 cdmnte twin boundary Te inclusions dislocations detector response
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Characterization of CdMnTe radiation detectors using current and charge transients
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作者 R.Rafiei M.I.Reinhard +7 位作者 A.Sarbutt S.Uxa D.Boardman G.C.Watt E.Belas K.Kim A.E.Bolotnikov R.B.James 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第7期19-25,共7页
Charge transport characteristics of Cd_(0.95)Mn_(0.05)Te:In radiation detectors have been evaluated by combining time resolved current transient measurements with time of flight charge transient measurements.The ... Charge transport characteristics of Cd_(0.95)Mn_(0.05)Te:In radiation detectors have been evaluated by combining time resolved current transient measurements with time of flight charge transient measurements.The shapes of the measured current pulses have been interpreted with respect to a concentration of net positive space-charge, which has resulted in an electric field gradient across the detector bulk.From the recorded current pulses the charge collection efficiency of the detector was found to approach 100%.From the evolution of the charge collection efficiency with applied bias,the electron mobility-lifetime product ofμ_nτ_n =(8.5±0.4)×10^(-4) cm^2/V has been estimated.The electron transit time was determined using both transient current technique and time of flight measurements in the bias range of 100-1900 V.From the dependence of drift velocity on applied electric field the electron mobility was found to beμ_n =(718±55) cm^2/(V·s) at room temperature. 展开更多
关键词 radiation detector cdmnte CMT detector fabrication transient current technique time of flighttechnique
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用特种退火改善Cd1—xMnxTe晶体质量
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作者 晓晔 《电子材料快报》 1999年第2期2-4,共3页
关键词 半磁半导体 cdmnte晶体 特种退火法
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