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CdGeAs_2晶体的热膨胀行为研究
1
作者
甄珍
赵北君
+5 位作者
朱世富
何知宇
陈宝军
黄巍
蒲云肖
钟义凯
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期165-170,共6页
采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs_2晶体在320~620 K温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs_2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa〉〉αc〉0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性...
采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs_2晶体在320~620 K温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs_2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa〉〉αc〉0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs_2晶体的晶格常数(a,c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a,Cd-As键长(lCd As)和Ge-As键长(lGe As)以及相应的热膨胀系数αCd As和αGe As。结果表明,a、c、δ、lCd As、lGe As和αCd As均随着温度的升高而增大,c/a和Ge As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd As是αGe As的6.36倍,是造成CdGeAs_2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。
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关键词
cdgeas_2
晶体
热膨胀
四方畸变
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职称材料
红外非线性晶体CdGeAs2多晶合成
被引量:
3
2
作者
戚鸣
吴海信
+3 位作者
王振友
黄昌保
倪友保
张春丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期868-871,891,共5页
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs_2多晶的纯度和质量。本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀...
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs_2多晶的纯度和质量。本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀问题;并在双温区炉中设计了合理的温场,合成了CdGeAs_2多晶料。经X射线粉末衍射分析和晶胞精修表明样品为高纯、单相CdGeAs_2多晶。
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关键词
CdGeAs2
镀碳
多晶合成
双温区
晶胞精修
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职称材料
砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究
3
作者
李佳樨
熊正斌
+5 位作者
肖骁
刘心尧
余孟秋
陈宝军
黄巍
何知宇
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第2期193-199,共7页
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs_(2)多晶合成与单晶生长,生长出∅28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs_(2)单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs_(2)晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉...
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs_(2)多晶合成与单晶生长,生长出∅28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs_(2)单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs_(2)晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征。结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs_(2)多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比。经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs_(2)晶体在11.3μm处的吸收系数为0.117 cm^(-1),经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV。通过变温(110~300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs_(2)晶体在110~300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度p_(H)和霍尔系数R_(H)随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μ_(H)几乎不变。拟合计算出晶体中受主电离能E_(A)=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷。
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关键词
半导体晶体
CdGeAs_(2)晶体
类籽晶技术
布里奇曼法
单晶生长
多晶合成
变温霍尔效应
红外透过谱
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职称材料
CdGeAs_(2)晶体热力性质的第一性原理研究
被引量:
1
4
作者
侯博仁
虞游
《成都信息工程大学学报》
2021年第2期238-243,共6页
采用密度泛函理论和密度泛函微扰理论研究了CdGeAs_(2)晶体的晶格动力学和热力学性质。通过计算给出了布里渊区中Γ点的声子频率和对称性分类,拉曼活性和红外活性的声子频率与实验值和其它理论计算值一致;得到CdGeAs_(2)晶体沿高对称线...
采用密度泛函理论和密度泛函微扰理论研究了CdGeAs_(2)晶体的晶格动力学和热力学性质。通过计算给出了布里渊区中Γ点的声子频率和对称性分类,拉曼活性和红外活性的声子频率与实验值和其它理论计算值一致;得到CdGeAs_(2)晶体沿高对称线的声子色散曲线和相对应的声子态密度。根据计算出的声子态密度并结合准谐近似方法进一步计算出包括声子贡献的赫尔姆赫兹自由能、内能、熵、热容量和热膨胀系数等热力学参量。
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关键词
CdGeAs_(2)
密度泛函理论
第一性原理
声子
热力学性质
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职称材料
题名
CdGeAs_2晶体的热膨胀行为研究
1
作者
甄珍
赵北君
朱世富
何知宇
陈宝军
黄巍
蒲云肖
钟义凯
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期165-170,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(50732005)
国家863计划项目(2007AA03Z443)~~
文摘
采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs_2晶体在320~620 K温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs_2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa〉〉αc〉0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs_2晶体的晶格常数(a,c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a,Cd-As键长(lCd As)和Ge-As键长(lGe As)以及相应的热膨胀系数αCd As和αGe As。结果表明,a、c、δ、lCd As、lGe As和αCd As均随着温度的升高而增大,c/a和Ge As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd As是αGe As的6.36倍,是造成CdGeAs_2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。
关键词
cdgeas_2
晶体
热膨胀
四方畸变
Keywords
CdGeAs2
thermal expansion
tetragonal distortion
分类号
O736 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
红外非线性晶体CdGeAs2多晶合成
被引量:
3
2
作者
戚鸣
吴海信
王振友
黄昌保
倪友保
张春丽
机构
中国科学院安徽光学精密机械研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期868-871,891,共5页
基金
安徽省自然科学基金(1408085MKL55)
文摘
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs_2多晶的纯度和质量。本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀问题;并在双温区炉中设计了合理的温场,合成了CdGeAs_2多晶料。经X射线粉末衍射分析和晶胞精修表明样品为高纯、单相CdGeAs_2多晶。
关键词
CdGeAs2
镀碳
多晶合成
双温区
晶胞精修
Keywords
cdgeas_2
carbon coating
polycrystalline synthetic
two-temperature zone
cell refinement
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究
3
作者
李佳樨
熊正斌
肖骁
刘心尧
余孟秋
陈宝军
黄巍
何知宇
机构
四川大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第2期193-199,共7页
基金
四川省应用基础计划(2016JY0121)。
文摘
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs_(2)多晶合成与单晶生长,生长出∅28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs_(2)单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs_(2)晶片,采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征。结果表明,合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs_(2)多晶,晶片的原子百分比接近于理想化学计量比。经傅里叶变换红外分光光度计测试发现,初生长的CdGeAs_(2)晶体在11.3μm处的吸收系数为0.117 cm^(-1),经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV。通过变温(110~300 K)霍尔效应测试表明,CdGeAs_(2)晶体在110~300 K温度范围内都为p型导电,载流子浓度p_(H)和霍尔系数R_(H)随温度的升高分别升高和下降,而霍尔迁移率μ_(H)几乎不变。拟合计算出晶体中受主电离能E_(A)=0.305 eV,并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷。
关键词
半导体晶体
CdGeAs_(2)晶体
类籽晶技术
布里奇曼法
单晶生长
多晶合成
变温霍尔效应
红外透过谱
Keywords
semiconductor crystal
CdGeAs_(2) crystal
seed like technology
Bridgman method
single crystal growth
polycrystalline synthesis
temperature dependent hall measurement
IR transmission spectrum
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
CdGeAs_(2)晶体热力性质的第一性原理研究
被引量:
1
4
作者
侯博仁
虞游
机构
成都信息工程大学光电工程学院
出处
《成都信息工程大学学报》
2021年第2期238-243,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11704049)。
文摘
采用密度泛函理论和密度泛函微扰理论研究了CdGeAs_(2)晶体的晶格动力学和热力学性质。通过计算给出了布里渊区中Γ点的声子频率和对称性分类,拉曼活性和红外活性的声子频率与实验值和其它理论计算值一致;得到CdGeAs_(2)晶体沿高对称线的声子色散曲线和相对应的声子态密度。根据计算出的声子态密度并结合准谐近似方法进一步计算出包括声子贡献的赫尔姆赫兹自由能、内能、熵、热容量和热膨胀系数等热力学参量。
关键词
CdGeAs_(2)
密度泛函理论
第一性原理
声子
热力学性质
Keywords
CdGeAs_(2)
density function theory
first-principles
phonon
thermodynamic properties
分类号
O472.2 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdGeAs_2晶体的热膨胀行为研究
甄珍
赵北君
朱世富
何知宇
陈宝军
黄巍
蒲云肖
钟义凯
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
红外非线性晶体CdGeAs2多晶合成
戚鸣
吴海信
王振友
黄昌保
倪友保
张春丽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
砷锗镉晶体的生长和变温霍尔效应研究
李佳樨
熊正斌
肖骁
刘心尧
余孟秋
陈宝军
黄巍
何知宇
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
CdGeAs_(2)晶体热力性质的第一性原理研究
侯博仁
虞游
《成都信息工程大学学报》
2021
1
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职称材料
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