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HCMOS器件的γ辐射效应
1
作者 楼滨乔 薛志华 刘美丽 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期378-384,共7页
本文介绍HCMOS器件的γ辐射损伤和退火效应的结果。HCMOS器件的静态功耗电流和动态特性对剂量十分灵敏,它们的退火效应也很明显。
关键词 hcmos器件 γ辐射效应 退火效应
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HCMOS器件γ辐射损伤电路分析
2
作者 楼滨乔 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期243-246,共4页
本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。
关键词 辐射损伤 阈电压移动 hcmos器件
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CMOS/HCMOS ICs振荡器
3
作者 丛江滋 《电子技术参考》 1989年第4期35-47,共13页
关键词 振荡器 cmos/hcmos IC
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28系列E^2PROM在HCMOS型单片机中的特殊应用
4
作者 孙晖 黄林芳 《机电工程》 CAS 1998年第4期24-25,共2页
通过对电擦除可编程只读存储器E2PROMAT28C64运行方式的讨论,提出了在HCMOS型单片机中,用单片28系列E2PROM兼作程序存储器和数据存储器的一种实用方法。
关键词 E^2PROM 单片机 只读存储器 hcmos 28系列
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CMOS图像传感器辐照损伤效应试验方法 被引量:1
5
作者 王祖军 《半导体光电》 北大核心 2025年第1期180-188,共9页
CMOS图像传感器(CIS)在辐射环境中应用时会遭受辐照损伤。在空间辐射或核辐射环境中CIS遭受的辐照损伤效应主要包括电离总剂量效应、位移效应、单粒子效应。目前国内外的研究主要通过开展CIS不同辐射粒子或射线辐照试验来评估CIS在不同... CMOS图像传感器(CIS)在辐射环境中应用时会遭受辐照损伤。在空间辐射或核辐射环境中CIS遭受的辐照损伤效应主要包括电离总剂量效应、位移效应、单粒子效应。目前国内外的研究主要通过开展CIS不同辐射粒子或射线辐照试验来评估CIS在不同辐射环境下的辐照损伤效应,因此,建立CIS辐照损伤效应试验方法对准确评估其辐照损伤具有重要意义。文章主要从辐照试验源选取、试验流程、辐照偏置条件、试验要求等方面研究了CIS电离总剂量效应、位移效应、单粒子效应辐照试验方法,从而形成CIS辐照损伤效应试验方法,为开展CIS辐照损伤评估和抗辐射加固性能考核提供了试验技术支持。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 辐照损伤 电离总剂量效应 位移效应 单粒子效应 辐照试验方法
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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
6
作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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F100 HCMOS系列:振荡器
7
《世界电子元器件》 2011年第8期27-27,共1页
Fox Electronics Asia Ltd.推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1.8V(F110系列)、2.5V(F140系列)和3.3V(F130系列)三种选择,频率范围在1.0MHz-80.0MHz之间,全部均... Fox Electronics Asia Ltd.推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1.8V(F110系列)、2.5V(F140系列)和3.3V(F130系列)三种选择,频率范围在1.0MHz-80.0MHz之间,全部均采用侧高低至0.8mm、占位面积为2.0mm×1.6mm的紧凑型封装。 展开更多
关键词 hcmos F100 振荡器 Electronics F110系列 便携设备 频率范围 LTD
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端 被引量:1
8
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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一种应用于大面阵CMOS图像传感器的斜坡发生器
9
作者 祝晓笑 吴治军 +1 位作者 翟江皞 张艺潇 《半导体光电》 北大核心 2025年第3期449-455,共7页
为满足大面阵CMOS图像传感器(CIS)的应用需求,提出一种斜率可调、可配合列并行ADC实现普通采样与相关双采样模式的斜坡发生器电路的实现方案。基于90 nm(1.2 V/2.8 V)1P5M CIS工艺,完成了电路设计、仿真验证及版图实现。测试结果表明,... 为满足大面阵CMOS图像传感器(CIS)的应用需求,提出一种斜率可调、可配合列并行ADC实现普通采样与相关双采样模式的斜坡发生器电路的实现方案。基于90 nm(1.2 V/2.8 V)1P5M CIS工艺,完成了电路设计、仿真验证及版图实现。测试结果表明,该斜坡发生电路结构简单、面积较小,斜坡幅度大于0.5 V,复位时间小于70 ns,微分非线性为+0.018 LSB/-0.012 LSB,积分非线性为+0.37 LSB/-0.013 LSB。在保证低功耗和小面积的同时,实现了高线性度和快速响应,满足超大面阵CIS的设计和工程应用需求。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 列级ADC 相关双采样 斜坡发生器
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FXO-HC33:HCMOS振荡器
10
《世界电子元器件》 2012年第6期33-33,共1页
Fox Electronics公司推出扩展了温度范围的3.3VHCMOS振荡器型款。新振荡器是FXO-HC33系列的一部分,
关键词 cmos振荡器 Electronics公司 温度范围
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CMOS探测器基底结构设计与振动试验
11
作者 陆振玉 郭亮 +2 位作者 贾卓杭 韩康 金虎 《机电工程技术》 2025年第8期6-9,99,共5页
CMOS探测器在空间大视场遥感相机设计时具有重要的应用前景,大面阵拼接CMOS探测器模块作为核心组件需要进行独立的鉴定振动试验,验证相机探测器是否能承受发射时的振动。根据工程实际需要,针对某型空间同步轨道大视场高分辨率相机用的国... CMOS探测器在空间大视场遥感相机设计时具有重要的应用前景,大面阵拼接CMOS探测器模块作为核心组件需要进行独立的鉴定振动试验,验证相机探测器是否能承受发射时的振动。根据工程实际需要,针对某型空间同步轨道大视场高分辨率相机用的国产CMOS探测器,设计振动工装并对工装结构进行振动试验仿真分析,并开展探测器正弦振动试验和随机振动试验。结果表明:探测器及工装结构的基频为1761.92 Hz,与有限元仿真分析结果1743 Hz偏差不超过5%;振动试验前后探测器状态无异常,表明探测器能够承受设计的振动试验条件,同时也验证了探测器工装结构设计的正确性、合理性。 展开更多
关键词 cmos探测器 工装结构 有限元 振动试验
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F210系列HCMOS振荡器
12
《世界电子元器件》 2009年第3期39-39,共1页
Fox Electronics推出1.8VHCMOS振荡器F210系列。F210系列振荡器占位面积很小,兼具低产热量和电耗。该系列振荡器符合RoHS标准,占位面积为2.5min×2.0mm,在整个0.75MHz至50.0MHz频率范围内的输入电流为2.5mA至5.0mA。
关键词 cmos振荡器 ELECTRONICS ROHS 输入电流 频率范围 产热量 面积 占位
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空间应用CMOS图像传感器寿命评估方法研究
13
作者 程甘霖 张芮萌 +2 位作者 王丹 牟帅臣 范唯 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期248-254,共7页
随着遥感卫星设计寿命需求逐步提升,图像传感器作为遥感载荷的核心器件,其寿命直接决定了卫星的整体寿命。目前,CMOS图像传感器已成为遥感载荷中可见光探测的主要器件,但现有寿命评估方法仍以质量保证试验为主,缺乏定量化分析。文章提... 随着遥感卫星设计寿命需求逐步提升,图像传感器作为遥感载荷的核心器件,其寿命直接决定了卫星的整体寿命。目前,CMOS图像传感器已成为遥感载荷中可见光探测的主要器件,但现有寿命评估方法仍以质量保证试验为主,缺乏定量化分析。文章提出一种基于任务需求的CMOS图像传感器寿命评估方法,以虚拟的遥感任务为例,在设计阶段对CMOS图像传感器进行可靠性设计分析,并在试验阶段制定质量保证方案。通过辐照试验重点研究器件受辐照后的性能退化规律,结合任务环境中的累积辐照量预测,定量评估遥感相机寿命末期CMOS图像传感器的成像信噪比等关键指标。结果表明,在8年设计寿命内,器件性能退化可控,信噪比满足任务需求。该方法可为长寿命遥感相机的可靠性设计与验证提供理论支撑。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 空间应用 辐照性能退化 定量化寿命评估
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Fox Electronics推出2.5V电压的紧凑型XpressO XO HCMOS振荡器产品
14
《电子与电脑》 2011年第9期74-74,共1页
Fox Electronics Asia Ltd.现已推出紧凑型XpressO XO HCMOS振荡器的2.5V电压型款,全新FXO-HC32系列丰富了XpressO振荡器系列,它们是工作电压为2.5V的3.2mmx2.5mm封装振荡器,具有±25ppm的高稳定性及0.75MHz~180MHz的宽频率范围。
关键词 ELECTRONICS cmos振荡器 紧凑型 电压型 产品 工作电压 频率范围 高稳定性
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Fox Electronics扩展HCMOS振荡器产品增添F32K系列振荡器
15
《电子与电脑》 2011年第8期81-81,共1页
Fox Electronics Asia Ltd.现已扩充其HCMOS振荡器产品.推出最新的紧凑型3.3V F32K 32.768kHz振荡器系列。F32K振荡器的电流消耗仅为1.5μA,待机电流为250nA,是包括实时时钟(RTC)、微控制器子时钟、睡眠模式时钟和看门狗定时... Fox Electronics Asia Ltd.现已扩充其HCMOS振荡器产品.推出最新的紧凑型3.3V F32K 32.768kHz振荡器系列。F32K振荡器的电流消耗仅为1.5μA,待机电流为250nA,是包括实时时钟(RTC)、微控制器子时钟、睡眠模式时钟和看门狗定时器时钟等广泛应用的理想选择。 展开更多
关键词 ELECTRONICS cmos振荡器 产品 实时时钟 看门狗定时器 电流消耗 待机电流 微控制器
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HCMOS振荡器
16
《今日电子》 2011年第9期65-65,共1页
F32K振荡器的电流消耗仅为1.5μA,待机电流为250hA,是包括实时时钟(RTC)、微控制器子时钟、睡眠模式时钟和看门狗定时器时钟等广泛应用的理想选择。
关键词 cmos振荡器 实时时钟 看门狗定时器 电流消耗 待机电流 微控制器 睡眠模式
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2.5V HCMOS振荡器显著降低噪声水平
17
《今日电子》 2008年第8期53-53,共1页
工作电压为2.5V的HCMOSXPRESSO振荡器拥有能显著降低噪声水平的三阶△∑调制器(DSM),可比得上传统的批量石英振荡器及声表面波(SAW)振荡器,且成本更低。
关键词 cmos振荡器 噪声水平 △∑调制器 石英振荡器 工作电压 声表面波
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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器
18
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1093-1106,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RFCMOS和RFBiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RFIC发展的主要方面,凝练了各类RFIC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器
19
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机
20
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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