检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

共找到4篇文章

< 1 >

每页显示 20 50 100

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

显示方式：

文摘详细列表

相关度排序被引量排序时效性排序

寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文): 1; 作者 Rambhatla A Hackler D R Parke S A 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2003年第4期51-54,共4页; 主要介绍了对各种非典型CMOS结构的研究 ,从而寻求最终的结构模式适应不断变化的CMOS发展技术 .; 关键词 cmos器件非典型结构晶体管结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS有源像素传感器像素级噪声的分析与抑制被引量：5: 2; 作者邓若汉严奕 +1 位作者余金金陈永平《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2011年第5期41-45,共5页; 像素级的噪声是CMOS图像传感器的主要噪声源之一。针对CMOS有源像素传感器3T结构像素级的噪声问题,分析了3种抑制像素级噪声的方法。分析结果表明,复位晶体管的软复位噪声要小于硬复位噪声的2倍,PMOS管的1/f噪声低于NMOS管的1/f噪声,同... 展开更多; 关键词传感器低噪声像素设计 cmos有源像素传感器 3T结构; 原文传递

三输入高性能AND/XOR复合门电路设计被引量：1: 3; 作者黄春蕾王伦耀 +1 位作者梁浩夏银水《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期310-315,共6页; 针对现有"与/异或"(AND/XOR)复合门级联设计电路存在功耗大、延时长等不足,提出一种基于晶体管级的三输入AND/XOR复合门电路结构.通过采用多轨结构、缩短传输路径以及混合CMOS逻辑设计方法,克服了原有电路中单一逻辑和单轨结... 展开更多; 关键词与/异或混合cmos逻辑多轨结构功耗延迟积晶体管级; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型Rail-to-Rail运算放大器的设计与分析被引量：3: 4; 作者张杰伟柯菁华赖宗声《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期57-60,共4页; 提出了一种采用线性跨导输入级的Rail-to-Rail运算放大器,输入级的跨导基本实现了与共模输入电压无关,而只与工艺参数和工作电压有关。采用了复合晶体管的设计,使等效NMOS和等效PMOS的电学参数一致,摈弃了由于PMOS及NMOS的不一致性而采... 展开更多; 关键词线性跨导输入运算放大器设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

上一页 1 下一页到第页

使用帮助返回顶部