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垂直热壁CVD反应器中C/Si比对SiC高速同质外延生长的影响研究
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作者 陈丹莹 闫龙 +6 位作者 罗稼昊 郑振宇 姜勇 张凯 周宁 廖宸梓 郭世平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期569-580,共12页
本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与... 本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟,对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究,探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布,以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响,结果表明,外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件,实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长,其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上,获得了同等质量的8英寸SiC外延层,并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 化学气相沉积 c/si cFD模拟仿真
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CVI制备C/Si_3N_4复合材料及其表征 被引量:6
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作者 刘永胜 成来飞 +2 位作者 张立同 徐永东 刘谊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1208-1214,共7页
以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变... 以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀. 展开更多
关键词 化学气相渗透(cVI) c/si3N4复合材料 微观结构 工艺参数
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C/SiC复合材料钻削工具载荷及磨损研究 被引量:6
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作者 丁凯 傅玉灿 +2 位作者 苏宏华 徐鸿翔 崔方方 《工具技术》 北大核心 2016年第7期15-19,共5页
采用HAM PCD焊刃麻花钻、KENNA CVD涂层麻花钻、金刚石套料钻(普通钻削与超声辅助钻削两种方法)三种工具对C/Si C复合材料进行了钻削试验,并对工具磨损情况、钻削力及扭矩进行了对比分析。结果表明:累计钻削深度lT=160mm后,套料钻普通... 采用HAM PCD焊刃麻花钻、KENNA CVD涂层麻花钻、金刚石套料钻(普通钻削与超声辅助钻削两种方法)三种工具对C/Si C复合材料进行了钻削试验,并对工具磨损情况、钻削力及扭矩进行了对比分析。结果表明:累计钻削深度lT=160mm后,套料钻普通钻削、超声辅助钻削磨损程度较轻,而HAM PCD焊刃麻花钻,KENNA CVD涂层麻花钻磨损严重。不同工具钻削加工时钻削力及扭矩随着工艺条件的变化呈现不同的变化趋势;采用套料钻加工时,与普通钻削相比,超声辅助钻削可有效降低钻削力及扭矩,最大降低幅度分别达到23%、56%。整体而言,套料钻超声辅助钻削加工时钻削力及扭矩较小、工具磨损较轻,是一种适合于C/Si C复合材料制孔的工艺方法。 展开更多
关键词 c/si c复合材料 钻削 超声辅助钻削 工具磨损 钻削力 扭矩
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制备工艺对三维针刺C/SiC层向动态压缩性能的影响 被引量:3
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作者 高晓菊 成来飞 +2 位作者 燕东明 李良军 方志坚 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期95-99,105,共6页
为了研究制备工艺对三维针刺C/Si C复合材料(3N-C/Si C)层向压缩力学性能的影响,对分别采用反应熔体浸渍(RMI)和化学气相浸渍(CVI)2种工艺制备的3N-C/Si C进行了不同应变率下压缩性能研究,并对比了2种工艺试样在破坏前后的显微结构。结... 为了研究制备工艺对三维针刺C/Si C复合材料(3N-C/Si C)层向压缩力学性能的影响,对分别采用反应熔体浸渍(RMI)和化学气相浸渍(CVI)2种工艺制备的3N-C/Si C进行了不同应变率下压缩性能研究,并对比了2种工艺试样在破坏前后的显微结构。结果表明,在高应变率下2种工艺试样的破坏强度分布均遵循Weibull分布,且RMI工艺试样的性能稳定性明显高于CVI工艺试样。2种工艺试样的压缩强度均具有明显的应变率强化效应,且与对数应变率近似呈线性关系。观察断口形貌发现,在静态压缩载荷作用下,2种工艺试样的破坏方式为剪切破坏和分层破坏的叠加,而在动态压缩条件下试样的破坏方式为劈裂破坏。研究发现,CVI工艺试样纤维束断口不平整;RMI工艺试样断口相对平整,纤维束多发生整束剪断,且动态条件下纤维束的束内脱粘现象得到明显的抑制。 展开更多
关键词 三维针刺c/sic复合材料 WEIBULL分布 RMI工艺 cVI工艺 破坏模式
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银基钎料活性钎焊C/SiC-Ti55与Al_2O_3-Ti55接头界面组织 被引量:1
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作者 沈元勋 李正林 +2 位作者 郝传勇 张劲松 龙伟民 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期75-78,共4页
以Ag-28Cu和Ag-9Pd-9Ga两种银基钎料钎焊C/SiC复合材料和Al_2O_3陶瓷与Ti55钛合金接头,考察了钎料和钎焊工艺对接头焊缝组织形貌变化影响.结果表明,采用Ag-28Cu钎料在850~920℃温度区间钎焊C/SiCTi55和Al_2O_3-Ti55接头均在陶瓷基体近... 以Ag-28Cu和Ag-9Pd-9Ga两种银基钎料钎焊C/SiC复合材料和Al_2O_3陶瓷与Ti55钛合金接头,考察了钎料和钎焊工艺对接头焊缝组织形貌变化影响.结果表明,采用Ag-28Cu钎料在850~920℃温度区间钎焊C/SiCTi55和Al_2O_3-Ti55接头均在陶瓷基体近钎焊界面区域开裂,原因为Ti55合金中Ti元素大量溶解扩散并与铜反应生成的大量脆性Cu-Ti化合物恶化焊缝塑性.Ag-9Pd-9Ga钎料则可以获得完整接头,钎焊过程中Pd,Ga元素在Ti55侧钎焊界面富集并与Ti元素反应生成PdTi,Ti2Ga,Ti4Pd化合物的反应层,有效抑制了元素往焊缝中的溶解扩散. 展开更多
关键词 c/si c复合材料 AL2O3陶瓷 钛合金 界面组织 扩散
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激光气相法实验参数对Fe/C/Si超微粒子性能的影响 被引量:1
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作者 郭广生 万开颜 +3 位作者 高晓云 张敬畅 王伟洁 杨福明 《应用激光》 CSCD 北大核心 1993年第3期125-128,共4页
本文较为详细地研究了实验参数对激光气相法制备Fe/C/Si超微粒子的化学成份、粒径、形貌及结构等方面的影响规律。采用X-射线衍射、电子衍射、透射电镜、热分析等先进手段对超微粒子的性能进行了分析。
关键词 超微粒子 激光气相法 Fe/c/si粒子
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C/SiC复合材料抗热震涂层制备及失效机制研究
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作者 靳磊 崔向中 +3 位作者 王纯 周海滨 周国栋 杨璟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1214-1219,共6页
在C/SiC材料上制备环境障碍涂层是对C/SiC高温防护的有效解决办法。利用化学共沉积法制备BaO-SrO-Al_2O_3-SiO_2(BSAS),ZrO_2-Y_2O_3(YSZ),Sc_2O_3-ZrO_2-Y_2O_3(ScYSZ)粉末材料,然后采取相同的等离子喷涂工艺参数在C/SiC复合材料表面制... 在C/SiC材料上制备环境障碍涂层是对C/SiC高温防护的有效解决办法。利用化学共沉积法制备BaO-SrO-Al_2O_3-SiO_2(BSAS),ZrO_2-Y_2O_3(YSZ),Sc_2O_3-ZrO_2-Y_2O_3(ScYSZ)粉末材料,然后采取相同的等离子喷涂工艺参数在C/SiC复合材料表面制备3种抗热震(水淬)涂层。本文主要涉及到抗水淬涂层结构设计、0.2mm厚涂层的抗水淬性能、4种不同厚度涂层的抗水淬能力、涂层失效机制等研究内容。研究结果表明:C/SiC复合材料上0.2mm厚的抗水淬涂层,在1600℃下其抗水淬能力强弱为ScYSZ(24次)>YSZ(22次)>BSAS(21次)。0.2,0.3,0.5及0.6mm4种不同厚度对涂层的抗水淬能力影响规律表明:厚度为0.2mm时涂层具有最优的抗水淬性能。并探讨了涂层的失效机制:BSAS,YSZ,ScYSZ3种涂层,其YSZ相稳定性最差,BSAS作为单一的抗热震层其应力最大。BSAS+ScYSZ复合涂层应力最小、相稳定、抗水淬能力最强。 展开更多
关键词 c/si c复合材料 抗热震涂层 BSAS涂层 YSZ涂层 Sc YSZ涂层
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C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备 被引量:1
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作者 张玉娣 张长瑞 李俊生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期29-31,35,共4页
采用新的泥浆预涂层 -反应烧结工艺在 C/ Si C复合材料表面制备 Si/ Si C致密涂层 ,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响 ;采用 XRD分析涂层的组分及晶体结构 ,采用 SEM分析涂层的断口形貌。结果显示 ,采用 MC为胶粘剂、较低的... 采用新的泥浆预涂层 -反应烧结工艺在 C/ Si C复合材料表面制备 Si/ Si C致密涂层 ,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响 ;采用 XRD分析涂层的组分及晶体结构 ,采用 SEM分析涂层的断口形貌。结果显示 ,采用 MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好 ;无 Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差 ,而在真空环境下、 14 5 0~ 16 0 0℃温度范围高温烧结能够制备出致密的 Si/ Si C涂层 。 展开更多
关键词 c/sic陶瓷基复合材料 预涂层 反应烧结 si/sic涂层
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磺酸基功能化C/Si材料催化合成短碳链结构磷脂 被引量:5
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作者 程珂 张江华 +5 位作者 张伟 王巧娥 阴法文 李子轩 王婷 周大勇 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1667-1672,共6页
通过化学活化有机磺酸前驱体,低温下制备了磺酸基功能化碳/硅材料(C/Si-SO_(3)H),并将其用于大豆卵磷脂与丙酸乙酯或丁酸甲酯催化合成短碳链结构磷脂的反应中,考察了反应温度、反应时间、催化剂用量及循环次数对该酯交换反应的影响。采... 通过化学活化有机磺酸前驱体,低温下制备了磺酸基功能化碳/硅材料(C/Si-SO_(3)H),并将其用于大豆卵磷脂与丙酸乙酯或丁酸甲酯催化合成短碳链结构磷脂的反应中,考察了反应温度、反应时间、催化剂用量及循环次数对该酯交换反应的影响。采用FTIR、Raman及Boehm酸含量滴定等手段对C/Si-SO_(3)H进行结构和表面酸性质表征,以建立该催化剂的构效关系。结果表明,C/Si-SO_(3)H表面含有大量Bronsted酸性位点,因而催化性能较为突出;当催化剂用量为反应原料总质量的7%、40℃反应6 h,短碳链结构磷脂中丙酸或丁酸的接入率高达18.33%或16.23%,且C/Si-SO_(3)H循环利用4次而无明显失活。 展开更多
关键词 结构磷脂 短碳链脂肪酸 c/si材料 固体酸 酯交换反应 食品与饲料添加剂
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反应熔渗制备C/SiC复合材料的微观组织与性能 被引量:3
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作者 王鹏 于艺 +3 位作者 金鑫 于新民 刘俊鹏 张宝鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期3382-3387,共6页
采用反应熔渗法将熔融Si渗入C/C多孔体中制备了C/SiC复合材料。研究了包埋式布硅对C/C多孔体不同位置毛细吸附行为的影响以及对制备C/SiC复合材料密度的影响。反应熔渗制备的C/SiC复合材料内部存在残余的游离硅,经过除硅处理后游离硅显... 采用反应熔渗法将熔融Si渗入C/C多孔体中制备了C/SiC复合材料。研究了包埋式布硅对C/C多孔体不同位置毛细吸附行为的影响以及对制备C/SiC复合材料密度的影响。反应熔渗制备的C/SiC复合材料内部存在残余的游离硅,经过除硅处理后游离硅显著减少,但其致密化程度有所降低,同时其抗弯曲强度明显下降。 展开更多
关键词 反应熔渗 c/sic复合材料 游离硅
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Si-B-C陶瓷涂敷2D C/SiC复合材料的抗氧化性能 被引量:6
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作者 左新章 张立同 +2 位作者 刘永胜 成来飞 龚慧灵 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期100-106,共7页
利用化学气相沉积(CVD)法制备了Si-B-C陶瓷涂敷改性的2DC/SiC复合材料,研究了其在700~1200℃氧化10h性能和结构的演变规律以及自愈合机制,同时获得了Si-B-C涂层在不同温度氧化后的形貌、组分和物相转变规律。结果表明:涂敷在复合材料... 利用化学气相沉积(CVD)法制备了Si-B-C陶瓷涂敷改性的2DC/SiC复合材料,研究了其在700~1200℃氧化10h性能和结构的演变规律以及自愈合机制,同时获得了Si-B-C涂层在不同温度氧化后的形貌、组分和物相转变规律。结果表明:涂敷在复合材料表面的Si-B-C陶瓷随温度的升高氧化加快,但氧化程度较低,不深于7μm;随温度的升高,氧化形成的硅硼玻璃黏度降低,挥发增强;当温度达到1200℃时,硅硼玻璃析出SiO2晶体;Si-B-C陶瓷涂敷改性的C/SiC具有优良的抗氧化性能,随氧化温度的升高,复合材料失重率增加,但在1200℃氧化10h后失重率仅为0.47%;此外材料在1000℃氧化后的强度保持率最高,达到91.6%,Si-B-C陶瓷氧化形成的硅硼玻璃可以有效封填裂纹,这是材料具有优良抗氧化性能的主要机制。 展开更多
关键词 c sic si—B—c陶瓷 涂层 氧化 形貌 自愈合
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C/Si-C-N复合材料的制备及其氧化行为研究 被引量:5
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作者 卢国锋 乔生儒 +2 位作者 弓满锋 侯军涛 焦更生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期13-17,共5页
采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解炭为界面的炭纤维增强陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。采用热重法研究了C/Si-C-N复合材料在空气中的氧化行为,并探讨了基体制备温度对复合材料抗氧化性能的影响。研究表明:不同温度下制备的... 采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解炭为界面的炭纤维增强陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。采用热重法研究了C/Si-C-N复合材料在空气中的氧化行为,并探讨了基体制备温度对复合材料抗氧化性能的影响。研究表明:不同温度下制备的复合材料,其氧化行为完全不同。高温下制备的C/Si-C-N复合材料其氧化失重随氧化温度的升高而持续增加;低温下制备的C/Si-C-N复合材料则其氧化失重先随温度的升高而增加,随后在800-1000℃之间随温度的升高而减小,接着又随温度的升高而增加。较高的制备温度可使复合材料在900℃以下温度区间的抗氧化性能得到提高,但却使900℃以上温度区间的抗氧化性能降低。 展开更多
关键词 复合材料 抗氧化性能 sic—N 裂纹 热膨胀系数
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优化主氢流量及C/Si比提高76.2 mm 4H-SiC同质外延浓度均匀性 被引量:1
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作者 李赟 孙永强 +1 位作者 高汉超 许晓军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期218-222,共5页
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外... 源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均匀性、p型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为0.21%、1.13%和6.96%。基座旋转并不能完全消除外延片n型掺杂浓度不均匀性。优化主氢流量及C/Si比能够改变掺杂源的耗尽曲线,将76.2 mm SiC外延片n型掺浓度不均匀性优化至2.096%(σ/mean)。 展开更多
关键词 同质外延 碳化硅 均匀性 主氢流量 碳硅比
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锂离子电池负极材料Si@C/SiO_x的制备及其电化学性能 被引量:5
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作者 杨桃 李肖 +3 位作者 田晓冬 宋燕 刘占军 郭全贵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期699-704,共6页
硅理论比容量高,放电平台低,是商业化锂离子电池石墨负极的替代材料之一,但是其充放电循环中体积变化大,容量衰减迅速,制约了其商业化使用。本研究通过一步法制备了具有核壳结构的硅@碳/硅氧化物(Si@C/SiO_x),将其作为锂离子电池负极材... 硅理论比容量高,放电平台低,是商业化锂离子电池石墨负极的替代材料之一,但是其充放电循环中体积变化大,容量衰减迅速,制约了其商业化使用。本研究通过一步法制备了具有核壳结构的硅@碳/硅氧化物(Si@C/SiO_x),将其作为锂离子电池负极材料。采用SEM、TEM、XRD、XPS等手段对所制备材料的微观形貌、结构以及组分进行了分析,并对其进行了相关的电化学测试。结果表明,Si@C/SiO_x核壳材料比Si@C核壳材料具备更优良的电化学性能。在200 mA/g电流密度下,循环45次后,Si@C的容量保持率为60.2%;而当C/SiO_x作为Si核外壳时,200 mA/g电流密度下,循环45次后,Si@C/SiO_x比容量值为787.2 mAh/g,容量保持率提高到87.3%。这主要是由于C与SiO_x复合后,外壳的机械强度大于碳壳,能够较好地缓冲Si体积膨胀产生的巨大应力,从而保证结构的完整性,提高了硅基负极材料的商业化应用的可能性。 展开更多
关键词 锂离子电池 硅@碳/硅氧化物复合材料 核壳结构 循环稳定性
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CVI法制备的C/PyC/Si-C-N复合材料弯曲行为研究 被引量:1
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作者 卢国锋 乔生儒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期27-30,48,共5页
采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了C/PyC/Si-C-N的断口形貌,用三点弯曲法测试了C/PyC/Si-C-N的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,C/Py... 采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了C/PyC/Si-C-N的断口形貌,用三点弯曲法测试了C/PyC/Si-C-N的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,C/PyC/Si-C-N的弯曲强度随温度的升高而增加,弹性模量基本保持不变并略有增加;随温度的升高,PyC界面层较厚的区域其界面结合会逐渐变强,而界面层厚度非常小或无界面层的区域其界面结合会逐渐变弱。 展开更多
关键词 复合材料 弯曲强度 模量 si-c-N陶瓷
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C/PyC/Si-C-N复合材料的热物理性能研究 被引量:1
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作者 卢国锋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1015-1019,1027,共6页
本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合... 本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10^(-6)K^(-1);而热扩散率则随温度的升高而减小,并与温度呈一种指数关系,常温下的热扩散率约为0.00925cm^2·s^(-1)。 展开更多
关键词 复合材料 热膨胀 热扩散 si-c-N陶瓷
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Experimental Investigation of the Anisotropic Thermal Conductivity of C/SiC Composite Thin Slab
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作者 毋克凡 张虎 唐桂华 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期48-60,共13页
Fiber-reinforced composites possess anisotropic mechanical and heat transfer properties due to their anisotropic fibers and structure distribution.In C/Si C composites,the out-of-plane thermal conductivity has mainly ... Fiber-reinforced composites possess anisotropic mechanical and heat transfer properties due to their anisotropic fibers and structure distribution.In C/Si C composites,the out-of-plane thermal conductivity has mainly been studied,whereas the in-plane thermal conductivity has received less attention due to their limited thickness. 展开更多
关键词 cOMPOsiTES c/si ANISOTROPIc
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C/PyC/Si-C-N复合材料的热膨胀行为
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作者 卢国锋 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2016年第1期432-435,共4页
采用CVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)和无界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。用热膨胀仪分别测试了C/PyC/Si-C-N和C/Si-C-N的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料... 采用CVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)和无界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-C-N)。用热膨胀仪分别测试了C/PyC/Si-C-N和C/Si-C-N的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料热膨胀性能的影响。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10-6 K-1,线膨胀率为0.0752%;在780℃以上,碳界面的存在使碳纤维增强SiC-N基复合材料的热膨胀系数降低,在780℃以下时则对复合材料的热膨胀系数基本无影响。 展开更多
关键词 平均热膨胀系数 线膨胀率 si-c-N陶瓷 复合材料
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C/C复合材料的SiC/Si-B_4C涂层在500~1500℃的抗氧化机制 被引量:4
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作者 焦星剑 李同起 +2 位作者 张中伟 刘宇峰 冯志海 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期3130-3136,共7页
为提高C/C复合材料的宽温域抗氧化性能,开发了一种新型SiC/Si-B_4C复合涂层,利用热重法对C/C复合材料的SiC/Si-B_4C复合涂层进行氧化试验,研究了试样从室温到1 500℃的氧化行为,在1 500℃保温2h后,试样增重仅为2.21%。分别对SiC、Si和B... 为提高C/C复合材料的宽温域抗氧化性能,开发了一种新型SiC/Si-B_4C复合涂层,利用热重法对C/C复合材料的SiC/Si-B_4C复合涂层进行氧化试验,研究了试样从室温到1 500℃的氧化行为,在1 500℃保温2h后,试样增重仅为2.21%。分别对SiC、Si和B_4C三种粉体进行了不同温度(500~1 500℃)的氧化试验,分析了涂层各组分的高温氧化行为,阐明了SiC、Si和B_4C的有效抗氧化温域,通过氧化动力学计算得到SiC和Si的氧化活化能分别为196.7kJ/mol和167.3kJ/mol。结果表明,SiC/Si-B_4C涂层中各组分的抗氧化性能形成了良好的协同作用,复合涂层具有良好的宽温域自愈合能力,在600~1 500℃范围内表现出良好的抗氧化性能。 展开更多
关键词 c/c复合材料 sic si B4c 涂层 抗氧化
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Si-O-C界面层对C/SiC-N复合材料力学性能和热膨胀性能的影响 被引量:6
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作者 卢国锋 乔生儒 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期83-87,共5页
以CVI方法制备基体、以PIP工艺制备界面层成功制备出了具有Si-O-C界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-O-C/Si-C-N),研究了Si-O-C界面层对C/Si-C-N复合材料力学性能和热膨胀性能的影响。结果表明:C/SiO-C/Si-C-N的抗弯强度与C/... 以CVI方法制备基体、以PIP工艺制备界面层成功制备出了具有Si-O-C界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料(C/Si-O-C/Si-C-N),研究了Si-O-C界面层对C/Si-C-N复合材料力学性能和热膨胀性能的影响。结果表明:C/SiO-C/Si-C-N的抗弯强度与C/PyC/Si-C-N基本相当,Si-O-C界面层在C/Si-C-N中可起到与PyC界面层基本相同的作用;在实验温度区间内,C/Si-O-C/Si-C-N平均热膨胀系数比C/PyC/Si-C-N略有升高。 展开更多
关键词 si-O-c陶瓷 界面层 抗弯强度 热膨胀 陶瓷基复合材料
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