应用C-V测量研究铁电薄膜材料的电特性

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作者 李岩 苏学军 刘新彦 《测控技术》 CSCD 2001年第6期64-65,共2页

通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C V特性曲线 ,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr 提高 ,界面上固定电荷的分布和性质发生了变化。

关键词 c-v曲线 铁电薄膜材料 c-v测量 电特性

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准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法

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作者 李同合 陈光遂 高捷 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期514-517,共4页

准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特... 准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量... 展开更多

关键词 准静态 c-v测量 半导体 ATF 界面陷阱密度 测量

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半导体C-V测量基础 被引量：2

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作者 Lee Stauffer 《电子质量》 2009年第9期20-22,共3页

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、... 通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。 展开更多

关键词 半导体器件 c-v测量 Ⅲ-Ⅴ族化合物 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 通用测试

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吉时利仪器公司推出C-V测量性能更佳的4200-CVU

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《电信科学》 北大核心 2007年第12期94-94,共1页

吉时利仪器公司宣布推出4200-CVU，为4200-SCS半导体特性分析系统新增C-V测量功能。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200S-CS的任意可用仪器插槽中，能在10kHz～10MHz频率范围内快速、方便地测量腰和nF级电容，具有直观的点击式配置界... 吉时利仪器公司宣布推出4200-CVU，为4200-SCS半导体特性分析系统新增C-V测量功能。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200S-CS的任意可用仪器插槽中，能在10kHz～10MHz频率范围内快速、方便地测量腰和nF级电容，具有直观的点击式配置界面，线缆连接简单，内置的元件模型能够使用户直接获得有效的C-V测量结果。无论用户是否具有相关测量经验，都能使用该仪器实现专业级的C-v测量。由于4200-CVU附带完整的测试库，因此极大提高了测量效率。如果与吉时利4200-LS-LC-12结合使用，将实现更高测量效率。 展开更多

关键词 吉时利仪器公司 测量性能 半导体特性分析系统 4200-SCS 测量效率 c-v测量 c-v测量 测量功能

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半导体C-V测量基础

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作者 Lee Stauffer 《电子与电脑》 2009年第8期87-90,共4页

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机... 通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。 展开更多

关键词 半导体器件 c-v测量 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器 通用测试 电容-电压

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4200-CVU：C-V测量功能模块

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《世界电子元器件》 2007年第11期74-74,共1页

吉时利仪器为其4200-SCS半导体特性分析系统新增一套C-V测量功能-4200-CVU。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200-SCS的任意可用仪器插槽中，能在10kHz到10MHz的频率范围内快速而方便地测量飞法（fF）和纳法（nF）级电容。该设备具有直... 吉时利仪器为其4200-SCS半导体特性分析系统新增一套C-V测量功能-4200-CVU。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200-SCS的任意可用仪器插槽中，能在10kHz到10MHz的频率范围内快速而方便地测量飞法（fF）和纳法（nF）级电容。该设备具有直观的点击式配置界面，线缆连接简单，内置的元件模型能够使用户直接获得有效的C—V测量结果。 展开更多

关键词 c-v测量 功能模块 4200-SCS 半导体特性分析系统 测量功能 测量模块 频率范围 元件模型

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电化学C-V法测量AlGaAs材料载流子浓度分布

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作者 颜慧 《石油石化物资采购》 2020年第11期97-98,共2页

电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs... 电化学C-V测量是半导体行业常用的一种测试方法,通过循环腐蚀-测量的过程能够得到载流子的纵向分布曲线。使用电化学C-V测量对AlGaAs材料掺杂浓度进行测试,在测试过程中对耗散因子、测试频率和腐蚀电流进行优化选择,能够准确地对AlGaAs材料的掺杂浓度进行纵向剖析,通过测量曲线的分析来指导外延层浓度的设计和优化,进一步提高器件性能。 展开更多

关键词 电化学c-v测量 AlGaAs材料 载流子浓度

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铁电薄膜C-V特性测量研究

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作者 冯术成 杨传仁 +3 位作者 陈宏伟 符春林 廖家轩 尹开锯 《实验科学与技术》 2005年第z1期129-131,共3页

采用TH2828型LCR测试仪及四端对接测量方法,搭建了铁电薄膜的介电特性测试平台。利用此测试平台对自制钛酸锶钡(简称BST)铁电薄膜材料的C-V特性进行测量,能准确表征铁电薄膜的介电特性。

关键词 铁电薄膜 c-v特性测量 四端对接 实验

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硅结构中载流子浓度纵向分布的自动测量

9

作者 罗江财 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第3期12-15,共4页

本文叙述了通过自动电化学C-V剖面图技术,在宽的掺杂和深度范围内,载流子浓度纵向分布的测量。用电化学C-V剖面图技术,可以对扩散层、离子注入层和外延层这样的硅结构,进行自动的载流子浓度纵向分布描绘。它具有操作简便、分辨率高、以... 本文叙述了通过自动电化学C-V剖面图技术,在宽的掺杂和深度范围内,载流子浓度纵向分布的测量。用电化学C-V剖面图技术,可以对扩散层、离子注入层和外延层这样的硅结构,进行自动的载流子浓度纵向分布描绘。它具有操作简便、分辨率高、以及能测高浓度而深度不受限制的优点。 展开更多

关键词 硅结构 集成电路 c-v测量 电化学

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瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究

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作者 贾英波 李名复 +2 位作者 周洁 高季林 孔梅影 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期809-821,共13页

本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模... 本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及导带电子浓度随温度的变化关系,并由此导出测量DX中心热电离能的方法。另外,还对DX中心正∪和负∪两种模型的理论分析和实验结果进行了比较,得出不同模型所应满足的附加条件。 展开更多

关键词 ALGAAS DX中心 c-v测量 正U模型

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MOS结构准静态测试中的异常C-V曲线

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作者 刘可辛 罗升旭 +2 位作者 郑中山 王继春 王子建 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第3期16-18,7,共4页

本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。

关键词 MOS结构 准静态 c-v测量 c-v曲线

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利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构 被引量：1

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作者 郑晓思 符斯列 《物理实验》 2020年第5期1-5,共5页

利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,... 利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm^-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32 nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm^-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低. 展开更多

关键词 c-v测量法 GAN基蓝光LED 多量子阱

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半导体C—V测量基础——C—V测量能够提供有关器件和材料特征的大量信息 被引量：2

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作者 Lee Stauffer 《国外电子测量技术》 2009年第3期8-11,共4页

关键词 半导体器件 c-v测量 材料特征 信息 基础 MOSFET MEMS器件 TFT显示器

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界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

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作者 袁晓利 施毅 +2 位作者 朱建民 顾书林 郑有炓 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期613-618,共6页

利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行... 利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2 展开更多

关键词 硅纳米晶粒 界面陷阱 直接隧穿 c-v测量 MOS电容 电荷存储特性 二氧化硅/硅衬底界面态

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Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用 被引量：3

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作者 丁格曼 张军朋 《大学物理实验》 2016年第2期90-93,共4页

基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C^2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布曲线。

关键词 c-v测量法 ORIGIN 杂质浓度分布 PN结

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射频晶圆测试:半导体生产的紧急需要

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作者 Carl Scharrer 《世界电子元器件》 2006年第5期72-75,共4页

主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的：射频紧凑型模型的参数提取更适合将射频测量降到最少.如有必要,应该从支持仿真的标准I-V和C-V测量中提... 主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的：射频紧凑型模型的参数提取更适合将射频测量降到最少.如有必要,应该从支持仿真的标准I-V和C-V测量中提取参数.问题是对于极薄的电介质,由于高漏电流和非线性,标准I-V和C-V测量不可能直接提取COX参数,但是对于1～40GHz的高频电路建模和射频紧凑型模型验证来说,准确提取参数就变得很重要了.随着工业发展趋于65nm节点甚至更高,对于高性能低成本数字、射频、模拟混合信号装置来说,这种挑战也与日俱增. 展开更多

关键词 半导体生产 射频测量 晶圆测试 c-v测量 紧急 参数提取 仿真技术 模型验证 直接提取 高频电路

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化合物半导体的电化学C—V载流子浓度剖面分布

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作者 罗江财 《半导体杂志》 1989年第4期6-10,共5页

关键词 化合物半导体 电化学 c-v测量

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