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跳仓法替代膨胀后浇带在高层建筑中的应用研究
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作者 胡鹏飞 《工程建设与设计》 2025年第18期137-139,共3页
通过分析跳仓法的基本原理、力学特性及与膨胀后浇带的对比,探讨其适用范围与技术挑战,研究了跳仓法的施工工艺创新体系,重点研究基于BIM的协同设计机制、混凝土智能浇筑、数字化安全管控等。通过在某高10 m的高层住宅建筑中实践表明,... 通过分析跳仓法的基本原理、力学特性及与膨胀后浇带的对比,探讨其适用范围与技术挑战,研究了跳仓法的施工工艺创新体系,重点研究基于BIM的协同设计机制、混凝土智能浇筑、数字化安全管控等。通过在某高10 m的高层住宅建筑中实践表明,与传统工艺相比,跳仓法使工期缩短19.7%,直接建造成本降低15.3%,裂缝密度指标由0.35条/m^(2)降至≤0.12条/m^(2),在保证施工质量的同时显著提升了施工效率。 展开更多
关键词 膨胀后浇带 跳仓法 施工工艺 结构优化
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基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管 被引量:4
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作者 吴佳骏 谢生 +1 位作者 毛陆虹 朱帅宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-6,共6页
基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概... 基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11 A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%. 展开更多
关键词 光电器件 单光子雪崩二极管 cmos工艺 深n阱 保护环 响应度 光子探测效率
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LV/HV兼容Twice-Well CMOS芯片与制程结构 被引量:2
3
作者 潘桂忠 《集成电路应用》 2017年第9期47-51,共5页
LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V^700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。采用MOS芯片结构设计、工艺与制造技术... LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V^700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。采用MOS芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。 展开更多
关键词 集成电路制造工艺 偏置栅结构 LV/HV兼容Twice-Well cmos芯片结构 制程剖面结构
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LV/HV兼容N-Well CMOS芯片与制程结构 被引量:2
4
作者 潘桂忠 《集成电路应用》 2017年第8期51-55,共5页
LV/HV兼容N-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区参数可以得到不同的高压。使用MOS芯片结构设计﹑工艺与制... LV/HV兼容N-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区参数可以得到不同的高压。使用MOS芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。 展开更多
关键词 集成电路制造工艺 偏置栅结构 LV/HV兼容N-Wellcmos芯片结构 制程剖面结构
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Scaling CMOS devices through alternative structures
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作者 胡正明 《Science in China(Series F)》 2001年第1期1-7,共7页
The conventional wisdom holds that CMOS devices cannot be scaled much further from where they are today because of several device physics limitations such as the large tunneling current in very thin gate dielectrics. ... The conventional wisdom holds that CMOS devices cannot be scaled much further from where they are today because of several device physics limitations such as the large tunneling current in very thin gate dielectrics. It is shown that alternative device structures can allow CMOS transistors to scale by another 20 times. That is as large a factor of scaling as what the semiconductor industry accomplished in the past 25 years. There will be many opportunities and challenges in finding novel device structures and new processing techniques, and in understanding the physics of future devices. 展开更多
关键词 cmos technology alternative structures.
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跳仓法施工技术在超长地下室结构中的应用 被引量:1
6
作者 蔡运飞 《建筑与装饰》 2024年第1期72-74,共3页
在超长地下室建设过程中,裂缝问题难以避免,是一项非常复杂的问题,需要各方加强配合,这样才可以取得良好效果。跳仓法施工技术是超长地下室结构施工中常用的一种技术,根据施工建设过程中所产生的应力应变规律,从综合角度提出有效的裂缝... 在超长地下室建设过程中,裂缝问题难以避免,是一项非常复杂的问题,需要各方加强配合,这样才可以取得良好效果。跳仓法施工技术是超长地下室结构施工中常用的一种技术,根据施工建设过程中所产生的应力应变规律,从综合角度提出有效的裂缝控制策略,真正解决了裂缝问题,保障了工程品质,降低了施工成本,实用价值较高,取得了非常理想的经济效益。本文主要探讨跳仓法施工技术在超长地下室结构中的应用,仅供参考。 展开更多
关键词 跳仓法施工技术 超长地下室结构 应用
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MEMS薄膜热导率测试结构 被引量:1
7
作者 许高斌 黄庆安 姜岩峰 《测控技术》 CSCD 2002年第6期22-25,共4页
系统分析了具有代表性的半导体薄膜热导率测试结构的模型、结构特点、测量方法及不足 ;对表面加工和CMOS工艺 。
关键词 MEMS薄膜 热导率 测试结构 半导体薄膜
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一种Boost型PFC电路控制芯片的设计 被引量:1
8
作者 潘飞蹊 敬守勇 《电子器件》 CAS 2007年第1期17-21,共5页
设计了一种Boost型功率因数校正(PowerFactorCorrection,PFC)电路的控制芯片.PFC控制策略采用以前研究工作中提出的一种全新方式,适用于CMOS工艺来制备专用控制芯片.通过对这种新控制方式的分析,首先划分出了实现芯片控制电路所需的功... 设计了一种Boost型功率因数校正(PowerFactorCorrection,PFC)电路的控制芯片.PFC控制策略采用以前研究工作中提出的一种全新方式,适用于CMOS工艺来制备专用控制芯片.通过对这种新控制方式的分析,首先划分出了实现芯片控制电路所需的功能模块,再对各个模块进行了具体的电路设计.模拟结果证实了整体电路能够实现设计要求. 展开更多
关键词 功率因数校正 BOOST cmos工艺 电流镜 共栅共源结构
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结构空间热处理杀虫技术应用进展 被引量:3
9
作者 吕建华 张豫麒 康宇龙 《中国粮油学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期145-150,共6页
结构空间热处理杀虫技术是将粮食储藏空仓、粮食及食品加工场所等结构空间环境温度升高到50~60℃,并保持该温度24~36 h以杀死其中存在的害虫的技术。结构空间热处理杀虫技术具有环境友好、杀虫效率高、无农药残留等优点,在北美洲、欧洲... 结构空间热处理杀虫技术是将粮食储藏空仓、粮食及食品加工场所等结构空间环境温度升高到50~60℃,并保持该温度24~36 h以杀死其中存在的害虫的技术。结构空间热处理杀虫技术具有环境友好、杀虫效率高、无农药残留等优点,在北美洲、欧洲和澳洲已被广泛应用于杀灭空仓、粮食和食品加工场所中的害虫。在实施热处理杀虫过程中面临的主要问题是空间内热量分布不均匀,某些部位可能达不到杀死害虫所需要的高温,影响杀虫效果。本文综述了结构空间热处理杀虫技术的发展历史、基本原理、实施方法、技术要求以及优缺点等,为今后高效实施结构空间热处理杀虫及开展相关研究提供参考。 展开更多
关键词 空间热处理杀虫 溴甲烷替代技术 杀虫效果 储粮害虫
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针织三维结构预制件技术及其复合材料 被引量:1
10
作者 薛道顺 顾肇文 石风俊 《中原工学院学报》 CAS 2005年第3期22-25,共4页
 介绍了针织三维结构预制件技术及由其组成的经编结构复合材料的结构特点和应用,指出圆机间隔结构技术的发展将对圆机的革新起到很大的促进作用.
关键词 三维结构 间隔结构技术 复合材料 特点 应用
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EVA基阻燃/隔音交替层状复合材料的阻燃及隔音性能研究
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作者 罗丹 颜渊巍 +1 位作者 熊昌义 杨军 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期133-137,共5页
分别使用膨胀阻燃剂(IFR)和重质填料硫酸钡(Ba SO4)对乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)进行阻燃性和隔音性改性,并利用微层共挤出技术制备了具有阻燃层/隔音层交替层状结构的8层EVA基阻燃隔音复合材料。扫描电子显微镜测试结果表明,复合材料... 分别使用膨胀阻燃剂(IFR)和重质填料硫酸钡(Ba SO4)对乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)进行阻燃性和隔音性改性,并利用微层共挤出技术制备了具有阻燃层/隔音层交替层状结构的8层EVA基阻燃隔音复合材料。扫描电子显微镜测试结果表明,复合材料的隔音层和阻燃层沿挤出方向交替层状排列,为特殊的双连续相结构。对多层复合材料以及普通共混材料的垂直燃烧、极限氧指数、锥形量热测试结果表明,交替层状结构使得多层复合材料的阻燃性能大大提升:氧指数从普通共混材料的24%提升到32%;UL94垂直燃烧等级从普通共混材料的无等级提升到V-1级;点燃时间大大延长且热释放速率进一步降低。此外,隔音测试结果表明,多层复合材料的隔音量曲线与普通共混材料的隔音量曲线基本重合,保持了高隔音性能。 展开更多
关键词 交替层状结构 微层共挤出技术 阻燃性能 隔音性能
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2.0GHz差分结构低噪声放大器的研究与设计
12
作者 徐思成 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第8期232-235,共4页
设计了一个基于TSMC0.18μmCMOS工艺的2.0 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;采用在输入级增加电容和选择小值LC并联网作为差分电路的负载的方法,在改善输入匹配网... 设计了一个基于TSMC0.18μmCMOS工艺的2.0 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;采用在输入级增加电容和选择小值LC并联网作为差分电路的负载的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,提高了电路的增益。仿真结果表明该放大器较好地满足了小信号放大器的指标要求,可以用于射频输入电路的前端。 展开更多
关键词 差分结构 低噪声放大器 噪声系数 输入匹配 cmos工艺
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HDTV机顶盒软件设计实现的探讨
13
作者 王兆庆 《华南热带农业大学学报》 2007年第1期70-72,97,共4页
电视系统已进入数字化的进程,数字机顶盒是该系统的关键部件,特别是软件系统的设计和开发,使得STB的功能进一步增强。本文通过利用Flash数据存储系统平台,探讨HDTV机顶盒软件实现的解决方案。
关键词 机顶盒 数字电视 软件结构 电视图像 芯片技术
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环锭纺渐变色纱的结构复合纺纱技术研究进展 被引量:2
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作者 王勇 于伟东 《毛纺科技》 CAS 北大核心 2020年第8期7-13,共7页
针对当前常见的喂入式三罗拉/四罗拉渐变复合纺纱技术存在混纺均匀性问题和须条连续性问题,且成纱条干和力学性能存在不足等问题,研究基于环锭纺的输出式渐变色结构复合纺技术,包括前置移动耦合包缠式渐变纺、变张力前置移动耦合包缠式... 针对当前常见的喂入式三罗拉/四罗拉渐变复合纺纱技术存在混纺均匀性问题和须条连续性问题,且成纱条干和力学性能存在不足等问题,研究基于环锭纺的输出式渐变色结构复合纺技术,包括前置移动耦合包缠式渐变纺、变张力前置移动耦合包缠式渐变纺、变张力自然汇聚耦合包缠式渐变纺、定汇聚角S/S耦合渐变纺、定半径式耦合渐变纺、变跨距轨道式耦合渐变纺等。结果表明:配套纺纱装备改造简单、能耗低、效率高,基于遮盖显色的渐变周期或频率调控性强,成纱条干和力学性能改善显著,适于生产高支纱。输出式渐变色结构复合纺纱技术可为高效、低耗、高品质、细支化纱线的加工提供基础,是传统环锭纺纱技术中先进的创新型纺纱技术。 展开更多
关键词 渐变色纱 环锭纺 结构复合纺 结构调控
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三元乙丙橡胶/硅橡胶交替多层复合材料的制备与性能 被引量:5
15
作者 贺婉 张风顺 罗世凯 《合成橡胶工业》 CAS 北大核心 2020年第6期477-481,共5页
采用多层共挤出工艺制备了三元乙丙橡胶(EPDM)/甲基乙烯基硅橡胶(MVQ)交替多层复合材料,并与二者共混材料从形貌结构、拉伸性能及抗压缩性能等方面进行了比较。结果表明,EPDM/MVQ交替多层复合材料具有规整的层状结构,共混材料则具有典... 采用多层共挤出工艺制备了三元乙丙橡胶(EPDM)/甲基乙烯基硅橡胶(MVQ)交替多层复合材料,并与二者共混材料从形貌结构、拉伸性能及抗压缩性能等方面进行了比较。结果表明,EPDM/MVQ交替多层复合材料具有规整的层状结构,共混材料则具有典型的无规海岛结构,其中EPDM为连续相,MVQ为分散相。在拉伸作用下,共混材料断面较平滑,而交替多层复合材料则出现分层断裂及层界面剥离现象。交替多层复合材料的拉伸强度和扯断伸长率均优于共混材料,且随着层数的增加,拉伸强度增大,抗压缩性能增强。此外,随着温度的升高,交替多层复合材料的拉伸强度逐渐降低,且交替多层复合材料在宽温度范围内都具有良好的抗压缩性能。 展开更多
关键词 三元乙丙橡胶 硅橡胶 多层共挤出工艺 交替多层结构 复合材料 力学性能 抗压缩性能
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大唐石泉水力发电厂励磁系统技术改造 被引量:4
16
作者 孙喆 《电网与清洁能源》 2008年第9期66-68,共3页
简述了大唐石泉水力发电厂1~3号水轮发电机组由原直流励磁机它励励磁方式改造为自并励静止励磁方式的思路和目的,介绍了技术改造后该系统的结构、性能、功能;并对该系统改造后的成效进行了简单总结。
关键词 大唐石泉水力发电厂 励磁系统 技术改造 结构 功能
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一种高阶补偿低温漂带隙基准源 被引量:3
17
作者 邓玉清 高宁 《现代电子技术》 2023年第10期7-10,共4页
基于0.18μm CMOS工艺,设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上,利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量,对传统结构进行补偿,从而得到一个温度系... 基于0.18μm CMOS工艺,设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上,利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量,对传统结构进行补偿,从而得到一个温度系数极低的带隙基准源。仿真结果表明,所设计电路整体结构简单、易实现,在-55~125℃的温度范围内,温漂系数仅为2.52 ppm/℃,低频时的电源抑制比为-78 dB。 展开更多
关键词 高阶补偿 低温漂 带隙基准源 结构补偿 电路设计 电路仿真 cmos工艺
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泉眼山泵站“6+1”运行调整工程关键技术研究及应用 被引量:2
18
作者 陶东 吴荣 《中国水利》 2020年第14期46-49,共4页
为加快推进宁夏中部干旱带脱贫攻坚、解决水资源短缺问题,宁夏回族自治区水利厅提出了固海扬水工程渠首泉眼山泵站“6+1”运行调整工程,将首级泵站由原设计5台运行、2台备用“5+2”运行方式调整为6台运行1台备用“6+1”运行方式,增加流... 为加快推进宁夏中部干旱带脱贫攻坚、解决水资源短缺问题,宁夏回族自治区水利厅提出了固海扬水工程渠首泉眼山泵站“6+1”运行调整工程,将首级泵站由原设计5台运行、2台备用“5+2”运行方式调整为6台运行1台备用“6+1”运行方式,增加流量3.8 m3/s,配套对后续泵站及渠道进行增流改造。固海“6+1”运行调整工程开展了水泵增流叶轮研制和试验运行、泵站运行及优化调度、渡槽降低糙率等研究。研究成果为本工程改造提供了技术支撑和低成本解决方案,在固海扬水工程增流改造工程实践中得到了应用,取得了明显成效。 展开更多
关键词 高扬程灌溉泵站 交替加载技术 水工建筑物 渡槽 改造
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跳仓法综合技术在超长地下结构裂缝控制中的应用 被引量:2
19
作者 张余进 《科技创新与应用》 2023年第2期185-188,共4页
跳仓法是一种综合施工工艺,是现代建筑施工缝处理中比较先进的一种方式。该文根据施工实践,介绍跳仓法在长距离地下结构浇筑时,相比于后浇带法的优势和对长地下结构的适应性;根据实际施工要求,阐述跳仓法的基本原理和优点、实施方案及... 跳仓法是一种综合施工工艺,是现代建筑施工缝处理中比较先进的一种方式。该文根据施工实践,介绍跳仓法在长距离地下结构浇筑时,相比于后浇带法的优势和对长地下结构的适应性;根据实际施工要求,阐述跳仓法的基本原理和优点、实施方案及施工缝控制技术措施等,并总结跳仓法施工控制要点,希望对同类建筑的施工技术产生一定的参考意义。 展开更多
关键词 跳仓法 超长地下结构 裂缝控制 浇筑 施工技术
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Efficient design method for cell allocation in hybrid CMOS/nanodevices using a cultural algorithm with chaotic behavior
20
作者 Zhong-Liang Pan Ling Chen Guang-Zhao Zhang 《Frontiers of physics》 SCIE CSCD 2016年第2期115-123,共9页
The hybrid CMOS molecular (CMOL) circuit, which combines complementary metal-oxide- semiconductor (CMOS) components with nanoscale wires and switches, can exhibit significantly improved performance. In CMOL circui... The hybrid CMOS molecular (CMOL) circuit, which combines complementary metal-oxide- semiconductor (CMOS) components with nanoscale wires and switches, can exhibit significantly improved performance. In CMOL circuits, the nanodevices, which are called cells, should be placed appropriately and are connected by nanowires. The cells should be connected such that they follow the shortest path. This paper presents an efficient method of cell allocation in CMOL circuits with the hybrid CMOS/nanodevice structure; the method is based on a cultural algorithm with chaotic behavior. The optimal model of cell allocation is derived, and the coding of an individual represent- ing a cell allocation is described. Then the cultural algorithm with chaotic behavior is designed to solve the optimal model. The cultural algorithm consists of a population space, a belief space, and a protocol that describes how knowledge is exchanged between the population and belief spaces. In this paper, the evolutionary processes of the population space employ a genetic algorithm in which three populations undergo parallel evolution. The evolutionary processes of the belief space use a chaotic ant colony algorithm. Extensive experiments on cell allocation in benchmark circuits showed that a low area usage can be obtained using the proposed method, and the computation time can be reduced greatly compared to that of a conventional genetic algorithm. 展开更多
关键词 NANODEVICES structure design cell allocation cmos technology cultural algorithms
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