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CII的光电离截面的理论计算 被引量：2
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作者 曾交龙 袁建民 +1 位作者 赵增秀 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期689-693,共5页
使用 R-矩阵方法 ,对 CII基态的光电离截面进行了六态和十态的密耦计算 ,得到了入射光子能量从 1 .8Ry到 4 .3 Ry的总光电离截面 ,长度与速度表示符合很好。计算得到的截面包含了复杂的共振结构。与由英法等国联合开展的不透明度工程的... 使用 R-矩阵方法 ,对 CII基态的光电离截面进行了六态和十态的密耦计算 ,得到了入射光子能量从 1 .8Ry到 4 .3 Ry的总光电离截面 ,长度与速度表示符合很好。计算得到的截面包含了复杂的共振结构。与由英法等国联合开展的不透明度工程的理论计算结果进行了比较 ,两者在电离阈附近符合得比较好。计算表明 ,收敛于较高电离阈的共振系列对收敛于较低电离阈的共振系列有较大的干扰。由分波和电离后处于特定靶态的光电离共振峰的位置可确定 CII单双高激发态能级的位置。 展开更多
关键词 cii离子 光电离截面 R-矩阵方法 等离子体不透明度
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