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短沟道薄硅膜CMOS/SIMOX电路的研究 被引量:3
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作者 陈南翔 石涌泉 +1 位作者 王忠烈 黄敞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期305-310,共6页
通过大剂量氧离子注入(150key,2×10^(18)O^+/cm^2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如... 通过大剂量氧离子注入(150key,2×10^(18)O^+/cm^2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如阈值电压下降)、改善电路的速度性能等优点,因而薄硅膜SIMOX技术更适合亚微米CMOS IC的发展。 展开更多
关键词 薄硅源 沟道效应 cmos/simox 电路
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SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展 被引量:2
2
作者 王阳元 陈南翔 王忠烈 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期75-80,共6页
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特... SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。 展开更多
关键词 薄硅层 集成电路 离子注入 绝缘体
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伽马射线辐照总剂量对CMOS/SIMOX器件的影响
3
作者 Terukazu Ohno 于向东 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第5期32-36,56,共6页
我们把用SIMOX工艺所形成的纵向隔离结构和新开发的横向隔离结构结合起来,研制出抗辐照CMOS/SIMOX器件。 n沟MOSFET的纵向隔离由多层高浓度氧掺杂多晶硅和埋层二氧化硅组成,横向隔离由多层薄的侧壁二氧化硅、侧壁多晶硅和厚的场二氧化... 我们把用SIMOX工艺所形成的纵向隔离结构和新开发的横向隔离结构结合起来,研制出抗辐照CMOS/SIMOX器件。 n沟MOSFET的纵向隔离由多层高浓度氧掺杂多晶硅和埋层二氧化硅组成,横向隔离由多层薄的侧壁二氧化硅、侧壁多晶硅和厚的场二氧化硅组成。p沟MOSFET的纵向隔离结构与n沟MOSFET相同,但其横向隔离中没有侧壁多晶硅层,而是使用厚的场二氧化硅层。高浓度氧掺杂多晶硅和侧壁多晶硅层用来屏蔽被俘获在埋层二氧化硅和场二氧化硅中的辐照感生正电荷。利用这些隔离结构和薄栅二氧化硅层开发的CMOS/SIMOX器件,即使在经受2Mrad(Si)的^(60)Co伽马射线辐照之后,仍具有良好的工作特性。 展开更多
关键词 cmos/simox cmos器件 伽马射线辐照
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抗辐射能力为兆拉德(硅)的CMOS/SIMOX器件
4
作者 T.Ohno 王界平 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期33-35,共3页
采用SIMOX和新研制的横向隔离结构作出了抗核辐射的CMOS/SIMOX器件,这些器件经2兆拉德(硅)γ射线辐射后,仍具有充分的工作性能。
关键词 cmos/simox 抗辐射 半导体器件
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一种1MS/sCMOS/SIMOX8位A/D转换器
5
作者 刘永光 张正璠 刘昌孝 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期445-448,共4页
采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。电路由2100 个器件组成,芯片面积为3.5... 采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。电路由2100 个器件组成,芯片面积为3.53 m m ×3.07 m 展开更多
关键词 cmos simox A/D转换器 半闪烁型
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基于28 nm CMOS技术平台的STI无接缝填充工艺研究
6
作者 刘聪 李华曜 +1 位作者 张欢欢 刘欢 《功能材料与器件学报》 2026年第1期105-112,共8页
本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔... 本文针对28 nm互补金属-氧化物-半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺中高深宽比、非标准V形浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构所面临的填充挑战展开研究。该结构易在填充后中心形成接缝,影响器件隔离可靠性。为此,本研究提出采用高深宽比工艺(high aspect ratio process,HARP)沉积与后蒸汽高温退火相结合的方案,旨在实现无接缝填充。本研究通过交叉实验,系统分析新型HARP沉积与创新高温退火工艺对氧化硅薄膜收缩率及沟槽接缝形貌的影响。实验结果表明,仅依靠单一工艺优化无法完全消除V形结构底部的微缝。最终的解决方案强调工艺协同:将新型HARP沉积与脉冲式高温退火相结合,并在退火过程中引入氯化氢(HCl)作为辅助气体。该协同工艺可精确调控薄膜的致密化过程,并利用HCl的气相刻蚀作用有效清除界面薄弱区,从而在高深宽比、非标准V形STI结构内实现高质量的无接缝填充。本研究为先进技术节点复杂三维结构的集成提供了有效的工艺路径。 展开更多
关键词 28 nm cmos 高深宽比 沟槽填充 无接缝
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(六)——RF ASIC和微系统集成
7
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期205-214,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵(续)
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期109-118,共10页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(五)——移相器、RF开关、集成无源元件和相控阵
9
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期1-12,共12页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成`
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CMOS收发器的总剂量效应及行为级仿真研究
10
作者 白豪杰 彭治钢 +2 位作者 李洋 李永宏 贺朝会 《原子能科学技术》 北大核心 2026年第3期759-768,共10页
系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行... 系统级电路辐照效应的复杂性对建模方法提出了高精度与高速度的双重要求。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺收发器作为系统级电路的核心常用器件,其总剂量效应的精准建模仿真至关重要。为此,本文提出一种适用于CMOS收发器的总剂量效应行为级仿真方法:采用输入输出缓冲区信息规范(input/output buffer information specification,IBIS)模型表征Hi-1573器件的缓冲区特性,通过VHDL-AMS语言完成器件功能区的精细化建模。为验证方法有效性,开展了^(60)Co伽马射线辐照实验,基于实验数据优化总剂量效应模块参数,将其与IBIS总剂量效应模型融合进行仿真。结果显示,仿真结果与实验数据的性能退化趋势高度吻合,充分证明了该行为级仿真方法在CMOS收发器总剂量效应建模中的可行性与可靠性。 展开更多
关键词 cmos收发器 总剂量效应 行为级建模
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一种宽温区低温漂的CMOS基准电压源设计
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作者 杨运超 李明轩 +1 位作者 曹晓东 张雪莲 《现代电子技术》 北大核心 2026年第4期8-12,共5页
针对智能导钻传感系统在极端温度条件下的应用需求,基于国内0.15μm SOI CMOS工艺,采用正负温度系数电阻平衡、MOS晶体管背栅反馈以及偏置电流温度补偿等技术,设计一款可工作于-50~250℃的宽温区低温漂基准电压源。仿真结果表明,该基准... 针对智能导钻传感系统在极端温度条件下的应用需求,基于国内0.15μm SOI CMOS工艺,采用正负温度系数电阻平衡、MOS晶体管背栅反馈以及偏置电流温度补偿等技术,设计一款可工作于-50~250℃的宽温区低温漂基准电压源。仿真结果表明,该基准电压源在-50~250℃温度范围内能够稳定输出2.537 V的基准电压,温度系数为14.45 ppm/℃时,低频下电源抑制比达到-63.1 dB,在不同电源电压和工艺角下仿真均表现出良好的稳定性。该电路适用于需要在宽温度区域内保持高精度和稳定性的电子系统。 展开更多
关键词 宽温区 低温漂 基准电压源 SOI cmos 带隙基准 温度补偿
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4T/8T像素结构CMOS图像传感器的空间辐照影响及加固技术研究
12
作者 王婷婷 杨小曦 +2 位作者 姜浩 张琪 张亮 《现代电子技术》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)常用于空间光通信中的捕获、跟踪、瞄准(ATP)系统中探测信标光方向。宇宙空间辐射会影响CMOS图像传感器的工作性能及工作寿命,研究空间辐照对器件的影响原理及抗辐照加固技术可以提升CMOS图... 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)常用于空间光通信中的捕获、跟踪、瞄准(ATP)系统中探测信标光方向。宇宙空间辐射会影响CMOS图像传感器的工作性能及工作寿命,研究空间辐照对器件的影响原理及抗辐照加固技术可以提升CMOS图像传感器实际工程应用能力。因4T/8T(Transistor)像素结构CMOS图像传感器在ATP系统中有广泛应用,从电离总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应三个方面综述了4T/8T像素结构CIS国内外辐照试验研究成果及抗辐照效应加固技术。提出针对8T像素结构CIS单粒子效应的加固方法,实现了CMOS图像传感器与FPGA单粒子翻转效应时无需断电重启的校正和单粒子闩锁时的关断与重启,提升了CMOS图像传感器的抗辐射效应性能。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 电离总剂量效应 位移损伤效应 单粒子效应 抗辐射加固技术 空间辐射
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基于卷帘式曝光CMOS传感器的成像系统设计
13
作者 徐博 韦宗喜 +2 位作者 闫磊 刘静军 王冬旭 《仪表技术与传感器》 北大核心 2026年第2期93-96,共4页
文中设计了一种基于HR400BSI卷帘式曝光CMOS传感器的成像系统,旨在满足星敏感器成像场景的应用需求。系统以Spartan-6系列现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)为核心,设计了成像及处理模块、温度采集及控制模块。系... 文中设计了一种基于HR400BSI卷帘式曝光CMOS传感器的成像系统,旨在满足星敏感器成像场景的应用需求。系统以Spartan-6系列现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)为核心,设计了成像及处理模块、温度采集及控制模块。系统状态控制模块、RS422串口通信模块和GTP高速接口模块,完成对HR400BSI传感器的逻辑时序控制,实现最高35帧/s帧频图像的输出。实验结果表明,系统能够准确采集靶标及星点图像,且成功应用于某卫星的星敏感器。 展开更多
关键词 cmos传感器 卷帘式曝光 高速接口 图像采集
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应用于CMOS图像传感器的12 bit全局共用型列级SAR ADC
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作者 郭仲杰 张金澳 +1 位作者 许睿明 刘绥阳 《电子科技大学学报》 北大核心 2026年第1期77-84,共8页
针对传统逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)在CMOS图像传感器列级读出电路中的面积和功耗突出问题,提出一种面向大阵列的全局共用DAC型高速SAR ADC。该结构基于多列共用核心DAC的思想,将传统列级SAR ADC中面积需求最大的电容阵列DAC提取出... 针对传统逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)在CMOS图像传感器列级读出电路中的面积和功耗突出问题,提出一种面向大阵列的全局共用DAC型高速SAR ADC。该结构基于多列共用核心DAC的思想,将传统列级SAR ADC中面积需求最大的电容阵列DAC提取出来,采用不同权重的DAC信号,建立一个全局共用型DAC并采用多路选择加法器替代了传统的多列复用技术。该方法将每列SAR ADC简化后仅需要比较器、多路选择加法器以及部分数字逻辑,在保证SAR ADC的速度及精度优势的同时大幅度减小了其面积需求。基于55nm 1P4M CMOS工艺对所提出的方法进行了详细的电路设计和仿真验证,在模拟电压为3.3 V、数字电压为1.2 V、时钟频率为120 MHz、输入信号范围为1.6 V的情况下,设计实现的12-bit SAR ADC的静态参数DNL(differential nonlinearity)为-0.8/0.8 LSB,INL(integral nonlinearity)为-1.4/0.4 LSB,信噪失真比(SNR)达到68.24 dB,有效位数为11.02 bit,面积为10μm×350μm,功耗为264μW。相比现有的SAR ADC,在保证SAR ADC高速、高精度的同时,也使ADC面积需求大幅度减小,为SAR ADC在高速CMOS图像传感器的列级读出电路中的应用提供了理论支撑。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 列级ADC SAR ADC 全并行 全局共用
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金属遮挡优化型前照式sCMOS传感器在中子辐照下的成像性能
15
作者 王睿 郭宝辉 +3 位作者 王英男 葛延滨 武晓阳 王亮 《航天器环境工程》 2026年第1期75-82,共8页
针对空间与核辐射环境下高灵敏成像对光学性能与抗辐照能力并重的工程需求,开展了金属遮挡优化型前照式(FSI)科学级CMOS图像传感器在中子辐照下的成像性能试验。采用累积等效1 MeV快中子源,中子注量最高达3.72×10^(10)n·cm^(... 针对空间与核辐射环境下高灵敏成像对光学性能与抗辐照能力并重的工程需求,开展了金属遮挡优化型前照式(FSI)科学级CMOS图像传感器在中子辐照下的成像性能试验。采用累积等效1 MeV快中子源,中子注量最高达3.72×10^(10)n·cm^(-2)。通过统计不同辐照阶段图像灰度均值与方差的变化特征,对器件的成像亮度稳定性与像素响应一致性进行评估。结果表明,在整个辐照注量范围内,图像灰度均值的最大波动<20%,图像方差稳定分布于1.28~1.81区间,未出现明显坏点或功能失效现象。实验结果验证了峰值量子效率为72%的金属遮挡优化型FSI结构在抑制中子位移损伤、保持成像均匀性方面的有效性,表明该类器件在空间成像与核辐射监测等高可靠应用场景中具有良好的工程应用潜力。 展开更多
关键词 科学级cmos 金属遮挡优化 中子辐照 位移损伤 空间辐射成像
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高速低功耗CMOS比较器结构优化设计
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作者 李亭屹 《智能物联技术》 2026年第1期135-139,共5页
基于高速低功耗混合应用场景下对互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)比较器性能的综合需求,系统研究其结构优化设计。阐述动态比较器在响应速度、功耗控制、输入失调与噪声抑制等方面的关键技术,介绍... 基于高速低功耗混合应用场景下对互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)比较器性能的综合需求,系统研究其结构优化设计。阐述动态比较器在响应速度、功耗控制、输入失调与噪声抑制等方面的关键技术,介绍前置放大器、电源控制、闭环反馈及偏置电路的协同优化策略。结合65 nm CMOS工艺下的仿真测试结果,分析主要性能指标在典型工况下的表现,验证所提结构的可实现性与工程适应性。结果表明,该设计能够在低功耗约束下保持高速响应。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos)比较器 动态比较器 前置放大电路 闭环反馈 偏置电流镜
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αionizing particle radiation detection and damage compensation methods for CMOS active pixel sensors
17
作者 Shou-Long Xu Cui-Yue Wei +4 位作者 Zhi-Wei Qin Shu-Liang Zou Yong-Chao Han Qing-Yang Wei You-Jun Huang 《Nuclear Science and Techniques》 2026年第4期115-126,共12页
In this study,the mechanism and characteristics of the responseαparticles and the damage caused by them in CMOS active pixel(APS)sensors were investigated.A detection and compensation algorithm for dead pixels caused... In this study,the mechanism and characteristics of the responseαparticles and the damage caused by them in CMOS active pixel(APS)sensors were investigated.A detection and compensation algorithm for dead pixels caused byαparticle ionizing radiation was proposed,and the effects of dead-pixel compensation algorithms were compared and analyzed under different parameter conditions.The experimental results show thatαparticle response signal has highest accuracy at 9 dB gain,with an obvious“target-ring”distribution.With increasing cumulative dose,the CMOS APS pedestal tends to saturation while dead pixels continue increasing.Though some pixel damage recovers through natural annealing,the dead-to-noise ratio increases with irradiation time,reaching 32.54%after 72 h.A hierarchical clustering dead-pixel detection method is proposed,categorizing pixels into two types:those within and outside the response event.A classification compensation strategy combining mean and majority filtering is proposed.This compensation algorithm can address dead-pixel interference without affectingαparticle radiation response data.When iterated multiple times and with integration time exceeding 6.31 ms,the number of dead pixels can be effectively reduced. 展开更多
关键词 cmos active pixel sensor αparticles Response event Radiation damage Dead-pixel compensation
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CMOS/SIMOX器件总剂量辐照的研究
18
作者 高剑侠 严荣良 +5 位作者 余学锋 张国强 任迪远 林成鲁 李金华 竺士扬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期61-65,共5页
在新材料SIMOX上制作CMOS器件,并采用静态I-V技术,研究了CMOS/SIMOX在(60)Co-γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明,在辐照过程中,氧化物正电荷... 在新材料SIMOX上制作CMOS器件,并采用静态I-V技术,研究了CMOS/SIMOX在(60)Co-γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明,在辐照过程中,氧化物正电荷增加较多,界面态增加较少,且NMOS和PMOS"导通"辐照偏置是最恶劣偏置。 展开更多
关键词 氧化物正电荷 界面态 阈电压 漏电流 cmos/simox
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短沟道CMOS/SIMOX器件及电路的辐照特性研究
19
作者 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期30-32,47,共4页
利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad... 利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。 展开更多
关键词 cmos/simox 薄膜 MOSFET SOI器件
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300门CMOS/SIMOX门阵列容错ASIC电路的研制 被引量:1
20
作者 石涌泉 张兴 +1 位作者 路泉 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期10-12,共3页
本文简要地介绍了3μmCMOS/SIMOX门阵列的设计和制作技术。利用300门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路SEL。其性能达到了用户要求,平均单级门延迟时间为2.6ns,输出驱动电流为2... 本文简要地介绍了3μmCMOS/SIMOX门阵列的设计和制作技术。利用300门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路SEL。其性能达到了用户要求,平均单级门延迟时间为2.6ns,输出驱动电流为2.4mA。 展开更多
关键词 专用集成电路 cmos simox 容错 门阵列
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