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铜互连兆声清洗中结构损伤预测的有限元分析
1
作者 黄雅婷 孟春玲 +1 位作者 董秀萍 路新春 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2064-2070,共7页
尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结... 尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结构在兆声清洗过程中的应力分布及变形。基于ABAQUS软件,采用二维有限元模型对循环布线图形当中的一个典型元胞在空化气泡破裂冲击下的应力应变进行分析,并讨论了它的破坏形式和破坏规律。结果表明,最大应力集中在铜及low-k材料键合处将导致low-k材料分层。当线宽为22nm时,应力和结构变形达最大值,分别为1 379MPa和3.074nm;之后随线宽增加最大应力应变值均减小。另外,兆声频率增大不改变应力应变分布规律,对应力应变极值影响亦不明显。分析及预测结果与工业实践得到的结果相符。 展开更多
关键词 化学机械抛光 兆声清洗 铜互联 有限元分析
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晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析 被引量：5
2
作者 黄杏利 傅增祥 +1 位作者 杨红艳 马彬睿 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期508-511,共4页
在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术。随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现"过磨(over-grinding)"现象,降低了平坦度和晶圆利用率。在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边... 在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术。随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现"过磨(over-grinding)"现象,降低了平坦度和晶圆利用率。在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边缘处的抛光垫压平到一致高度,克服晶圆边缘的"过磨"现象。由此说明,保持环上施加的压力起着至关重要的作用。在实际中,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP加工后晶圆边缘效应的规律不可行,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,需要借助其它方法预测该压力。文中采用有限元模拟的方法分析保持环压力,得出了保持环压力与晶圆压力比值的最优值,并且研究了晶圆与保持环的间隙对最优压力的影响规律。针对不同CMP工艺,保持环压力能够迅速确定,从而提高晶圆抛光质量及利用率,降低晶圆制造成本。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 晶圆 保持环 有限元方法(FEM)
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“场发花”现象研究
3
作者 寇春梅 顾霞 《电子与封装》 2007年第12期38-41,共4页
随着半导体技术的不断发展,特征尺寸也不断缩小,光刻对条宽的控制能力在整个半导体技术中显得十分重要,而场发花现象对光刻来说是个较为严重的质量问题,它严重影响了光刻对条宽的控制能力,同时还造成硅片的大量返工,使生产成本增加、产... 随着半导体技术的不断发展,特征尺寸也不断缩小,光刻对条宽的控制能力在整个半导体技术中显得十分重要,而场发花现象对光刻来说是个较为严重的质量问题,它严重影响了光刻对条宽的控制能力,同时还造成硅片的大量返工,使生产成本增加、产量降低,也使生产的圆片质量可靠性受到置疑。文章对造成场发花现象的原因,场发花造成的影响以及如何避免场发花现象做了一定的解释。 展开更多
关键词 场发花 工艺窗口 化学机械抛光
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高波数Helmholtz方程的高阶连续多罚有限元方法的稳定性估计（英文）
4
作者 朱凌雪 《应用数学》 CSCD 北大核心 2019年第2期423-431,共9页
本文考虑二维和三维区域上高波数Helmholtz散射问题的高阶(多项式次数p≥2)连续多罚有限元方法.本文证明在加罚参数的虚部大于零的条件下,对任意k, h, p,连续多罚有限元方法是绝对稳定的,即都存在唯一解.这里k是波数, h为网格尺寸.
关键词 HELMHOLTZ方程 高波数 稳定性估计 高阶连续多罚有限元方法
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机械化学抛光中晶圆材料切削率和非均匀性有限元模型(英文)
5
作者 郭跃彬 《菏泽学院学报》 2001年第4期5-12,共8页
提出了一个机械化学抛光中晶圆材料非均匀性的有限元模型.通过分析压力、摩擦力、抛光垫和承载膜的可压缩性对晶圆的应力分布的影响,研究了抛光过程中晶圆厚度的不均匀性.结果证明非均匀剪应力是晶圆厚度变化的一个主要原因这个模型也... 提出了一个机械化学抛光中晶圆材料非均匀性的有限元模型.通过分析压力、摩擦力、抛光垫和承载膜的可压缩性对晶圆的应力分布的影响,研究了抛光过程中晶圆厚度的不均匀性.结果证明非均匀剪应力是晶圆厚度变化的一个主要原因这个模型也建立了声发射信号的变化和晶圆厚度不均匀性的关系.通过对晶圆材料切削率的声发射信号监测,证明了实验结果和模型预测值的一致性. 展开更多
关键词 机械化学抛光 声发射 有限元方法 非均匀性 晶圆
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