期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
A CMOS Voltage Reference Based on V_(GS) and ΔV_(GS) in the Weak Inversion Region 被引量:1
1
作者 夏晓娟 谢亮 孙伟锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1523-1528,共6页
A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJT... A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJTs) are used. The proposed voltage reference uses a current-mode topology by summing a PTAT current and a CTAT current into a re- sistor to generate the required reference voltage. It can also provide more than one reference voltage output, which is quite suitable for systems requiring many different reference voltages simultaneously. The occupied chip area is 0. 023mm^-2 . The operation supply voltage is from 2.5 to 6V, and the maximum supply current is 8.25μA. The designed three different out- puts are respectively about 203mV, 1.0V, and 2.05V at room temperature when the supply voltage is 4V. The circuit achieves a temperature coefficient of 31ppm/℃ in the temperature range of 0 to 100℃ and an average line regulation of ± 0. 203%/V. The voltage reference has been successfully applied in a white LED backlight driver chip. 展开更多
关键词 CMOS voltage reference ctat current PTAT current temperature coefficient weak inversion region
在线阅读 下载PDF
电流叠加型CMOS基准电压源 被引量:3
2
作者 夏晓娟 易扬波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期245-248,共4页
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,... 介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。 展开更多
关键词 CMOS 基准电压源 闽值电压 迁移率 正温度系数电流 负温度系数电流
在线阅读 下载PDF
低温度系数低功耗带隙基准的设计 被引量:2
3
作者 吴庆 李富华 +1 位作者 黄君山 侯汇宇 《电子与封装》 2019年第6期25-28,共4页
对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功... 对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真,结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10^-6/℃,功耗为5.472μW,基准电压为1.32V,电源抑制比为83.5dB,实现了低温度系数、低功耗特性,且电路工作稳定。 展开更多
关键词 带隙基准电压 PTAT电流 ctat电流 温度系数
在线阅读 下载PDF
一种宽电压范围电流基准的设计 被引量:3
4
作者 雷婉 吴龙盛 +2 位作者 李婷 时光 李倩敏 《微电子学与计算机》 北大核心 2020年第8期49-54,共6页
本文针对电流基准功耗大、电源电压范围窄的问题,设计了一款同时具备低功耗、宽电压范围、低温度系数的CMOS基准电流源.基准电流由PTAT电流和CTAT电流按一定比例系数相加产生,表现出与温度无关的特性.使用基于CMOS亚阈值特性的运放和自... 本文针对电流基准功耗大、电源电压范围窄的问题,设计了一款同时具备低功耗、宽电压范围、低温度系数的CMOS基准电流源.基准电流由PTAT电流和CTAT电流按一定比例系数相加产生,表现出与温度无关的特性.使用基于CMOS亚阈值特性的运放和自级联电流镜,扩大了电源电压范围,降低了电路整体功耗,提升了电路性能.电路基于XFAB 0.35μm CMOS工艺进行设计,结果表明,基准电流为5μA,在-25℃~125℃温度范围内,温漂系数为40 ppm/℃,电源电压为2.5 V^6 V,功耗为25μA. 展开更多
关键词 电流基准 PTAT ctat 低功耗 宽电压范围
在线阅读 下载PDF
基于温度和工艺补偿的基准电流源
5
作者 王春荣 周忠强 +3 位作者 邹衡君 孙天奇 张宗江 傅兴华 《电脑知识与技术》 2011年第3期1686-1688,共3页
介绍了一个采用温度和工艺补偿电流镜实现的基准电流源。与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)电流以一定权重相加产生与温度无关的基准电流。在Cadence软件平台下用Spectre工具,基于CSMC 0.5um BiCMOS工艺模型对... 介绍了一个采用温度和工艺补偿电流镜实现的基准电流源。与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)电流以一定权重相加产生与温度无关的基准电流。在Cadence软件平台下用Spectre工具,基于CSMC 0.5um BiCMOS工艺模型对电路进行仿真,仿真结果表明该基准可输出2152uA的稳定电流,-40-85℃内,温度系数为24.4ppm/℃。 展开更多
关键词 电流基准 电流镜 共源共栅 与绝对温度互补 与绝对温度成正比
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部