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具有气凝胶结构特征的C/SiO2和C/SiC复合材料研究进展 被引量:4
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作者 何飞 李亚 +2 位作者 骆金 方旻翰 赫晓东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期449-458,共10页
具有气凝胶结构特征的C/SiO_2和C/SiC复合材料因其多样的结构存在形式和多孔、轻质、耐高温等特性,在高温隔热、吸附、催化、储氢、光电等多种领域具有广泛的应用前景和研究价值。依据硅源与碳源的不同引入方式,本文综述了采用共聚法、... 具有气凝胶结构特征的C/SiO_2和C/SiC复合材料因其多样的结构存在形式和多孔、轻质、耐高温等特性,在高温隔热、吸附、催化、储氢、光电等多种领域具有广泛的应用前景和研究价值。依据硅源与碳源的不同引入方式,本文综述了采用共聚法、浸入法和聚合物先驱体热解法制备的具有气凝胶结构特征的C/SiO_2和C/SiC复合材料的研究现状。借助碳材料与SiO_2两者间的相对存在形式,探讨了这三种工艺方法制备C/SiO_2和C/SiC复合材料的工艺特点,分析了材料所呈现的组织结构特征、合成机理和性能特点,并对其潜在的应用前景进行了展望。硅与碳之间多样的复合方式使C/SiO_2和C/SiC复合材料呈现出多样的材料特征和特性,为相关研究开辟了新的方向。 展开更多
关键词 c/sio2复合材料 c/SIc复合材料 气凝胶 溶胶-凝胶法 制备 综述
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块状低密度C/SiO_2复合气凝胶的制备 被引量:5
2
作者 孔勇 仲亚 +4 位作者 沈晓冬 胡丹丹 崔升 滕凯明 张君君 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第4期6-10,共5页
采用溶胶凝胶法结合CO_2超临界干燥工艺制备间苯二酚甲醛/SiO_2(RF/SiO_2)复合气凝胶,RF/SiO_2气凝胶高温炭化得到块状低密度C/SiO_2复合气凝胶研究反应物质量分数对溶胶凝胶过程和热处理过程的影响,考察不同热处理温度对C/SiO_2复合气... 采用溶胶凝胶法结合CO_2超临界干燥工艺制备间苯二酚甲醛/SiO_2(RF/SiO_2)复合气凝胶,RF/SiO_2气凝胶高温炭化得到块状低密度C/SiO_2复合气凝胶研究反应物质量分数对溶胶凝胶过程和热处理过程的影响,考察不同热处理温度对C/SiO_2复合气凝胶孔结构的影响。结果表明:反应物质量分数为13%时,RF/SiO_2气凝胶受热处理工艺的影响较小,炭化温度升高至1200℃对C/SiO_2气凝胶网络结构有明显的改善作用。 展开更多
关键词 RF/sio2气凝胶 c/sio2气凝胶 超临界干燥 炭化 孔结构
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大尺寸大孔径C/SiO_2复合导电材料的制备 被引量:5
3
作者 龙能兵 王秋景 张瑞丰 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期119-125,共7页
以大尺寸大孔径SiO2为模板,通过丙烯腈溶液浸渍、原位聚合、溶剂蒸发制备出聚丙烯腈(PAN)/SiO2复合物,再经800℃真空炭化处理得到大尺寸大孔径的C/SiO2复合材料。用SEM、FTIR、XPS和粉末XRD对样品结构进行表征。结果表明:SiO2模板特有... 以大尺寸大孔径SiO2为模板,通过丙烯腈溶液浸渍、原位聚合、溶剂蒸发制备出聚丙烯腈(PAN)/SiO2复合物,再经800℃真空炭化处理得到大尺寸大孔径的C/SiO2复合材料。用SEM、FTIR、XPS和粉末XRD对样品结构进行表征。结果表明:SiO2模板特有的毛细管效应使复合物中PAN以薄膜形式包覆在SiO2材料的三维薄层上,且PAN膜的厚度可以通过调整聚合溶液中丙烯腈浓度及聚合物填充次数进行控制,炭膜的厚度与C/SiO2复合材料的表观电导率呈现一定的依赖关系。当聚合溶液中丙烯腈质量分数为33%时,经过两次原位聚合,所得到的C/SiO2复合材料的体积电阻为16Ω.cm,炭膜的平均厚度为16 nm,比表面积约为93 m2.g-1。 展开更多
关键词 sio2模板 大尺寸大孔径 c/sio2复合材料 模板法 导电材料
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介孔C/SiO2粉体的制备及对阳离子型染料的吸附 被引量:5
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作者 宋晓翠 谷景华 +2 位作者 姚红英 滕玮 张跃 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1239-1244,共6页
采用吸附法处理染料废水需要合适的吸附剂。利用溶剂蒸发自组装法,以甲阶酚醛树脂为碳源、介孔SiO2粉体为载体制备介孔C/SiO2粉体,表征所制C/SiO2粉体的结构,研究C/SiO2粉体对阳离子型染料亚甲基蓝和阳离子红X-GRL的吸附性能,并与... 采用吸附法处理染料废水需要合适的吸附剂。利用溶剂蒸发自组装法,以甲阶酚醛树脂为碳源、介孔SiO2粉体为载体制备介孔C/SiO2粉体,表征所制C/SiO2粉体的结构,研究C/SiO2粉体对阳离子型染料亚甲基蓝和阳离子红X-GRL的吸附性能,并与相同条件下制备的非负载的多孔C粉体以及介孔SiO2载体进行比较。结果表明,介孔C/SiO2粉体的孔窗口为11-18 nm,比表面积为303 m^2·g^-1,比孔容为1.11 cm^3·g^-1;C/SiO2粉体对这两种染料吸附量均高于C粉体和SiO2载体;在pH≤10的范围内,吸附量随pH值增大而显著提高。 展开更多
关键词 介孔c/sio2 吸附 亚甲基蓝 阳离子红X-GRL
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基于Polymer-S-C/SiO_2多层结构大孔电极锂硫离子电池的制备与性能 被引量:5
5
作者 陈宗宗 张瑞丰 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期525-531,共7页
以新型SiO2大孔材料为模板,采用原位聚合及真空热解的方法制备出大孔C/SiO2复合电极,并先后在孔道表面负载单质硫及聚合物膜后得到具有Polymer-S-C/SiO2多层结构的复合大孔电极。用SEM对电极结构进行表征,并测定了比表面积和负载物的平... 以新型SiO2大孔材料为模板,采用原位聚合及真空热解的方法制备出大孔C/SiO2复合电极,并先后在孔道表面负载单质硫及聚合物膜后得到具有Polymer-S-C/SiO2多层结构的复合大孔电极。用SEM对电极结构进行表征,并测定了比表面积和负载物的平均厚度;用EIS和充放电测试对电极的电化学性能进行了研究。结果表明:聚合物膜厚度的增加可使电极的交流阻抗迅速增大,同时能明显改善锂硫离子电池的逆循环性,说明聚合物膜的存在能够有效抑制多硫化物中间产物的流失。改变单体的用量可以调控聚合物膜的厚度,当聚合物膜平均厚度为8.0nm时,锂离子电池的循环性能达到最佳,其首次放电比容量达792mA·h/g,经过50个循环后,可逆容量仍达到635mA·h/g。 展开更多
关键词 sio2大孔材料 c/sio2复合电极 单质硫 聚合物膜 锂硫离子电池
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稻壳制C/SiO_2微粉的特性及其增强环氧树脂 被引量:2
6
作者 程俊华 吕文晏 +2 位作者 张健 徐新民 陈刚 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期862-866,共5页
以稻壳为原料,经磷酸浸渍,在400~600℃干馏炭化,行星式球磨机球磨后用KH570表面处理得到C/SiO2微粉,对其进行了XRD衍射、比表面积、孔径分布、红外、扫描电镜和差热等分析表征。C/SiO2微粉样品的比表面积为308m2/g,孔径分布主要集中于8... 以稻壳为原料,经磷酸浸渍,在400~600℃干馏炭化,行星式球磨机球磨后用KH570表面处理得到C/SiO2微粉,对其进行了XRD衍射、比表面积、孔径分布、红外、扫描电镜和差热等分析表征。C/SiO2微粉样品的比表面积为308m2/g,孔径分布主要集中于80nm~140nm,中位径3.34μm。以C/SiO2微粉为改性剂增强环氧树脂,使复合体系的力学性能较纯环氧体系的有显著提高。 展开更多
关键词 稻壳 c sio2 微粉 结构 性能
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基于杨梅单宁制备Pt/SiO_2-C催化剂及其对肉桂醛选择性催化加氢性能 被引量:10
7
作者 方超 陈亚君 +4 位作者 毛卉 赵俊 蒋云福 赵仕林 马骏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期124-130,共7页
以天然植物多酚杨梅单宁(BT)改性的SiO2为载体,经吸附Pt4+、Na BH4还原和碳化处理制得Pt/SiO2-C催化剂.对所制备的催化剂进行了表征,并考察了催化剂对肉桂醛液相选择性催化加氢的性能.结果表明,由于杨梅单宁分子的分散稳定作用,使碳化... 以天然植物多酚杨梅单宁(BT)改性的SiO2为载体,经吸附Pt4+、Na BH4还原和碳化处理制得Pt/SiO2-C催化剂.对所制备的催化剂进行了表征,并考察了催化剂对肉桂醛液相选择性催化加氢的性能.结果表明,由于杨梅单宁分子的分散稳定作用,使碳化过程中纳米Pt粒子粒径适度增长且保持高度分散.碳化温度影响杨梅单宁的脱除效果、纳米Pt粒子晶型与粒径,以及载体的比表面积与孔径,最终影响肉桂醛催化加氢性能.500℃碳化处理得到的Pt/SiO2-C-500催化剂的催化性能最佳,在乙醇为溶剂,323.25 K和2MPa氢压条件下,肉桂醛6 h转化率为82.98%,生成肉桂醇的选择性达到91.33%,表现出较高的催化活性和选择性.同时,该催化剂重复使用5次后其催化活性仍为第一次反应活性的81.18%,体现出优良的重复使用性. 展开更多
关键词 杨梅单宁 铂纳米粒子 二氧化硅 肉桂醛 选择性加氢性能 Pt/sio2-c催化剂
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Au@SiO_2修饰电极的制备及对Cyt c的直接电化学研究 被引量:1
8
作者 周宇艳 鲜跃仲 +3 位作者 刘芳 胡艺 周丽绘 金利通 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期48-52,共5页
研究Au@SiO2复合纳米材料修饰电极的制备方法及其对细胞色素c(Cytc)的电催化行为.Cytc在该修饰电极上表现出一对氧化还原峰,且在1.0×10-7~2.0×10-5mol/L浓度范围内.Cytc峰电流与浓度呈良好的线性关系,检测下限为5.0×10-... 研究Au@SiO2复合纳米材料修饰电极的制备方法及其对细胞色素c(Cytc)的电催化行为.Cytc在该修饰电极上表现出一对氧化还原峰,且在1.0×10-7~2.0×10-5mol/L浓度范围内.Cytc峰电流与浓度呈良好的线性关系,检测下限为5.0×10-8mol/L(S/N=3).还应用紫外可见光谱考察了Au@SiO2复合纳米材料的生物兼容性,结果表明,Au@SiO2材料为Cytc提供了一个“近水”的微环境,使其在该修饰电极表面不易变性,因而具有良好的生物相容性. 展开更多
关键词 cYT c Au@sio2 复合纳米材料
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Al_2O_3-SiC-SiO_2-C自流浇注料流变行为的研究 被引量:1
9
作者 王战民 李少飞 +2 位作者 周丽红 曹喜营 李再耕 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期166-169,共4页
利用新开发的全组分浇注料流变仪,采用循环剪切、双重循环剪切和恒定剪切等方式,从滞后圈面积、时间触变系数和拆散触变系数等三个方面,研究了典型高炉出铁沟用Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料的触变性、剪切稀化等流变行为和流变特性。... 利用新开发的全组分浇注料流变仪,采用循环剪切、双重循环剪切和恒定剪切等方式,从滞后圈面积、时间触变系数和拆散触变系数等三个方面,研究了典型高炉出铁沟用Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料的触变性、剪切稀化等流变行为和流变特性。结果表明:新开发的全组分浇注料流变仪可以较好地表征浇注料的流变行为和流变特性;Al2O3-SiC-SiO2-C质自流浇注料循环剪切时上行线和下行线呈顺时针方向,表现为正触变性,下行线具有近Bingham的流体特征,为有一定屈服值的假塑性体,屈服应力指数τy为0.29,n=0.2884,k=0.2137;浇注料的时间触变系数B为0.0022,拆散触变系数M为0.061;浇注料在恒定剪切速度的作用下具有明显的剪切稀化现象。 展开更多
关键词 流变性能 触变性 Al2O3-Sic-sio2-c质自流浇注料 全组分浇注料流变仪
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采用Ag-Cu-Ti钎料真空钎焊SiO_(2f)/SiO_2复合陶瓷与C/C复合材料 被引量:2
10
作者 吴世彪 熊华平 +1 位作者 陈波 程耀永 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期16-20,共5页
分别在880℃/10min和880℃/60min规范下,采用Ag-Cu-Ti活性钎料实现了SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料的真空钎焊连接,通过电子探针(EPMA)、能谱仪(XEDS)和X射线衍射仪(XRD)分析了接头微观组织,室温下测试了接头的抗剪强度。结果表明:... 分别在880℃/10min和880℃/60min规范下,采用Ag-Cu-Ti活性钎料实现了SiO2f/SiO2复合陶瓷与C/C复合材料的真空钎焊连接,通过电子探针(EPMA)、能谱仪(XEDS)和X射线衍射仪(XRD)分析了接头微观组织,室温下测试了接头的抗剪强度。结果表明:两种规范下所得接头界面结合良好,接头中靠近两侧母材均形成了一层扩散反应层,钎缝基体主要由均匀的共晶组织组成。880℃/10min规范下钎焊接头界面产物依次为:SiO2f/SiO2→Ti4O7→Ti5Si4+Cu(s,s)+Ag-Cu共晶合金→TiC→C/C;对于880℃/60min规范下的接头,界面组织结构与保温10min的接头基本类似,但是不存在Cu(s,s),并且接头反应层明显增厚。880℃/60min条件下所得钎焊接头剪切强度平均值为16.6MPa。 展开更多
关键词 sio2f/sio2复合陶瓷 c/c复合材料 AG-cU-TI 界面反应层 抗剪强度
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还原气氛下SiO_2在Al_2O_3-Al-C材料中作用机理研究 被引量:1
11
作者 栾舰 王春艳 +1 位作者 杨红 孙加林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期976-980,共5页
本试验借助金属过渡塑性相理论,在Al2O3-C系耐火材料中引入中金属铝粉和SiO2粉,研究空气气氛埋碳条件,不同烧成温度下Al、SiO2的高温反应行为及产物的变化。对烧成后的试样进行XRD物相检测及SEM显微结构分析,发现不添加SiO2的试样中单... 本试验借助金属过渡塑性相理论,在Al2O3-C系耐火材料中引入中金属铝粉和SiO2粉,研究空气气氛埋碳条件,不同烧成温度下Al、SiO2的高温反应行为及产物的变化。对烧成后的试样进行XRD物相检测及SEM显微结构分析,发现不添加SiO2的试样中单质Al已经不存在,在材料的气孔中生成大量AlN纤维;添加SiO2的试样中单质Al和SiO2都已经不存在,且形成了大量纤维及六方片状晶体,经XRD及EDS检测,确定该物相为SiAl5O2N5。 展开更多
关键词 还原气氛 sio2 Al2O3-Al-c 反应机理
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新型C[6]/SiO_2/CdTe NPs荧光探针对乙二胺的识别和检测 被引量:5
12
作者 李涛 胡青大 唐冬宝 《化工管理》 2015年第16期184-185,共2页
基于杯芳烃对分子的识别特性和量子点的高荧光特性,合成了脱叔丁基杯[6]芳烃的溶胶凝胶修饰二氧化硅包覆的碲化镉半导体纳米粒子,得到了新型的水溶性复合纳米粒子,并用。HNMR谱图、红外光谱、荧光光谱、紫外光谱、透射电镜进行了表... 基于杯芳烃对分子的识别特性和量子点的高荧光特性,合成了脱叔丁基杯[6]芳烃的溶胶凝胶修饰二氧化硅包覆的碲化镉半导体纳米粒子,得到了新型的水溶性复合纳米粒子,并用。HNMR谱图、红外光谱、荧光光谱、紫外光谱、透射电镜进行了表征,并以新型的水溶性复合纳米粒子为荧光探针对客体分子乙二胺进行了识别和检测,使得乙二胺在5.0~150.0nmol·L^-1范围内具有良好的线性关系,r=0.99913,最低检出限为5.7Onmol·L^-1。此荧光探针与客体分子乙二胺之间的相互作用,借以朗缪尔等温式加以解释,验证了新型的荧光探针对分子的识别具有高灵敏度、高荧光性、高选择性和高稳定性等优越特点。 展开更多
关键词 量子点 6/sio2/cdTe NPs荧光探针 乙二胺 荧光探针 识别 检测
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DB18C6/SiO_2复合材料对Zr(Ⅳ)和Hf(Ⅳ)吸附性能研究
13
作者 车德华 徐刚 徐盛明 《矿冶》 CAS 2015年第2期35-40,共6页
通过溶液p H值、吸附动力学、吸附等温线、吸附热力学试验,考察了DB18C6/SiO2复合材料对水溶液中Zr(Ⅳ)和Hf(Ⅳ)的吸附行为。结果表明,25℃下,溶液p H值为1.5时该吸附材料对Zr(Ⅳ)和Hf(Ⅳ)的吸附量最大,且吸附过程符合准二级动力学方程;... 通过溶液p H值、吸附动力学、吸附等温线、吸附热力学试验,考察了DB18C6/SiO2复合材料对水溶液中Zr(Ⅳ)和Hf(Ⅳ)的吸附行为。结果表明,25℃下,溶液p H值为1.5时该吸附材料对Zr(Ⅳ)和Hf(Ⅳ)的吸附量最大,且吸附过程符合准二级动力学方程;DB18C6/SiO2对Zr(Ⅳ)的吸附行为属于放热自发过程,吸附等温线符合Langmuir等温吸附模型;而对Hf(Ⅳ)的吸附行为属于吸热自发过程,吸附过程更符合Freundlich等温吸附模型。此外,文中还通过元素分析和N2吸附分析确定了该复合材料的冠醚键合量和比表面积。 展开更多
关键词 DB18c6/sio2复合材料 吸附 Zr(Ⅳ) Hf(Ⅳ)
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C/SiO_2复合微纳米粒增强环氧树脂
14
作者 吕文晏 程俊华 闻荻江 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期126-128,共3页
以双酚A型环氧树脂(E-51)为基体,C/SiO2复合微纳米粒为增强体,在机械剪切搅拌和超声波震荡下充分分散后浇铸成型,制备C/SiO2/E-51复合材料。对复合材料差热分析,红外、扫描电镜、机械性能等测试表明:当填充2%C/SiO2复合微纳米粒时,复合... 以双酚A型环氧树脂(E-51)为基体,C/SiO2复合微纳米粒为增强体,在机械剪切搅拌和超声波震荡下充分分散后浇铸成型,制备C/SiO2/E-51复合材料。对复合材料差热分析,红外、扫描电镜、机械性能等测试表明:当填充2%C/SiO2复合微纳米粒时,复合材料的玻璃化转变温度、拉伸强度、拉伸弹性模量、断裂伸长率、冲击强度分别达到147℃、64.8MPa、6913MPa、7.66%、12.5MPa,较纯环氧体系有较大的提高。这可能一方面由于SiO2中的Si-O-键在硅烷偶联剂(KH570)的作用下与E-51的环氧基形成高能的共价键,且有较强的界面张力,另一方面,C粒子进入交联环氧树脂的空隙中,起到了应力传递和增强作用。 展开更多
关键词 环氧树脂 c sio2复合微纳米粒 复合材料
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C/C复合材料的非晶SiO_2涂层制备及其生物活性 被引量:1
15
作者 吴强 于澍 +3 位作者 李云平 李晓 刘京 钟慧 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1582-1588,共7页
以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,N_2为载气,在C/C复合材料表面通过低压化学气相沉积(LPCVD)得到非晶SiO_2涂层。研究了沉积温度对涂层成分、涂层形貌和沉积速率的影响。通过XRD、XPS、FTIR、SEM和EDS等测试手段,对涂层的成分、微观形貌以... 以正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,N_2为载气,在C/C复合材料表面通过低压化学气相沉积(LPCVD)得到非晶SiO_2涂层。研究了沉积温度对涂层成分、涂层形貌和沉积速率的影响。通过XRD、XPS、FTIR、SEM和EDS等测试手段,对涂层的成分、微观形貌以及模拟体液浸泡后材料的生物活性进行了表征和分析。实验结果表明:涂层的主要物相为非晶SiO_2;模拟体液浸泡至35天,样品表面生成类骨羟基磷灰石,与未涂层的C/C复合材料相比,表明非晶SiO_2涂层具有良好的生物活性。随着沉积温度的增加,沉积速率增大,涂层包覆更加完整;SiO_2颗粒由不规则形状转变为规则的球形,最后转变成多边形。 展开更多
关键词 c/c复合材料 化学气相沉积 非晶sio2涂层 生物活性 沉积温度
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SiC晶须在SiO_2-C-N_2系统中的合成
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作者 张颖 蒋明学 +1 位作者 张军战 崔曦文 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期30-32,61,共4页
对SiO2-C-N2系统中的主要化学反应和SiC晶须在该系统中的合成条件进行了热力学分析,采用SiO2微粉为硅源,石墨、活性炭和碳黑为碳源,氧化硼为催化剂,分别在1500℃、1550℃和1600℃利用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过X射线衍射、扫描电子... 对SiO2-C-N2系统中的主要化学反应和SiC晶须在该系统中的合成条件进行了热力学分析,采用SiO2微粉为硅源,石墨、活性炭和碳黑为碳源,氧化硼为催化剂,分别在1500℃、1550℃和1600℃利用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过X射线衍射、扫描电子显微镜和电子探针分析合成晶须的特征。结果表明:在氮气气氛下利用碳热还原反应合成SiC晶须的温度在1450℃以上,且随着温度的升高,SiC晶须的生成量增多,晶须直径变大;以炭黑和活性炭等较高活性的碳源代替石墨可以使反应速度加快,但合成的SiC晶须较粗甚至生成SiC颗粒;杂质含量较多会使得SiC晶须生成数量降低,同时晶须出现弯曲现象. 展开更多
关键词 sio2-c—N2系统 SIc晶须 热力学
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SiO_2-C-Na_3AlF_6合成SiC晶须的研究
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作者 崔曦文 蒋明学 张颖 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期30-33,共4页
以SiO2微粉、石墨、Na3AlF6为原料合成SiC晶须。采用XRD、SEM对产物进行分析,结果表明,在1 500℃及Si/Al摩尔比为4∶1的条件下生成的晶须质量最佳。对晶须的合成机理进行讨论,认为晶须生长过程为VS机理;Na3AlF6不参与实际的晶须合成反... 以SiO2微粉、石墨、Na3AlF6为原料合成SiC晶须。采用XRD、SEM对产物进行分析,结果表明,在1 500℃及Si/Al摩尔比为4∶1的条件下生成的晶须质量最佳。对晶须的合成机理进行讨论,认为晶须生长过程为VS机理;Na3AlF6不参与实际的晶须合成反应。计算出气相反应物的过饱和度约为0.005,有利于晶须的生长。 展开更多
关键词 SIc晶须 sio2-c-Na3AlF6 合成机理 过饱和度
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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
18
作者 王新昌 叶志镇 +1 位作者 曹亮亮 赵炳辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-137,145,共5页
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原... 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。 展开更多
关键词 LiTaO3薄膜 sio2/Si衬底 c轴取向 脉冲激光沉积
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用IR及XPS研究Photo-CVD SiO_2薄膜特性
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作者 刘玉荣 李观启 黄美浅 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期61-64,共4页
在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054~... 在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054~1069cm^(-1)之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO_2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×10^(10)~3×10^(11)cm^(-2)范围内;XPS分析表明,SiO_2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×10^(15)个原子。 展开更多
关键词 cVD sio2薄膜 红外光谱 XPS c-V特性
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Oxidation behavior of C/C composites with SiC/ZrSiO_4-SiO_2 coating 被引量:4
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作者 李杨 肖鹏 +2 位作者 李专 罗威 周伟 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期397-405,共9页
A SiC/ZrSiO4?SiO2 (SZS) coating was successfully fabricated on the carbon/carbon (C/C) composites by pack cementation, slurry painting and sintering to improve the anti-oxidation property and thermal shock r... A SiC/ZrSiO4?SiO2 (SZS) coating was successfully fabricated on the carbon/carbon (C/C) composites by pack cementation, slurry painting and sintering to improve the anti-oxidation property and thermal shock resistance. The anti-oxidation properties under different oxygen partial pressures (OPP) and thermal shock resistance of the SZS coating were investigated. The results show that the SZS coated sample under low OPP, corresponding to the ambient air, during isothermal oxidation was 0.54% in mass gain after 111 h oxidation at 1500 ° C and less than 0.03% in mass loss after 50 h oxidation in high OPP, corresponding to the air flow rate of 36 L/h. Additionally, the residual compressive strengths (RCS) of the SZS coated samples after oxidation for 50 h in high OPP and 80 h in low OPP remain about 70% and 72.5% of those of original C/C samples, respectively. Moreover, the mass loss of SZS coated samples subjected to the thermal cycle from 1500 ° C in high OPP to boiling water for 30 times was merely 1.61%. 展开更多
关键词 c/c composite Sic/Zrsio4-sio2 coating oxygen partial pressure ANTI-OXIDATION thermal shock residual compressive strength
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