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纳米Au修饰Cd2SnO4复合材料的制备与气敏性能研究 被引量：1
1
作者 田丰收 刘艳丽 《化学传感器》 CAS 2019年第2期42-47,共6页
采用水热法制备了具有正八面体微观结构的锡酸镉(Cd2SnO4),研究了反应物前驱体中锡离子、镉离子和氢氧根离子(Sn4+:Cd2+:OH-)的摩尔比对产物微观形貌的影响。利用水热法对所得Cd2SnO4正八面体微观结构的表面进行纳米金(Au)粒子修饰,得... 采用水热法制备了具有正八面体微观结构的锡酸镉(Cd2SnO4),研究了反应物前驱体中锡离子、镉离子和氢氧根离子(Sn4+:Cd2+:OH-)的摩尔比对产物微观形貌的影响。利用水热法对所得Cd2SnO4正八面体微观结构的表面进行纳米金(Au)粒子修饰,得到纳米Au修饰Cd2SnO4复合材料。对所得复合材料的气敏性能测试结果表明,纳米Au修饰不仅提高了Cd2SnO4对丙酮气体的灵敏度,而且提高了其响应和恢复速度。 展开更多
关键词 AU纳米粒子 cd2sno4 复合材料 气敏性能 正八面体微观结构
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射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜 被引量：4
2
作者 蒋生蕊 彭栋梁 +1 位作者 孙文红 王万录 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期118-122,共5页
在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10^(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射... 在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10^(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。 展开更多
关键词 镉-锡 合金 薄膜 射频 cd2sno4
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Cd_2SnO_4水热制备及其气敏性能研究 被引量：3
3
作者 王彩红 刘国霞 阴军英 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期108-110,共3页
以SnCl4.5H2O、CdCl2·1/2H2O和NaOH为原料,采用水热法制备了Cd2SnO4粒子。通过XRD和SEM对其物相和形貌进行了分析,并将其制成气敏元件,进行气敏性能测试。结果表明制得的Cd2SnO4粒子为多面体,对乙醇、丙酮和三乙胺有较高的灵敏度... 以SnCl4.5H2O、CdCl2·1/2H2O和NaOH为原料,采用水热法制备了Cd2SnO4粒子。通过XRD和SEM对其物相和形貌进行了分析,并将其制成气敏元件,进行气敏性能测试。结果表明制得的Cd2SnO4粒子为多面体,对乙醇、丙酮和三乙胺有较高的灵敏度和好的响应-恢复特性。 展开更多
关键词 cd2sno4 水热法 气敏
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透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体
4
作者 白雪 王星明 +5 位作者 储茂友 张碧田 段华英 石志霞 孙静 韩沧 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期180-185,共6页
将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明：750—850℃... 将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明：750—850℃低温无压烧结时，扩散反应发生缓慢，只有少量的Cd2SnO4生成．大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950～1050℃无压烧结，随着温度升高，扩散反应速率较快，发生大量合成反应生成Cd2SnO4，当SnO2过量时，CdO完全参加反应。当温度上升至1150℃时，Cd：5nO4含量大幅度增加，伴随出现第二相CdSnO3。四探针测试结果显示：随着温度的升高，Cd：SnO4主相含量增加，靶材电阻率逐渐降低至19．9×10^-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律，采用2：1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料，充分混合后在1000℃下煅烧2—3小时，可得到均匀单相亮黄色Cd，SnO4原料粉体。 展开更多
关键词 cd2sno4 靶材 烧结
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氧浓度和衬底温度对透明导电Cd_2SnO_4薄膜光学性质的影响
5
作者 董玉峰 王万录 +1 位作者 廖克俊 吴彬 《重庆邮电学院学报（自然科学版）》 1999年第4期12-15,共4页
采用射频溅射方法在Ａｒ＋ Ｏ２ 气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜，报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高，衬底温度越高，则薄膜透射率、折射率越... 采用射频溅射方法在Ａｒ＋ Ｏ２ 气氛中制备了Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）透明导电薄膜，报道了在不同氧浓度和衬底温度下该膜的透射率、消光系数和折射率随波长变化的情况。研究发现：氧浓度越高，衬底温度越高，则薄膜透射率、折射率越大，而消光系数越低。对这些结果，从ＣＴＯ膜的晶格常数、氧空位等角度进行了理论分析。 展开更多
关键词 氧浓度 衬底温度 导电薄膜 光学性质 cd2sno4
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透明导电Cd_2SnO_4薄膜的光学特性研究 被引量：4
6
作者 彭栋梁 蒋生蕊 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期375-378,共4页
报道了射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜在0.2～6.0μm波长范围内的透射和反射谱及其光致发光谱的测量结果,并由此对CTO膜光学性质进行了较详细的理论分析和讨论.
关键词 薄膜 光致发光 硫酸镉 光学性质
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