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应用于直流GIL中低混合比c-C4F8/N2混合气体的绝缘特性 被引量:11
1
作者 张然 王珏 严萍 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期2672-2678,共7页
目前GIL中使用的气体绝缘介质均为SF6气体。SF6气体虽然具有优异的电气性能,但是全球变暖潜能值(GWP)极高,因此迫切需要找到能够替代SF6的绝缘气体。文中以混合比k(c-C4F8在混合气体中的体积分数)低于20%的c-C4F8/N2混合气体为主要... 目前GIL中使用的气体绝缘介质均为SF6气体。SF6气体虽然具有优异的电气性能,但是全球变暖潜能值(GWP)极高,因此迫切需要找到能够替代SF6的绝缘气体。文中以混合比k(c-C4F8在混合气体中的体积分数)低于20%的c-C4F8/N2混合气体为主要研究对象,通过调节气压(0.1~0.65 MPa)和气隙间距(1~7 mm)测量了不同混合比k下混合气体的击穿电压和闪络电压,并与纯SF6气体的击穿电压和闪络电压进行了对比分析。试验结果表明:c-C4F8与N2呈协同效应关系;k=20%时,混合气体绝缘击穿强度约为纯SF6气体的0.6倍,绝缘闪络强度约为纯SF6气体的0.7倍,2 h耐受电压比短时闪络电压降低了5%~10%;通过提高c-C4F8/N2混合气体的气体压强或增大绝缘距离可以实现替代SF6的目的。考虑到c-C4F8在放电中的碳析出问题,应避免混合气体用于频繁放电的设备中。 展开更多
关键词 高压直流 气体绝缘传输线 SF6 c-c4f8 直流击穿 闪络 协同效应
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基于密度泛函理论的外电场下c-C4F8的结构及其特性 被引量:4
2
作者 李亚莎 孙林翔 +2 位作者 梅益明 周筱 谢云龙 《分子科学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期131-137,I0004,共8页
采用密度泛函理论CAM-B3LYP/DGDZVP2对c-C4F8进行优化计算,得到基态分子结构.在该结构基础上施加线性外电场(0~10.284 V·pm^-1),获得了c-C4F8的几何特性、能量、前线轨道能级、键能和红外光谱数据.结果表明:当电场沿x轴变大时,c-C... 采用密度泛函理论CAM-B3LYP/DGDZVP2对c-C4F8进行优化计算,得到基态分子结构.在该结构基础上施加线性外电场(0~10.284 V·pm^-1),获得了c-C4F8的几何特性、能量、前线轨道能级、键能和红外光谱数据.结果表明:当电场沿x轴变大时,c-C4F8的点群从D2d变为C1,偶极矩和极化率不断增大,结构稳定性降低;分子总能量和能隙不断减小,且C(4)-F(10)键的键能降低速度最快,最有可能率先在外电场作用下断裂,导致c-C4F8结构和对称性被破坏.同时c-C4F8的绝热电子亲和能单调上升,分子吸收自由电子的能力增强;红外光谱中,吸收峰的个数增加,4个主要吸收峰发生了红移. 展开更多
关键词 c-c4f8 外电场 绝热电子亲和能 红外光谱
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替代SF_6的环境友好混合气体c-C_4F_8/N_2绝缘特性 被引量:10
3
作者 张然 王珏 +2 位作者 李璟 任成燕 严萍 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期414-419,共6页
SF_6因具有良好的绝缘效果而被广泛地应用于电力系统中。但同时,SF_6也是一种温室气体,随着环境问题日益恶化,人们迫切需要找到替代SF_6的绝缘气体。为此,通过实验研究了环境友好气体c-C_4F_8及c-C_4F_8/N_2混合气体替代SF_6的可行性。... SF_6因具有良好的绝缘效果而被广泛地应用于电力系统中。但同时,SF_6也是一种温室气体,随着环境问题日益恶化,人们迫切需要找到替代SF_6的绝缘气体。为此,通过实验研究了环境友好气体c-C_4F_8及c-C_4F_8/N_2混合气体替代SF_6的可行性。通过调节电极间隙(1~6 mm)和气压(150~350 k Pa),测量了气体在不同条件下的击穿电压及击穿电流波形,得到了气体的绝缘特性并与SF_6气体进行了对比分析。实验结果表明:纯净的c-C_4F_8气体的绝缘强度约为SF_6的1.3倍,体积比为1:1的c-C_4F_8/N_2混合气体的绝缘强度约为与SF_6的0.9倍。通过计算,c-C_4F_8/N_2混合气体的液化温度可以达到电力系统使用要求。考虑到c-C_4F_8气体对于环境的影响较小,使用c-C_4F_8/N_2混合气体作为替代SF_6的绝缘气体,有着良好的应用前景。 展开更多
关键词 环境友好气体 SF6 c-c4f8 c-c4f8/N2 绝缘特性 直流击穿 液化温度
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C_4F_8/N_2混合气体局部放电特性实验研究 被引量:41
4
作者 邢卫军 张国强 +3 位作者 李康 牛文豪 王新 王迎迎 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期119-124,共6页
由于SF6气体的温室效应,减少或杜绝SF6气体的使用已成为共识。从局部放电(partial discharge,PD)性能的角度探讨了用C4F8/N2混合气体代替SF6气体用于气体绝缘设备的可行性。通过试验测量C4F8/N2混合气体在不同气压、不同混合比、不同电... 由于SF6气体的温室效应,减少或杜绝SF6气体的使用已成为共识。从局部放电(partial discharge,PD)性能的角度探讨了用C4F8/N2混合气体代替SF6气体用于气体绝缘设备的可行性。通过试验测量C4F8/N2混合气体在不同气压、不同混合比、不同电极距离情形下的局部放电起始电压,得到了这3种因素对混合气体局部放电性能的影响,并与纯SF6气体的局部放电起始电压做了对比。结果表明:纯C4F8气体的局部放电起始电压是纯SF6气体的1.3倍左右;C4F8气体与N2气体具有协同效应,协同系数在0.45左右;C4F8/N2混合气体的局部放电能力与同混合比的SF6/N2混合气体的相似。因此,综合考虑液化温度、环境影响、局部放电性能后,C4F8气体含量在10%~20%的C4F8/N2混合气体有可能替代SF6气体用于气体绝缘设备。 展开更多
关键词 电力系统 c4f8/N2 混合气体 局部放电 协同效应
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环氧复合绝缘材料表面处理方法对高气压下闪络特性的影响 被引量:8
5
作者 王珏 徐蓉 严萍 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第20期4704-4711,共8页
分别采用放电等离子体、离子注入、表面直接氟化的方法对环氧复合绝缘样品进行处理。研究不同处理方法对绝缘材料表面状况及高气压c-C_4F_8/N_2混合气体中的负直流高压下闪络特性的影响。实验结果显示等离子体和离子注入方法对绝缘样品... 分别采用放电等离子体、离子注入、表面直接氟化的方法对环氧复合绝缘样品进行处理。研究不同处理方法对绝缘材料表面状况及高气压c-C_4F_8/N_2混合气体中的负直流高压下闪络特性的影响。实验结果显示等离子体和离子注入方法对绝缘样品表面改性无法提高样品在高气压c-C_4F_8/N_2混合气体中的沿面闪络电压,并且放电会直接破坏表面结构,导致绝缘失效;采用表面直接氟化处理的环氧绝缘样品,闪络电压有所提高。测量表明,表面氟化引起环氧复合绝缘材料表面电位降低,电位衰减加快,表面陷阱能级下降,陷阱密度随氟化时间加长而增加。通过研究认为,目前放电等离子体和离子注入方法处理绝缘材料表面,在技术上还需要完善。表面直接氟化处理环氧材料表面可以提高其在高气压下闪络特性,但是耐受放电次数的减少将制约它的应用。 展开更多
关键词 高气压闪络 c-c4f8 表面处理 环氧复合绝缘
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少量O_2对c-C_4F_8/N_2混合气体击穿与分解特性的影响 被引量:10
6
作者 张晓星 邓载韬 +3 位作者 傅明利 卓然 肖淞 李祎 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期708-715,共8页
c-C_4F_8由于具有良好的绝缘性能和较低的温室效应潜能(GWP)值而得到了替代气体领域的广泛关注,但目前O_2对c-C_4F_8击穿与分解特性的影响还鲜有研究。为此,通过试验比较了不同比例O_2下c-C_4F_8/N_2的工频击穿特性和自恢复特性,分析了... c-C_4F_8由于具有良好的绝缘性能和较低的温室效应潜能(GWP)值而得到了替代气体领域的广泛关注,但目前O_2对c-C_4F_8击穿与分解特性的影响还鲜有研究。为此,通过试验比较了不同比例O_2下c-C_4F_8/N_2的工频击穿特性和自恢复特性,分析了电极析出物成分和气体分解产物成分并讨论了c-C_4F_8分解的途径和机理。结果表明:O_2会显著降低c-C_4F_8/N_2的工频击穿电压,含有体积分数3%的O_2混合气体自恢复特性大幅降低;含有O_2的c-C_4F_8/N_2击穿后会析出黑色物质,其组成元素主要为COF,为C的单质和C的氧氟化物;O_2对c-C_4F_8的分解有促进作用,除生成更多CF_4、C_2F_4等气体外,还额外产生大量有毒性和腐蚀性的COF_2。综合绝缘特性和分解特性,c-C_4F_8不宜与干燥空气混合使用,实际使用时应严格控制c-C_4F_8混合气体中的氧气含量。 展开更多
关键词 SF6替代气体 c-c4f8/N2混合气体 击穿特性 分解组分 形成机理
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c-C_4F_8/N_2混合气体稍不均匀电场下绝缘性能及放电分解产物的试验研究 被引量:4
7
作者 邓先钦 薛鹏 +1 位作者 赵谡 张辉 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期73-77,共5页
SF6存在液化温度高和温室效应两大问题,电力行业发展急需新型环保气体。本文对cC_4F_8/N_2混合气体的绝缘性能进行了试验研究,测量了在稍不均匀电场中,不同气压强度以及混合比例条件下的工频交流击穿电压,结果表明,在实验条件范围内,击... SF6存在液化温度高和温室效应两大问题,电力行业发展急需新型环保气体。本文对cC_4F_8/N_2混合气体的绝缘性能进行了试验研究,测量了在稍不均匀电场中,不同气压强度以及混合比例条件下的工频交流击穿电压,结果表明,在实验条件范围内,击穿电压随着气压和c-C_4F_8占比的上升而上升;将实验结果与SF6比较发现c-C_4F_8/N_2混合气体具备和SF6相当的绝缘性能。此外,本文还对混合气体击穿后的气体进行了检测,发现了分解产物C_2F_4。本文为今后c-C_4F_8/N_2混合气体在电力行业中的实际应用提供了参考。 展开更多
关键词 SF6替代气体 c-c4f8/N2混合气体 绝缘性能 C2F4
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环保型绝缘气体的发展前景 被引量:125
8
作者 肖登明 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1035-1046,共12页
阐述了气体绝缘发展的3个阶段,描述了环保型气体绝缘的研究现状。分析了绝缘气体的基本物理化学性能,分析了碳碳双键结构的气体提高气体的绝缘性能的影响机理,指出了卤族元素对气体电气强度影响的特性,提出了几种具有潜力替代SF_6的环... 阐述了气体绝缘发展的3个阶段,描述了环保型气体绝缘的研究现状。分析了绝缘气体的基本物理化学性能,分析了碳碳双键结构的气体提高气体的绝缘性能的影响机理,指出了卤族元素对气体电气强度影响的特性,提出了几种具有潜力替代SF_6的环保型绝缘气体。预测了环保型气体绝缘的发展前景,对两种目前最有有潜力取代SF_6的环保型气体c-C4F_8和CF_3I进行了的分析研究,提出了它们目前的应用可行性及适用范围,指出了进一步的研究方向。 展开更多
关键词 环保气体 替代气体 c-c4f8 CF3I 绝缘特性
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DBD-PECVD法制备高疏水性氟碳聚合物(a-C:F)薄膜的研究 被引量:1
9
作者 尹晔珺 李东明 +3 位作者 刘东平 谷建东 牛金海 冯志庆 《大连民族学院学报》 CAS 2009年第1期45-50,共6页
以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-... 以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-C:F薄膜疏水性的影响。实验结果表明,薄膜的沉积速率随放电压力的升高而增大,最大值为193 nm.min-1;当放电压力较低时,薄膜的RMS值小于1.0 nm;放电压力较高时,薄膜的RMS值大于100 nm。无论是改变放电压力还是沉积时间,a-C:F薄膜均表现出很强的疏水特性,最大接触角(以普通滤纸为基底)可达137°。a-C:F薄膜的表面粗糙度是影响a-C:F薄膜疏水性的重要因素。 展开更多
关键词 DBD--PECVD a—C:F c4f8 接触角 疏水特性
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c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘性能 被引量:30
10
作者 满林坤 邓云坤 肖登明 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期788-794,共7页
为寻找温室效应指数(GWP)低的SF_6替代气体,研究了c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘性能,在球板电极下进行了不同间隙距离、不同气压、不同气体体积分数的c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体工频击穿实验。同时进行了SF_6、... 为寻找温室效应指数(GWP)低的SF_6替代气体,研究了c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘性能,在球板电极下进行了不同间隙距离、不同气压、不同气体体积分数的c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体工频击穿实验。同时进行了SF_6、c-C_4F_8、N_2和CO_2的对比实验,并对击穿之后的分解产物进行了检测。实验结果表明:c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体的击穿电压值都随着间隙距离、气压和c-C_4F_8体积分数的增加而增加;c-C_4F_8气体与N_2、CO_2之间均存在协同效应;稍不均匀场中0.1MPa气压下的c-C_4F_8体积分数为30%的c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘性能分别约为SF_6的75%和79%;5%~30%体积分数的c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2的协同效应系数分别在0.20~0.79之间和0.15~0.65之间。从绝缘性能、液化温度和环境保护等方面来看,c-C_4F_8/N_2与c-C_4F_8/CO_2混合气体有可能作为SF_6的替代气体,应用在电力设备中。 展开更多
关键词 SF6的替代气体 绝缘性能 工频耐压实验 c-c4f8/N2与c-c4f8/CO2混合气体
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c-C_4F_8在球板电极下的绝缘性能和绝缘子沿面闪络特性研究 被引量:5
11
作者 满林坤 肖登明 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期66-70,共5页
文中从c-C_4F_8的绝缘性能和绝缘子沿面闪络特性角度出发,进行了球板电极下对c-C_4F_8的工频击穿实验和雷电冲击实验,以及常压下绝缘子的沿面闪络击穿实验。同时进行了SF_6、N_2和CO_2的对比实验。实验结果表明,对于气隙击穿的工频耐压... 文中从c-C_4F_8的绝缘性能和绝缘子沿面闪络特性角度出发,进行了球板电极下对c-C_4F_8的工频击穿实验和雷电冲击实验,以及常压下绝缘子的沿面闪络击穿实验。同时进行了SF_6、N_2和CO_2的对比实验。实验结果表明,对于气隙击穿的工频耐压实验和雷电冲击实验,c-C_4F_8的击穿电压值都随着间隙距离的升高而增加,并呈线性趋势;在稍不均匀电场中,c-C_4F_8的绝缘性能约为SF_6的1.4倍;c-C_4F_8中绝缘子的闪络电压明显大于SF_6。从绝缘性能的角度来看,c-C_4F_8在某些条件下可以作为SF_6的一种替代气体,用在电力设备中。 展开更多
关键词 SF6替代气体 c—c4f8 绝缘性能 绝缘子沿面闪络特性 工频耐压实验和雷电冲击耐压实验
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SF_6替代气体与空气混合的绝缘性能研究 被引量:7
12
作者 林启明 邓云坤 +1 位作者 赵谡 肖登明 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期56-62,共7页
CF_3I和c-C_4F_8作为目前研究最多的SF_6替代气体,需要与缓冲气体混合以降低液化温度。为了评估使用空气作为SF_6替代气体缓冲气体的可能性,通过求解两项近似的Boltzmann方程,计算了CF_3I/空气、c-C_4F_8/空气混合气体的电子崩参数。首... CF_3I和c-C_4F_8作为目前研究最多的SF_6替代气体,需要与缓冲气体混合以降低液化温度。为了评估使用空气作为SF_6替代气体缓冲气体的可能性,通过求解两项近似的Boltzmann方程,计算了CF_3I/空气、c-C_4F_8/空气混合气体的电子崩参数。首先,分别计算了CF_3I/空气、c-C_4F_8/空气混合气体的约化电离系数、约化附着系数、约化有效电离系数、约化临界场强,以及表征对不均匀电场敏感程度的c值(约化有效电离系数关于约化电场的关系曲线中零点附近的斜率值)。然后,将计算值与约化临界场强和c值分别与CF_3I/CO_2、CF_3I/N_2和c-C_4F_8/CO_2、c-C_4F_8/N_2混合气体进行对比,从绝缘强度、对不均匀电场的敏感程度两个方面评估空气作为缓冲气体的优劣。结果表明,70%/30%的CF_3I/空气、c-C_4F_8/空气混合气体绝缘性能与SF_6相当;在空气、CO_2、N_23种缓冲气体中,与CF_3I混合,空气是最佳选项;与c-C_4F_8混合,空气和N_2难分高下,二者均优于CO_2。 展开更多
关键词 气体绝缘 BOLTZMANN方程 空气 CF3I c-c4f8 SF6替代气体
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高深宽比石英结构的NLD刻蚀
13
作者 吴亚宁 张伟 +4 位作者 王逸群 黄健 缪小虎 王进 金晓盛 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第9期645-649,共5页
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随... 基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。 展开更多
关键词 磁中性环路放电(NLD)等离子体 Ar+c4f8 石英 高深宽比 刻蚀
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高冰点热管工作特性实验研究及在“嫦娥四号”探测器上的应用 被引量:2
14
作者 刘畅 宗立争 +5 位作者 王录 吕巍 苗建印 范雨秾 王浩然 马巨印 《航天器环境工程》 2019年第6期635-640,共6页
文章针对月球探测器设备月昼高效传热和月夜阻断传热需求,设计了一种以八氟环丁烷为工质的开关式高冰点槽道热管,对其常温下传热性能及启动特性开展了地面实验研究。结果表明:热管工作温度35~55℃范围内的最大传热量大于40 W;工作在35~5... 文章针对月球探测器设备月昼高效传热和月夜阻断传热需求,设计了一种以八氟环丁烷为工质的开关式高冰点槽道热管,对其常温下传热性能及启动特性开展了地面实验研究。结果表明:热管工作温度35~55℃范围内的最大传热量大于40 W;工作在35~55℃温度范围、传热量为25 W时,蒸发段测点与冷凝段测点温差小于5℃;在相同传热量情况下,工作温度越高,传热温差越小;管体与水平面夹角分别为10°、30°两种情况下,热管均能在90 s内正常启动。该热管已在“嫦娥四号”探测器中得到成功应用。探测器地面热平衡试验和在轨数据表明,高冰点热管在月昼高温工况传热效果良好,月夜低温工况热管工质冻结、可以实现设备保温,确保了探测器相关设备在轨的高性能工作。 展开更多
关键词 月球探测器 热设计 高冰点热管 八氟环丁烷 地面实验研究 嫦娥四号
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O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
15
作者 刘卉敏 周峰 +2 位作者 崔进 邓艳红 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第2期53-57,共5页
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分... 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 O2/c4f8等离子体 双频电容耦合放电
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基于FPGA和LM75A的测温系统设计 被引量:5
16
作者 刘欢 欧伟明 +1 位作者 陈财彪 周志伟 《湖南工业大学学报》 2014年第4期25-29,共5页
设计了一种基于FPGA和LM75A的温度测量系统。硬件设计上,系统以EP4CE15F17C8N为主控芯片,采用数字温度传感器LM75A检测环境温度,并利用LM75A自带的IIC总线接口传输数据,通过数码管将温度实时显示出来;软件设计上,采用自顶向下模块化设... 设计了一种基于FPGA和LM75A的温度测量系统。硬件设计上,系统以EP4CE15F17C8N为主控芯片,采用数字温度传感器LM75A检测环境温度,并利用LM75A自带的IIC总线接口传输数据,通过数码管将温度实时显示出来;软件设计上,采用自顶向下模块化设计思想,先设计出IIC通信模块、温度显示模块,然后再编写顶层模块,将2个模块整合。试验结果表明,本系统测温精确,且运行稳定。 展开更多
关键词 温度采集 FPGA LM75A EP4CE15F17C8N IIC总线
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C_2F_6、C_4F_8的双频电容耦合等离子体特性研究
17
作者 黄宏伟 钱侬 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第3期66-72,共7页
采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F... 采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F6或C4F8等离子体中出现不同分解过程,这种对气体分解反应的选择性为实现双频等离子体刻蚀薄膜的精确控制提供了可能. 展开更多
关键词 C2F6、c4f8等离子体 双频电容耦合放电 等离子体发射光谱
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c-C_4F_8/N_2混合气体的绝缘子沿面闪络性能 被引量:3
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作者 满林坤 张明理 +3 位作者 潘霄 卢天琪 杨天蒙 孙国庆 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1234-1240,共7页
为了全面了解c-C_4F_8/N_2混合气体的绝缘性能,对c-C_4F_8/N_2的绝缘子沿面闪络性能展开了较为详细的研究:从绝缘子沿面闪络实验着手,在工频交流耐压实验和雷电冲击实验下测量了不同气压、不同气体比例和不同电压类型下的c-C_4F_8/N_2... 为了全面了解c-C_4F_8/N_2混合气体的绝缘性能,对c-C_4F_8/N_2的绝缘子沿面闪络性能展开了较为详细的研究:从绝缘子沿面闪络实验着手,在工频交流耐压实验和雷电冲击实验下测量了不同气压、不同气体比例和不同电压类型下的c-C_4F_8/N_2沿面闪络电压,并与N_2和SF_6进行比较,同时检测了实验后的气体分解产物。实验结果表明,在不同电压类型下,气压和c-C_4F_8体积分数是影响c-C_4F_8/N_2沿面闪络性能的重要因素;在0.10 MPa下,c-C_4F_8体积分数为30%的c-C_4F_8/N_2的沿面闪络性能为SF_6的73%;在0.30 MPa下,体积分数为30%的c-C_4F_8/N_2的沿面闪络性能约为0.10 MPa下SF_6的1.4倍。从绝缘子沿面闪络性能角度来看,c-C_4F_8/N_2混合气体有可能作为SF_6的替代气体应用在电力设备中。 展开更多
关键词 c-c4f8/N2混合气体 沿面闪络 绝缘子 气体分解 工频交流耐压 雷电冲击电压
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c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘子沿面闪络性能研究 被引量:3
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作者 满林坤 高靖 +5 位作者 邓鑫阳 张辉 郑利川 张景旭 操卫康 谢增林 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2019年第1期22-28,共7页
对c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘子沿面闪络性能展开研究,得到了在不同气压、不同电压类型下不同混合比例的c-C_4F_8/CO_2的沿面闪络电压,与CO_2和SF_6的沿面闪络电压进行对比,并观测实验后的绝缘子。结果表明:在工频电压和雷电冲击电压... 对c-C_4F_8/CO_2混合气体的绝缘子沿面闪络性能展开研究,得到了在不同气压、不同电压类型下不同混合比例的c-C_4F_8/CO_2的沿面闪络电压,与CO_2和SF_6的沿面闪络电压进行对比,并观测实验后的绝缘子。结果表明:在工频电压和雷电冲击电压下,c-C_4F_8含量和气压是影响c-C_4F_8/CO_2沿面闪络性能的重要因素;在0.10MPa下,c-C_4F_8含量为30%的c-C_4F_8/CO_2的沿面闪络电压为SF_6的80%;在0.30 MPa下,30%含量的c-C_4F_8/CO_2沿面闪络电压约为0.10 MPa下SF_6的1.4倍,但多次实验之后绝缘子出现损坏。 展开更多
关键词 SF6替代气体 c-c4f8/CO2混合气体 沿面闪络实验 绝缘子
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