期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
C_2S-C_2A_xF_(1-x)二元体系低钙节能水泥的试验研究
1
作者 谢斐琳 严云 +2 位作者 胡志华 杨林 张旭 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期18-23,共6页
以硫铁矿烧渣为原料,研究了C2S-C2Ax F1-x体系水泥的煅烧制度,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及矿物定量,对水泥熟料矿物相组成、形貌进行了分析。同时研究了石膏掺量对水泥凝结时间,抗压强度及水化产物的影响。结果表明,最佳煅烧... 以硫铁矿烧渣为原料,研究了C2S-C2Ax F1-x体系水泥的煅烧制度,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及矿物定量,对水泥熟料矿物相组成、形貌进行了分析。同时研究了石膏掺量对水泥凝结时间,抗压强度及水化产物的影响。结果表明,最佳煅烧制度为1 280℃煅烧30 min,其中水泥熟料矿物组成比例为C2S 50.19%,C2Ax F1-x45.30%;水泥的凝结时间随着石膏掺量的增加而增加;抗压强度也随着石膏掺量的增加而增大,综合考虑,最佳石膏掺量为20%;当石膏掺量为0%和5%时,28d水化产物以C2S和C3(A,F)H6为主,当石膏掺量超过10%时,28d水化产物是C-S-H和AFt。 展开更多
关键词 c2s-c2ax-f1-x 低钙节能 石膏
原文传递
Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体电学、力学和热学性能的理论研究 被引量：3
2
作者 王雪飞 马静婕 +1 位作者 焦照勇 张现周 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第20期203-211,共9页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法对Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2(x=0,0.25,0.5,0.75,1)固溶体的晶格结构、结构稳定性、电子结构、力学和热学性质进行了系统的理论研究.研究结果表明:Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体具... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法对Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2(x=0,0.25,0.5,0.75,1)固溶体的晶格结构、结构稳定性、电子结构、力学和热学性质进行了系统的理论研究.研究结果表明:Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体具有金属性,都是热力学和力学稳定的脆性材料;Sn原子掺杂能在一定程度上提高材料的力学性能,当Sn原子掺杂浓度为0.75时有最大的体积模量,而掺杂浓度为0.5时有最大剪切模量.此外,Ti_3(Sn_xAl_(1-x))C_2固溶体都具有较高的熔点和德拜温度,其中Ti_3AlC_2,Ti3(Sn_(0.25)Al_(0.75))C_2和Ti3(Sn_(0.5)Al_(0.5))C_2在室温下的晶格热导率均能达到40 W/(m·K)以上,是良好的导热性材料. 展开更多
关键词 Ti3(SnxAl1-x)c2固溶体 力学性质 热学性质 第一性原理计算
在线阅读 下载PDF
透明导电CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)薄膜的固溶度扩展和c轴外延生长 被引量：2
3
作者 沈艳 刘丹丹 +4 位作者 宋世金 唐艳艳 胡一丁 武浩荣 虞澜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期10008-10012,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温电阻率单调下降2~3个数量级,热激活能由0.22 eV下降至0.025 eV,由此推断薄膜中Mg的固溶度至少为0.08,与多晶(~0.03)相比显著扩展。这是由于PLD薄膜生长具有非平衡、瞬时爆炸特征,使靶材第二相(MgCr_(2)O_(4))中的Mg重新以等离子态定向运输到衬底上,迁移固溶到薄膜晶格中,固溶度扩展。薄膜(x=0,0.02)在380~780 nm可见光区的透过率为60%~80%,直接光学带隙E g分别为3.06 eV、3.04 eV。更多Mg^(2+)替代Cr^(3+)时,会在价带顶上方引入受主能级并展宽,使热激活能显著下降,产生更多空穴载流子,透过率和光学带隙略有下降;Mg固溶到晶格中,促进薄膜层状晶粒长大,外延性提高,使电阻率进一步下降。 展开更多
关键词 cucr_(1-x)Mg_(x)O_(2)薄膜 透明导电 脉冲激光沉积 固溶度扩展 c轴外延生长
在线阅读 下载PDF
Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性 被引量：1
4
作者 孟佳源 李毅 +4 位作者 赵裕春 武浩荣 汪雪松 骆婉君 虞澜 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期163-169,共7页
采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,... 采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,探讨了Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷电导率各向异性的机制。当x≤0.030时,多晶为菱方R3m单相结构,随着掺杂量的增加,晶粒在面内充分长大,气孔和晶界减少,致密度逐渐提高,多晶呈现热激活半导体电输运行为;当x=0.030时,面内取向因子F((00l))达到最高值0.912,面内c轴择优取向远优于厚度方向,面内和厚度方向的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶室温电阻率分别显著下降至1.80×10^(-3)和3.16×10^(-3)Ω·m,这是由于其结构各向异性的差异,热激活能均减小至0.03 eV,c轴择优取向对热激活能影响并不明显,最大载流子浓度比母相均增加3个量级,晶界缺陷更少,平均自由程增大,输运能力更强,电导率更高。实验表明最优掺杂量为x=0.030,当掺杂量x高于0.030时,出现MgCr_(2)O_(4)尖晶石杂相,样品的微观结构和电输运性能变差。 展开更多
关键词 c轴择优 cucr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶 各向异性 电阻率 晶界缺陷 电输运
在线阅读 下载PDF
RF-PCVD法制备纳米碳化钨微晶的研究 被引量：1
5
作者 展红全 孙彦平 《陶瓷学报》 CAS 2006年第2期176-180,共5页
采用高频等离子体化学气相沉积法(RF-PCVD),以WCl6+C2H2+H2的反应体系来制备纳米碳化钨微晶,实验制得了粒径小于100nm,平均粒径为50nm的纳米碳化钨微晶样品。理论分析和实验结果都表明:RF-PCVD法制备的碳化钨样品比较复杂,含有WC,W2C,WC... 采用高频等离子体化学气相沉积法(RF-PCVD),以WCl6+C2H2+H2的反应体系来制备纳米碳化钨微晶,实验制得了粒径小于100nm,平均粒径为50nm的纳米碳化钨微晶样品。理论分析和实验结果都表明:RF-PCVD法制备的碳化钨样品比较复杂,含有WC,W2C,WC1-x等三种碳化钨。其中WC的硬度较高,而W2C,WC1-x的催化活性较好。 展开更多
关键词 高频等离子体 化学气相沉积法 纳米 Wc W2c Wc1-x
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部