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基于波动时变相关性的CFETS人民币汇率指数有效性研究
1
作者 屠立峰 乔桂明 胡骋来 《学习与探索》 CSSCI 北大核心 2019年第12期139-147,共9页
自中国外汇交易中心正式发布人民币汇率指数CFETS至今已有4年时间,鲜有研究对CFETS运行特征做出实证研究。市场对人民币价值的判断是否摆脱了以往盯住美元,转变到参考一篮子货币?这一问题的研究既是对“811”汇改成效的一种检验,也能为... 自中国外汇交易中心正式发布人民币汇率指数CFETS至今已有4年时间,鲜有研究对CFETS运行特征做出实证研究。市场对人民币价值的判断是否摆脱了以往盯住美元,转变到参考一篮子货币?这一问题的研究既是对“811”汇改成效的一种检验,也能为未来进一步完善CFETS构成、更好发挥人民币指数作用提供参考。在分析货币篮子最优设计要义和作用机理基础上,利用GARCH-DCC模型,分别就扩容前和扩容后的CFETS人民币汇率指数波动率与篮子货币波动率间的动态相依性和时变相关性做检验,研究发现:相比与其他货币波动率,扩容前的CFETS波动率与美元波动率的时变相关性非常低,扩容后的CFETS波动率与美元波动率的时变相关性显著提高。这表明,扩充CFETS参考货币篮子和科学降低美元权重,有助于引导市场主体理性评估人民币价值。建议未来能够考虑第三国竞争效应和资本跨国流动因素,优化CFETS的参照篮子结构。 展开更多
关键词 cfets 货币篮子 时变相关性 汇率形成机制
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CFETS指数是人民币阶段性稳定锚 被引量：3
2
作者 郭嘉沂 《21世纪商业评论》 2016年第4期32-33,共2页
人民币应继续加强相对美元的汇率弹性,市场化仍是大方向。2015年12月11日,中国外汇交易中心正式发布CFETS人民币汇率指数,同时还在其网站上发布了BIS人民币汇率指数和SDR人民币汇率指数,三个指数基期均为2014年12月31日,基期指数为100。
关键词 指数和 cfets 汇率弹性 汇率升值 易纲 日度 新加坡元 形成机制 宏观经济走势 线性趋势
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CFET制备技术的研究进展
3
作者 郑浩 秦雨桑 +1 位作者 龚启明 李梦姣 《微纳电子技术》 2025年第7期1-13,共13页
互补场效应晶体管(CFET)技术通过将器件集成方式从二维扩展至三维,成为延续摩尔定律的关键突破口。基于硅的同质CFET和基于范德华异质结构的CFET均取得了重要进展。聚焦CFET的制备方法,对比单片集成与顺序集成,重点分析热预算管理、工... 互补场效应晶体管(CFET)技术通过将器件集成方式从二维扩展至三维,成为延续摩尔定律的关键突破口。基于硅的同质CFET和基于范德华异质结构的CFET均取得了重要进展。聚焦CFET的制备方法,对比单片集成与顺序集成,重点分析热预算管理、工艺复杂性及材料兼容性等挑战,并重点讨论了层状范德华材料在缓解热约束、提升栅控能力方面的核心作用。同时,探讨了沟道工程、栅介质设计及结构优化在电学平衡、热预算管理与寄生电容抑制中的作用。本综述旨在提供前瞻性视角,强调材料-工艺-结构协同优化,助力CFET技术迈向新阶段。 展开更多
关键词 互补场效应晶体管(CFET) 单片集成 顺序集成 三维集成 范德华材料 氧化物半导体
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FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展 被引量：2
4
作者 赵正平 《电子与封装》 2024年第8期76-97,共22页
集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进... 集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进展。在FinFET纳电子领域综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含覆盖了22 nm、14 nm、10 nm、7 nm和5 nm 5个发展代次的创新特点和3 nm技术节点的创新和应用。在GAAFET纳电子学领域综述并分析了各类GAAFET的结构创新,2 nm技术节点的关键技术突破,3 nm技术节点的多桥沟道场效应晶体管技术平台创新与应用,以及GAAFET有关工艺、器件结构、电路和材料等方面的创新。在CFET纳电子学领域综述并分析了CFET技术在器件模型、堆叠工艺、单胞电路设计和三维集成等方面的创新,展现出CFET超越2 nm技术节点的发展新态势。 展开更多
关键词 FINFET GAAFET CFET 器件模型 工艺 电路设计 3D集成 智能移动终端
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人民币有效汇率指数的编制及国际经验借鉴 被引量：2
5
作者 陈夙 《金融教育研究》 2016年第4期3-12,共10页
2015年12月11日,中国首次公布CFETS人民币指数及其计算说明,这对于市场看待人民币汇率波动情况有重要指导作用。文章介绍并比较编制有效汇率指数的国际经验,辨析了这些机构在货币构成、贸易流、权重设计、价格因子等方面的异同和利弊;... 2015年12月11日,中国首次公布CFETS人民币指数及其计算说明,这对于市场看待人民币汇率波动情况有重要指导作用。文章介绍并比较编制有效汇率指数的国际经验,辨析了这些机构在货币构成、贸易流、权重设计、价格因子等方面的异同和利弊;回顾并比较了国内外金融机构定期公布的人民币汇率指数的方法和结果,指出当前机构编制人民币汇率指数的不足;强调了有效汇率指数的用途,尤其是指数的相对比较和市场沟通作用;最后提出CFETS指数的改进之处。 展开更多
关键词 有效汇率指数 cfets人民币指数 编制方法
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FinFET/GAAFET纳电子学与人工智能芯片的新进展 被引量：3
6
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第3期195-209,共15页
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新... 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新进展。在FinFET/GAAFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含Intel的IDM模式、三星和台积电的代工模式3种技术路线,及其覆盖了22、14、10、7和5 nm集成电路纳电子学的5代技术各自的创新特点,以及未来3和2 nm技术节点GAAFET的各种创新结构的前瞻性技术研究。摩尔定律的继续发展将以Si基FinFET和GAAFET的技术发展为主。在AI芯片领域,综述并分析了数字AI芯片和模拟AI芯片的发展现状,包含神经网络云端和边缘计算应用的处理器(图像处理器(GPU)、张量处理器(TPU)和中央处理器(CPU))、加速器和神经网络处理器(NPU)等的计算架构的创新,各种神经网络算法和计算架构结合的创新,以及基于存储中计算新模式的静态随机存取存储器(SRAM)和电阻式随机存取存储器(RARAM)的创新。人工智能芯片的创新发展可弥补后摩尔时代集成电路随晶体管密度上升而计算能力增长缓慢的不足。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管(FinFET) 环绕栅场效应晶体管(GAAFET) 互补场效应晶体管(CFET) 人工智能(AI)芯片 图像处理器(GPU) 张量处理器(TPU) 神经网络处理器(NPU) 存储中计算 静态随机存取存储器(SRAM) 电阻式随机存取存储器(RARAM)
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FinFET/GAAFET纳电子学与人工智能芯片的新进展(续) 被引量：2
7
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第4期293-305,共13页
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新... 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新进展。在FinFET/GAAFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含Intel的IDM模式、三星和台积电的代工模式3种技术路线,及其覆盖了22、14、10、7和5 nm集成电路纳电子学的5代技术各自的创新特点,以及未来3和2 nm技术节点GAAFET的各种创新结构的前瞻性技术研究。摩尔定律的继续发展将以Si基FinFET和GAAFET的技术发展为主。在AI芯片领域,综述并分析了数字AI芯片和模拟AI芯片的发展现状,包含神经网络云端和边缘计算应用的处理器(图像处理器(GPU)、张量处理器(TPU)和中央处理器(CPU))、加速器和神经网络处理器(NPU)等的计算架构的创新,各种神经网络算法和计算架构结合的创新,以及基于存储中计算新模式的静态随机存取存储器(SRAM)和电阻式随机存取存储器(RARAM)的创新。人工智能芯片的创新发展可弥补后摩尔时代集成电路随晶体管密度上升而计算能力增长缓慢的不足。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管(FinFET) 环绕栅场效应晶体管(GAAFET) 互补场效应晶体管(CFET) 人工智能(AI)芯片 图像处理器(GPU) 张量处理器(TPU) 神经网络处理器(NPU) 存储中计算 静态随机存取存储器(SRAM) 电阻式随机存取存储器(RARAM)
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金融IT
8
《数字财富》 2004年第11期8-8,共1页
保险业IT外包平稳增长；日立：全线产品亮相中国国际通信展；信雅达：助力光大总行客服中心上线；中国外汇交易中心与国际联通；HP获2003年全球IT支持服务营收榜首；IBM：保险行业高层领导研讨会召开；思科：联盟微软携手卫护网络安全；
关键词 保险业 IT业务外包 保险公司 cfets 中国外汇交易中心 外汇监管 光大银行 客户服务中心系统
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第六届肿瘤介入与微创治疗大会(CCIO)、第二届中国介入栓塞治疗大会(CFET)纪要
9
《介入放射学杂志》 CSCD 北大核心 2015年第5期461-461,共1页
2015年3月26日至29日,中国医师协会、中国医师协会介入医师分会、中国抗癌协会介入治疗专业委员会主办,天津医科大学肿瘤医院、北京大学第一医院、中国医学科学院肿瘤医院、复旦大学中山医院承办,《介入放射学杂志》等协办的＂第六届肿... 2015年3月26日至29日,中国医师协会、中国医师协会介入医师分会、中国抗癌协会介入治疗专业委员会主办,天津医科大学肿瘤医院、北京大学第一医院、中国医学科学院肿瘤医院、复旦大学中山医院承办,《介入放射学杂志》等协办的＂第六届肿瘤介入与微创治疗大会（CCIO）＂、＂第二届中国介入栓塞治疗大会（CFET）在天津市滨海新区召开。大会主席徐克教授、滕皋军教授,大会执行主席郭志教授、北美介入放射学会主席Ray GE教授以及国内外200余位专家学者莅临本次会议并作了重要讲座。 展开更多
关键词 肿瘤介入 CCIO CFET 中国医师协会 介入放射学杂志 天津市滨海 介入栓塞 徐克 郭志 日至
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