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轴对称系统等离子体数值模拟电荷、电流分配CIC方法 被引量：5
1
作者 刘纯亮 张晓金 +1 位作者 李永东 梁颖亮 《计算物理》 CSCD 北大核心 2001年第2期129-132,共4页
采用体积加权CIC方法 ,对轴对称系统等离子体模拟PIC方法中的节点电荷和电流计算进行了详细讨论 ,推导出节点电荷和电流的计算公式 ,可用于轴对称系统 2 12
关键词 等离子体模拟 PIC方法 体积加权cic方法 节点电荷 电流计算 轴对称系统
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GC-AED的CIC法定量测定神经性毒剂研究 被引量：6
2
作者 潘荣荣 曲刚莲 +1 位作者 马果花 李芬润 《化学工程师》 CAS 2007年第2期36-38,共3页
用气相色谱-原子发射光谱仪(GC-AED)对沙林(GB)、梭曼(GD)、维埃克斯(VX)进行了分析,确定了气相色谱的最佳分离条件;运用GC-AED特有的化合物无关校正曲线法(CIC法),建立了GB、GD、VX CIC定量测定方法,计算出了各种方法的相对误差,总结了... 用气相色谱-原子发射光谱仪(GC-AED)对沙林(GB)、梭曼(GD)、维埃克斯(VX)进行了分析,确定了气相色谱的最佳分离条件;运用GC-AED特有的化合物无关校正曲线法(CIC法),建立了GB、GD、VX CIC定量测定方法,计算出了各种方法的相对误差,总结了CIC法的误差规律;并利用建立的方法对实际染毒土壤样品进行定性定量测定,进一步验证了结论的正确性。 展开更多
关键词 GC-AED GB GD VX cic法
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基于CIC滤波器和madζ检测法的多频脉冲信号检测与估计 被引量：5
3
作者 孙昕 张世海 《电子设计工程》 2017年第8期55-60,共6页
在多频脉冲信号检测与估计的算法中,通过采用三级CIC滤波器实现对多个频率脉冲信号的快速检测,采用传统的能量检测和madζ法联合检测的方法实现了信号频率等参数的准确估计。实验验证该算法满足在复杂背景噪声下可靠地检测多频水声脉冲... 在多频脉冲信号检测与估计的算法中,通过采用三级CIC滤波器实现对多个频率脉冲信号的快速检测,采用传统的能量检测和madζ法联合检测的方法实现了信号频率等参数的准确估计。实验验证该算法满足在复杂背景噪声下可靠地检测多频水声脉冲信号,数据处理算法的有效性得到了验证。 展开更多
关键词 检测 估计 cic滤波器 madζ法 多频脉冲信号
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移动电视直放站中CIC滤波器的性能改进方法 被引量：3
4
作者 华永平 刘楠 +1 位作者 王书旺 顾斌 《电视技术》 北大核心 2010年第4期36-39,共4页
分析了级联积分梳状(CIC)滤波器的结构,证明其可以高效地胜任抽取滤波的任务。但CIC滤波器也有缺陷,如通带下垂严重,信号折叠带衰减不充分。旋转辛克修正法和凯塞汉明补偿法联合使用于CIC滤波器的改进技术中,有效地弥补了CIC滤波器的缺... 分析了级联积分梳状(CIC)滤波器的结构,证明其可以高效地胜任抽取滤波的任务。但CIC滤波器也有缺陷,如通带下垂严重,信号折叠带衰减不充分。旋转辛克修正法和凯塞汉明补偿法联合使用于CIC滤波器的改进技术中,有效地弥补了CIC滤波器的缺陷。以混叠噪声功率最小化为准则建立优化模型,供移动电视领域数字滤波器设计人员参考。 展开更多
关键词 移动电视 直放站 混叠 抽取 cic滤波器 旋转辛克修正法 凯塞汉明锐化
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基于轴压刚度等效的“柱中柱”(CIC)系统等代设计方法研究 被引量：1
5
作者 房晓俊 《广州大学学报（自然科学版）》 CAS 2023年第3期26-32,共7页
为克服传统钢管混凝土柱作为竖向承载构件功能单一的不足,使其兼具结构减振(震)控制的作用,文章基于TMD系统振动控制的概念,对钢管混凝土柱进行改进,提出一种具有“承载-减振(震)”双功能的“柱中柱”系统,以进一步增强结构的抗震性能... 为克服传统钢管混凝土柱作为竖向承载构件功能单一的不足,使其兼具结构减振(震)控制的作用,文章基于TMD系统振动控制的概念,对钢管混凝土柱进行改进,提出一种具有“承载-减振(震)”双功能的“柱中柱”系统,以进一步增强结构的抗震性能。文章主要介绍了“柱中柱”系统的组成和控制机理,并基于钢管混凝土统一理论,采用叠加原理推导“柱中柱”系统的截面轴压组合刚度和轴压极限承载力的理论公式,最终建立该系统基于轴压刚度等效的等代设计方法;同时,根据等代设计流程,选取典型的钢管混凝土构件进行算例分析,以检验等代设计方法的准确性。结果表明,采用叠加原理便于建立“柱中柱”系统的截面轴压组合刚度和轴压极限承载力理论公式,提出的等代设计方法具有良好的准确性,可为今后的工程设计与分析提供参考。 展开更多
关键词 “柱中柱”系统 钢管混凝土 轴压刚度 等代设计方法
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CIC法定量测定TNT
6
作者 罗西 刘红妮 +4 位作者 苏鹏飞 张皋 胡银 王歌扬 温晓燕 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2019年第2期208-210,共3页
采用气相色谱-原子发射光谱对TNT进行定量测定,建立了一种非含能非自身标样定量测定方法。以二号中定剂为外标物,通过二号中定剂的C元素标准曲线定量TNT中的C元素。结果表明:用二号中定剂作外标物定量TNT的C元素线性范围是22. 43～637.... 采用气相色谱-原子发射光谱对TNT进行定量测定,建立了一种非含能非自身标样定量测定方法。以二号中定剂为外标物,通过二号中定剂的C元素标准曲线定量TNT中的C元素。结果表明:用二号中定剂作外标物定量TNT的C元素线性范围是22. 43～637. 50μg/mL,相关系数(r)为0. 999 9。以3倍信噪比计算检测限,得到TNT的C元素方法检测限为0. 015μg/mL。TNT在高、中、低浓度下的回收率为94. 6%～101. 3%,相对标准偏差为0. 3%～0. 7%。该方法具有较好的准确度和精密度,在自身标准物质缺乏的情况下能够对TNT进行准确定量。 展开更多
关键词 气相色谱-原子发射光谱 cic法 定量分析 TNT 二号中定剂
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结膜痕迹细胞学方法的研究与应用 被引量：5
7
作者 林彤 韩雅珊 《营养学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期438-443,共6页
实验对结膜痕迹细胞学方法(CIC)进行了研究并加以改进。用0.45μ醋酸纤维膜对不同人群进行采样,以FAA液固定,固定时间可达两月之久,用过碘酸—Schiff试剂将球状细胞和粘蛋白染成粉红色,用Delafield苏木精将上皮细胞染成紫红色,即可进行... 实验对结膜痕迹细胞学方法(CIC)进行了研究并加以改进。用0.45μ醋酸纤维膜对不同人群进行采样,以FAA液固定,固定时间可达两月之久,用过碘酸—Schiff试剂将球状细胞和粘蛋白染成粉红色,用Delafield苏木精将上皮细胞染成紫红色,即可进行镜检。实验采用48孔染色架可大大提高染色效率。包括婴幼儿在内的采样成功率可达97％以上。根据上皮细胞,球状细胞和粘蛋白的大小,形态将维生素A营养水平分为正常、临界、缺乏三个水平及相应的六个阶段。实验对不同地区不同年龄组的904人进行采样分析发现:农村儿童维生素A缺乏率(18.8％)大大高于城市儿童(0),农村青少年11.4％的缺乏率高于城市青少年(3.0％),成年人基本正常。对CIC方法与血清维生素A浓度法进行比较,结果两者呈正相关(r=0.78) 展开更多
关键词 维生素A cic 结膜痕迹 细胞学
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非自身标样定量测定DNTF的分析方法 被引量：1
8
作者 罗西 刘红妮 +4 位作者 苏鹏飞 张皋 胡银 杨彩宁 刘可 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期94-96,102,I0006,共5页
为了在标准物质缺乏的情况下能够准确定量3,4-二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF),采用气相色谱-原子发射光谱(GC-AED)联用技术,建立了一种DNTF的非含能非自身标样定量测定方法;通过对比DNTF和5种非含能材料(二苯胺、苯甲酸、乙酰苯胺、DBS、D... 为了在标准物质缺乏的情况下能够准确定量3,4-二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF),采用气相色谱-原子发射光谱(GC-AED)联用技术,建立了一种DNTF的非含能非自身标样定量测定方法;通过对比DNTF和5种非含能材料(二苯胺、苯甲酸、乙酰苯胺、DBS、DBP)的C元素标准曲线,选择相对定量响应因子最接近1的非含能材料作外标物定量DNTF的C元素,再结合分子式对DNTF进行定量。结果表明,苯甲酸的相对定量响应因子最接近1,用苯甲酸的C元素标准曲线定量DNTF的C元素,得到DNTF的C元素线性范围为17.43～426.92μg/mL,相关系数(r)为0.9992;以3倍信噪比计算检测限,得到DNTF的C元素方法检测限为0.0096μg/mL;相同条件下,DNTF在线性范围内高、中、低浓度下的加标回收率分别为104.9%,103.7%和109.4%,相对标准偏差分别为3.3%、1.1%和1.5%;该方法具有较好的准确度和精密度,可以实现在自身标准物质缺乏的情况下用非含能材料作外标物对DNTF的准确定量。 展开更多
关键词 分析化学 高能量密度材料 气相色谱-原子发射光谱 cic法 3 4-二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF) 苯甲酸
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Si_(1-x)Ge_x合金半导体中C_iC_s和C_iO_i缺陷随Ge含量的变化 被引量：2
9
作者 杨福华 谭劲 +1 位作者 周成冈 罗红波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1109-1116,共8页
采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质.在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原... 采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质.在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键.CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降.CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂.纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关. 展开更多
关键词 Si1-xGex合金 从头计算法 cics缺陷 CiOi缺陷
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