Hg Cd Te面阵探测器是空间红外遥感相机的关键部件,随着性能需求的不断提高,器件的规模尺寸不断扩大。Hg Cd Te面阵探测器在常温下与承载板进行装配,但在深冷状态下工作,需要耐受200 K左右的温度波动。由于探测器与承载板的线膨胀系数...Hg Cd Te面阵探测器是空间红外遥感相机的关键部件,随着性能需求的不断提高,器件的规模尺寸不断扩大。Hg Cd Te面阵探测器在常温下与承载板进行装配,但在深冷状态下工作,需要耐受200 K左右的温度波动。由于探测器与承载板的线膨胀系数不匹配,温度波动会引起探测器翘曲变形,变形严重时,将导致探测器损伤。提出基于高导热碳纤维的Hg Cd Te大面阵探测器热适配结构,以碳纤维的轴向高热导率降低结构热阻,以碳纤维的极小抗弯截面模量实现热适配结构两端面间的刚度解耦。相对于探测器与承载板直粘,引入基于高导热碳纤维的热适配结构后,探测器与承载板间的热阻仅增加了约1%,而探测器热失配翘曲变形衰减了99.9%,解决了大面阵探测器与承载板间的热失配翘曲变形损伤问题。并对基于碳纤维的热适配结构制备工艺方案进行了简单介绍。展开更多
通过水热法合成了巯基乙酸和巯基丙酸混合配体修饰的水溶性Cd Te量子点(QDs)。应用荧光光谱法研究了Cd Te QDs与Pb2+的相互作用规律。结果表明:Pb2+可引起Cd Te QDs强烈的荧光淬灭。利用Stern-Volmer和双对数回归曲线方程,对Pb2+淬灭Cd ...通过水热法合成了巯基乙酸和巯基丙酸混合配体修饰的水溶性Cd Te量子点(QDs)。应用荧光光谱法研究了Cd Te QDs与Pb2+的相互作用规律。结果表明:Pb2+可引起Cd Te QDs强烈的荧光淬灭。利用Stern-Volmer和双对数回归曲线方程,对Pb2+淬灭Cd Te QDs的机制进行了探讨。结果表明:巯基羧酸修饰的Cd Te QDs与Pb2+之间有较强的淬灭作用,其淬灭机制为内源性静态荧光淬灭。展开更多
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了...通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.展开更多
文摘Hg Cd Te面阵探测器是空间红外遥感相机的关键部件,随着性能需求的不断提高,器件的规模尺寸不断扩大。Hg Cd Te面阵探测器在常温下与承载板进行装配,但在深冷状态下工作,需要耐受200 K左右的温度波动。由于探测器与承载板的线膨胀系数不匹配,温度波动会引起探测器翘曲变形,变形严重时,将导致探测器损伤。提出基于高导热碳纤维的Hg Cd Te大面阵探测器热适配结构,以碳纤维的轴向高热导率降低结构热阻,以碳纤维的极小抗弯截面模量实现热适配结构两端面间的刚度解耦。相对于探测器与承载板直粘,引入基于高导热碳纤维的热适配结构后,探测器与承载板间的热阻仅增加了约1%,而探测器热失配翘曲变形衰减了99.9%,解决了大面阵探测器与承载板间的热失配翘曲变形损伤问题。并对基于碳纤维的热适配结构制备工艺方案进行了简单介绍。
文摘通过水热法合成了巯基乙酸和巯基丙酸混合配体修饰的水溶性Cd Te量子点(QDs)。应用荧光光谱法研究了Cd Te QDs与Pb2+的相互作用规律。结果表明:Pb2+可引起Cd Te QDs强烈的荧光淬灭。利用Stern-Volmer和双对数回归曲线方程,对Pb2+淬灭Cd Te QDs的机制进行了探讨。结果表明:巯基羧酸修饰的Cd Te QDs与Pb2+之间有较强的淬灭作用,其淬灭机制为内源性静态荧光淬灭。
文摘通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.
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