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球形Bi4Ti3O12制备及其可见光催化性能 被引量:8
1
作者 高晓明 代源 +2 位作者 张裕 王子航 付峰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第3期455-462,共8页
采用水热法合成球形钛酸铋复合氧化物光催化剂,利用SEM、XRD和UV-Vis DRS等表征手段对复合氧化物的晶体结构、微观形貌和光学性能进行了分析,结果表明,制备的钛酸铋复合氧化物为10 nm的球形颗粒,具有良好的晶型结构,禁带宽度为2.7 nm,... 采用水热法合成球形钛酸铋复合氧化物光催化剂,利用SEM、XRD和UV-Vis DRS等表征手段对复合氧化物的晶体结构、微观形貌和光学性能进行了分析,结果表明,制备的钛酸铋复合氧化物为10 nm的球形颗粒,具有良好的晶型结构,禁带宽度为2.7 nm,有较好的可见光吸收能力。以亚甲基蓝、甲基橙及酸性品红为目标污染物,研究了复合氧化物在可见光下的光催化降解有机污染物的性能,并对光催化降解机理进行了探讨。结果表明,在可见光照射下,该复合氧化物对酸性品红降解效果明显优于亚甲基蓝和甲基橙,光照150 min下,降解率可达91%。 展开更多
关键词 bi4TI3O12 光催化 可见光 酸性品红
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Sr和Nb复合掺杂Bi4Ti3O12基高温压电陶瓷的研究 被引量:10
2
作者 杨庆 江向平 +3 位作者 余祖灯 涂娜 陈超 陈燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1471-1477,共7页
采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12+0.91wt%Nb2O5+xwt%SrCO3(BTNO-Sr,0.00≤x≤1.50)层状压电陶瓷,研究了Sr掺杂对BTNO系陶瓷微观结构与电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构相陶瓷。适量引入Sr能使BTNO系陶瓷的晶粒尺寸细... 采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12+0.91wt%Nb2O5+xwt%SrCO3(BTNO-Sr,0.00≤x≤1.50)层状压电陶瓷,研究了Sr掺杂对BTNO系陶瓷微观结构与电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构相陶瓷。适量引入Sr能使BTNO系陶瓷的晶粒尺寸细化与均一,表现出介电弥散性,并改善其压电﹑机电和铁电性能。当x=0.50时,样品性能最佳:相对密度ρ=98.8%,压电常数d33=22 pC/N,平面机电耦合系数kp=9.5%,机械品质因子Qm=4462,剩余极化强度Pr=13.01μC/cm2,居里温度Tc=620℃。此外,介电性能和热稳定性能研究显示材料x=0.50具有好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。 展开更多
关键词 压电陶瓷 微观结构 机电性能 bi4TI3O12
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Bi4Si3O(12)晶列结构中的晶粒变化趋势和相关性分析 被引量:5
3
作者 张争光 王秀峰 田清泉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期454-458,共5页
在常压下用烧结法制备了具有高有序晶列结构的Bi4Si3O12微晶。利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和环境扫描电镜(Environmental Scanning Electron Microscopy,ESEM)分析了生成晶体的物相和微观形貌。结果表明:生成的是纯的立方相Bi... 在常压下用烧结法制备了具有高有序晶列结构的Bi4Si3O12微晶。利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和环境扫描电镜(Environmental Scanning Electron Microscopy,ESEM)分析了生成晶体的物相和微观形貌。结果表明:生成的是纯的立方相Bi4Si3O12晶体。Bi4Si3O12晶粒总是成对分布,且排列成行,从而形成高有序的晶列结构。其晶粒尺寸变化趋势有两种,一种是逐渐增大或者减小,另一种是晶粒尺寸在某一区域值内基本保持不变。在大多数情况下,每个晶行两侧的晶粒变化趋势具有一致性,每行两侧的晶粒尺寸具有高度的正相关特性。如果某行两侧的晶粒尺寸变化趋势不一致,而且晶粒尺寸不相关,则该行两侧晶粒应该属于两种不同的变化趋势。 展开更多
关键词 bi4Si3O(12) 晶列结构 晶粒尺寸变化趋势 高度正相关
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Influence of pH Value on Photocatalytic Activity of Bi4Ti3O12 Crystals Obtained by Hydrothermal Method 被引量:1
4
作者 林雪 宫宇宁 +2 位作者 张耀丹 闫永胜 关庆丰 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第2期209-213,I0004,共6页
Bi4Ti3O12 (BIT) crystals were controllably synthesized via a facile hydrothermal process without adding any surfactant or template. The morphologies of BIT with nanosphere, nanoplate, nanobelt, and nanosheet can be ... Bi4Ti3O12 (BIT) crystals were controllably synthesized via a facile hydrothermal process without adding any surfactant or template. The morphologies of BIT with nanosphere, nanoplate, nanobelt, and nanosheet can be selectively obtained by adjusting the pH value of the reactant. The formation mechanisms of these distinctive morphologies were then discussed based on the structural analysis of samples obtained at different pH values. BIT sample prepared at pH=1 showed the highest photocatalytic activity under visible light irradiation. The photocatalytic activities difference for the BIT samples synthesized at different pH values was studied based on their shape, size, and the variation of local structure. 展开更多
关键词 PHOTOCATALYSIS bi4TI3O12 pH value Local structure
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BiFeO3/Bi4Ti3O12多层铁电薄膜的性能研究 被引量:1
5
作者 王秀章 晏伯武 刘红日 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期63-65,共3页
采用sol-gel法在FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜。研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质。结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜具有更低的漏电流,表现出较强的铁电性,在4.40×105V/cm的... 采用sol-gel法在FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜。研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质。结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜具有更低的漏电流,表现出较强的铁电性,在4.40×105V/cm的测试电场强度下,剩余极化强度为3.7×10–5C/cm2。在2.00×105V/cm的测试电场强度下,BiFeO3和BiFeO3/Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度分别为10–5和10–7A/cm2。 展开更多
关键词 无机非金属材料 铁磁电材料 BIFEO3薄膜 bi4Ti3O12多层薄膜 铁电性
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硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究
6
作者 王耘波 高俊雄 +2 位作者 郭冬云 于军 魏龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1876-1878,1882,共4页
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-... 对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散。 展开更多
关键词 慢正电子束 多普勒展宽谱 bi4TI3O12铁电薄膜 缺陷
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Ag/Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si结构铁电薄膜制备及其铁电性能的研究
7
作者 郭冬云 王耘波 +4 位作者 于军 付承菊 高俊雄 李建军 陈万军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1442-1444,共3页
利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究.
关键词 铁电薄膜 Bi3.25La0.75Ti3O12 bi4Ti3O12:sol-gel法
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Bi4Ti3O12铁电薄膜I-V特性的研究
8
作者 王华 李岩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1418-1421,共4页
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜... 采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同,正向漏电流明显小于负向漏电流.电压低于2V时,薄膜以欧姆导电机制为主,电压在2~5.4V(加正向电压)或2.2~3.6V(加负向电压)时,BIT薄膜应以Schottky emission导电机制为主;而对于较高的场强下,BIT薄膜以Space-charge limited currents(SCLC)导电机制为主. 展开更多
关键词 铁电薄膜 bi4TI3O12 漏导机制 I-V特性
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磁性Bi4VO8Cl可见光催化剂的制备及对喹诺酮类抗生素的降解 被引量:4
9
作者 潘加坡 樊静 +2 位作者 张艳树 张霞 吴春来 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1996-2003,共8页
本文以Fe3O4为磁基体,采用水热合成法制备了易于固液分离的磁性Bi4VO8Cl复合可见光催化剂.利用XRD、UV-Vis DRS、TEM、HRTEM对其进行表征.以模拟可见光作为驱动光源,以难降解染料甲基橙为目标降解物评价了不同磁性含量光催化剂的活性,... 本文以Fe3O4为磁基体,采用水热合成法制备了易于固液分离的磁性Bi4VO8Cl复合可见光催化剂.利用XRD、UV-Vis DRS、TEM、HRTEM对其进行表征.以模拟可见光作为驱动光源,以难降解染料甲基橙为目标降解物评价了不同磁性含量光催化剂的活性,发现当Fe3O4占Bi4VO8Cl质量的15%时,复合催化剂表现出良好的磁性与催化活性,对甲基橙的降解率达到85%.在此条件下考察了其在模拟可见光下对4种喹诺酮类抗生素的降解和矿化情况,并以甲磺酸培氟沙星为例考察各种因素对降解性能的影响.结果表明,磁性Bi4VO8Cl对以上抗生素均表现出良好的光催化活性,在最佳条件下对甲磺酸培氟沙星的降解率达94%,矿化率为87%.用外加磁铁直接回收催化剂,循环使用5次后仍保持88%的降解率及94%的催化剂回收率. 展开更多
关键词 可见光 光催化 磁性bi4VO8Cl 甲基橙 喹诺酮类抗生素降解
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Nb掺杂对Bi4Ti3O12陶瓷铁电性能的影响 被引量:2
10
作者 黄小丹 冯湘 +2 位作者 王华 许积文 杨玲 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期11-13,共3页
采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2(x=0~0.090,BTN)铁电陶瓷,研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明,适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度Pr,一定程度上降低矫顽场强Ec,并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸(1~2μm)。... 采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2(x=0~0.090,BTN)铁电陶瓷,研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明,适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度Pr,一定程度上降低矫顽场强Ec,并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸(1~2μm)。当x=0.045时,陶瓷的综合性能较好,即有较高的2Pr(0.27×10–4C/cm2)和较小的2Ec(7.43×104V/cm),其剩余极化强度与未掺Nb的Bi4Ti3O12陶瓷相比,提高了近3.8倍。 展开更多
关键词 无机非金属材料 铁电陶瓷 bi4TI3O12 剩余极化强度 矫顽场强
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Bi4Ti3O12/g-C3N4复合光催化剂的制备及其光催化性能研究 被引量:3
11
作者 张根 黄自力 +2 位作者 葛胜涛 田亮 张海军 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期83-87,92,共6页
采用机械混合/热处理的方法制备了具有异质结结构的Bi4Ti3O12/g-C3N4复合光催化剂,利用XRD、SEM及UVVis对所制备的复合光催化剂的结构与形貌进行了表征。结果表明,复合光催化剂中形成了异质结构,其禁带宽度减小,吸收带边红移,可见光吸... 采用机械混合/热处理的方法制备了具有异质结结构的Bi4Ti3O12/g-C3N4复合光催化剂,利用XRD、SEM及UVVis对所制备的复合光催化剂的结构与形貌进行了表征。结果表明,复合光催化剂中形成了异质结构,其禁带宽度减小,吸收带边红移,可见光吸收增加。以Rh B为目标污染物评价复合光催化剂的活性,考察了不同g-C3N4复合量对光催化剂反应活性的影响。结果表明,异质结型复合光催化剂的光催化活性明显优于单相Bi4Ti3O12;当g-C3N4的质量分数为20%时,其光催化性能最佳(90 min达92.8%),其表观反应常数为单相Bi4Ti3O12的4倍。复合光催化剂光催化活性提高的原因是Bi4Ti3O12与g-C3N4之间形成了异质结,显著降低了光生电子和空穴的复合几率。外加捕获剂的实验结果表明,复合光催化剂的主要活性基团为空穴(h+)与超氧自由基(·O2-)。 展开更多
关键词 bi4TI3O12 g-C3N4 异质结 光催化
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Bi4B2O9晶体及其熔体结构的高温原位拉曼光谱研究 被引量:1
12
作者 徐琰东 尤静林 +6 位作者 王建 龚晓晔 丁雅妮 曹培明 郑少波 吴永全 余仲达 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2143-2148,共6页
利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化... 利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化后晶体中的BiO4和BiO5多面体解体,BO3构型则保持三配位不变.运用量子化学从头算法模拟了Bi4B2O9的熔体结构并与实验拉曼光谱进行了对比分析,发现在Bi4B2O9熔体中B原子团簇为孤立的BO3构型,Bi^3+游离于BO3之间,并结合未参与形成BO3的O原子起到平衡电荷的作用. 展开更多
关键词 bi4B2O9晶体 高温原位拉曼光谱 熔体微结构 从头算法
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甘蓝型油菜BnaABI4基因CRISPR/Cas9编辑载体的构建及甘蓝型油菜转化 被引量:2
13
作者 杨慧 胡信畅 +2 位作者 次央 阮颖 刘春林 《分子植物育种》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1144-1151,共8页
ABI4(Abscisicacid-insensitive4)是ABA响应途径中重要的转录因子。本研究以甘蓝型油菜全基因组数据库为基础,借助拟南芥ABI4蛋白的氨基酸序列,通过序列比对,获得了甘蓝型油菜的2个BnaABI4,分别命名为BnaABI4-A (GenBank登录号为BnaA03g... ABI4(Abscisicacid-insensitive4)是ABA响应途径中重要的转录因子。本研究以甘蓝型油菜全基因组数据库为基础,借助拟南芥ABI4蛋白的氨基酸序列,通过序列比对,获得了甘蓝型油菜的2个BnaABI4,分别命名为BnaABI4-A (GenBank登录号为BnaA03g18970D)和BnaABI4-C (GenBank登录号为BnaC03g725-10D)。在这两个基因的CDS序列上寻找一段长度为20 bp、序列相同的片段作为基因编辑的目标位点,构建CRISPR/Cas9基因编辑载体pCAMBIA1300-sg RNA/Cas9-BnaABI4;借助根癌农杆菌介导的油菜下胚轴遗传转化法,成功将BnaABI4的基因编辑表达框转入甘蓝型油菜‘湘油15’中,共获得转基因植株13株,这将为深入研究甘蓝型油菜BnaABI4的生物学功能提供科学依据。 展开更多
关键词 甘蓝型油菜 BnaA bi4 CRISPR/Cas9 遗传转化
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In situ preparation of g-C3N4/Bi4O5I2 complex and its elevated photoactivity in Methyl Orange degradation under visible light 被引量:14
14
作者 Zhe Feng Lin Zeng +4 位作者 Qingle Zhang Shifeng Ge Xinyue Zhao Hongjun Lin Yiming He 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期149-162,共14页
A graphite carbon nitride(g-C3N4)modified Bi4O5I2 composite was successfully prepared insitu via the thermal treatment of a g-C3N4/Bi OI precursor at 400°C for 3 hr.The as-prepared g-C3N4/Bi4O5I2 showed high phot... A graphite carbon nitride(g-C3N4)modified Bi4O5I2 composite was successfully prepared insitu via the thermal treatment of a g-C3N4/Bi OI precursor at 400°C for 3 hr.The as-prepared g-C3N4/Bi4O5I2 showed high photocatalytic performance in Methyl Orange(MO)degradation under visible light.The best sample presented a degradation rate of 0.164 min^-1,which is 3.2 and 82 times as high as that of Bi4O5I2 and g-C3N4,respectively.The g-C3N4/Bi4O5I2 was characterized by X-ray powder diffractometer(XRD),scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM),Raman,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),ultraviolet-visible diffuse reflectance spectra(DRS),electrochemical impedance spectroscopy(EIS)and transient photocurrent response in order to explain the enhanced photoactivity.Results indicated that the decoration with a small amount of g-C3N4 influenced the specific surface area only slightly.Nevertheless,the capability for absorbing visible light was improved measurably,which was beneficial to the MO degradation.On top of that,a strong interaction between g-C3N4 and Bi4O5I2 was detected.This interplay promoted the formation of a favorable heterojunction structure and thereby enhanced the charge separation.Thus,the g-C3N4/Bi4O5I2 composite presented greater charge separation efficiency and much better photocatalytic performance than Bi4O5I2.Additionally,g-C3N4/Bi4O5I2 also presented high stability.·O2^- and holes were verified to be the main reactive species. 展开更多
关键词 g-C3N4 bi4O5I2 Methyl Orange degradation HETEROJUNCTION Visible light
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分子动力学方法模拟压强对Bi4Ti3O12铁电相变行为的影响
15
作者 孙玲玲 马颖 周益春 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期491-494,共4页
在壳模型的基础上,通过分子动力学方法模拟了压强对Bi4Ti3O12(BIT)铁电相变行为的影响.为了提高模拟的准确性,在原有势参数的基础上增加了Ti-Ti短程相互作用势.计算得出了温度为300K时BIT单晶的铁电正交B2cb相在x方向和z方向的自发极化... 在壳模型的基础上,通过分子动力学方法模拟了压强对Bi4Ti3O12(BIT)铁电相变行为的影响.为了提高模拟的准确性,在原有势参数的基础上增加了Ti-Ti短程相互作用势.计算得出了温度为300K时BIT单晶的铁电正交B2cb相在x方向和z方向的自发极化强度分别为39.4μC/cm2和0,与实验结果较好的吻合.然后模拟了压强对BIT相变行为的影响.模拟结果表明:BIT单晶在压强从-2 GPa到24 GPa范围内,经历了两次结构相变,分别发生在6 GPa和20 GPa处.这种对称性的改变类似于在环境压力条件下温度导致BIT单晶对称性的改变.因而模拟结果为研究压强引起BIT的相变行为提供了理论依据. 展开更多
关键词 分子动力学 bi4TI3O12 压强 相变
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Construction of novel TiO2/Bi4Ti3O(12)/MoS2 core/shell nanofibers for enhanced visible light photocatalysis 被引量:4
16
作者 Meng-Jie Chang Wen-Na Cui +5 位作者 Jun Liu Kang Wang Hui-Ling Du Lei Qiu Si-Meng Fan Zhen-Min Luo 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期97-105,共9页
TiO2/Bi4 Ti3 O12 hybrids have been widely prepared as promising photocatalysts for decomposing organic contaminations.However,the insufficient visible light absorption and low charge separation efficiency lead to thei... TiO2/Bi4 Ti3 O12 hybrids have been widely prepared as promising photocatalysts for decomposing organic contaminations.However,the insufficient visible light absorption and low charge separation efficiency lead to their poor photocatalytic activity.Herein,a robust methodology to construct novel TiO2/Bi4 Ti3 O12/MoS2 core/shell structures as visible light photocatalysts is presented.Homogeneous bismuth oxyiodide(BiOI) nanoplates were immobilized on electrospun TiO2 nanofiber surface by successive ionic layer adsorption and reaction(SILAR) method.TiO2/Bi4 Ti3 O12 core/shell nanofibers were conveniently prepared by partial conversion of TiO2 to high crystallized Bi4 Ti3 O12 shells through a solid-state reaction with BiOI nanoplates,which is accompanied with certain transition of TiO2 from anatase to rutile phase.Afterwards,MoS2 nanosheets with several layers thick were uniform decorated on the TiO2/Bi4 TiO3 O12 fiber surface resulting in TiO2/Bi4 Ti3 O12/MoS2 structures.Significant enhancement of visible light absorption and photo-generated charge separation of TiO2/Bi4 Ti3 O12 were achieved by introduction of MoS2.As a result,the optimized TiO2/Bi4 Ti3 O12/MoS2-2 presents 60% improvement for photodegrading RhB after 120 min irradiation under visible light and 3 times higher of apparent reaction rate constant in compared with the TiO2/Bi4 Ti3 O12.This synthetic method can also be used to establish other photocatalysts simply at low cost,therefore,is suitable for practical applications. 展开更多
关键词 ELECTROSPINNING bi4TI3O12 NANOFIBERS MOS2 VISIBLE light PHOTOCATALYSIS
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Ta掺杂Na0.5 Bi4.5 Ti4O15陶瓷的显微结构和电性能 被引量:1
17
作者 陈丹玲 黄志强 何新华 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期93-99,共7页
采用固相烧结法制备铋层结构Na 0.5 Bi 4.5 Ta x Ti 4-x O 15+0.5 x(NBT-Ta-x)(x=0~0.20)压电陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜和自动控温测试系统研究Ta 5+的B位掺杂对NBT-Ta-x陶瓷的微观结构、电导、介电和压电性能的影响。结果表明:随T... 采用固相烧结法制备铋层结构Na 0.5 Bi 4.5 Ta x Ti 4-x O 15+0.5 x(NBT-Ta-x)(x=0~0.20)压电陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜和自动控温测试系统研究Ta 5+的B位掺杂对NBT-Ta-x陶瓷的微观结构、电导、介电和压电性能的影响。结果表明:随Ta掺杂量的增加,晶粒尺寸和长径比逐渐减小,表现出沿c轴的取向生长,同时,陶瓷的理论密度和体积密度增加,在掺杂量x=0.05时达到最高的相对密度96.1%,Ta在NBT晶格中的固溶极限在0.10附近。随Ta 5+掺杂量x增加到0.20,陶瓷的居里温度从680℃降至658℃。Ta 5+掺杂使NBT-Ta-x陶瓷的电阻率增加了两个数量级,压电常数d 33从13.8 pC/N增加到23 pC/N。当x=0.04~0.05时,NBT-Ta-x陶瓷的综合电性能良好:T c=670~672℃,d 33=21.8~23 pC/N,k p=7.9%~8.3%。 展开更多
关键词 Na0.5 bi4.5 Ti4O15 铋层结构 Ta^5+掺杂 介电性能 压电性能
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(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9铋层状铁电陶瓷结构与性能研究 被引量:4
18
作者 涂娜 江向平 +2 位作者 李小红 傅小龙 杨帆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1831-1836,共6页
采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷。系统研究了SrBi2Nb2O9掺杂对Bi4Ti3O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单... 采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xSrBi2Nb2O9(BIT-SBN,x=0,0.025,0.050,0.100,0.150,0.200)铋层状无铅压电陶瓷。系统研究了SrBi2Nb2O9掺杂对Bi4Ti3O12基陶瓷物相结构、微观结构以及jie电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;当SBN掺量为0.100时,样品具有最佳的电性能:d33=21 pC/N,相对密度ρ=98.1%,机电耦合系数k p=8.26%,εr=220,介电损耗tanδ=0.29%,剩余极化强度P r=9.128μC/cm2,T c=594℃。同时,SBN的引入增强了样品的抗老化性和热稳定性。 展开更多
关键词 bi4TI3O12 SrBi2Nb2O9 铋层状 铁电陶瓷 介电性能
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Lotus-stalk Bi4Ge3O12 as binder-free anode for lithium and sodium ion batteries 被引量:2
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作者 Jianlong Xu Wei Wei +2 位作者 Xu Zhang Lei Liang Maotian Xu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2019年第6期1341-1345,共5页
Alloyed-type anode materials with high-energy density for lithium and sodium ion batteries attracted much attention of the researchers. However, substantial volume expansion of these materials in the devices during re... Alloyed-type anode materials with high-energy density for lithium and sodium ion batteries attracted much attention of the researchers. However, substantial volume expansion of these materials in the devices during repeated electrochemical process leads to fast capacity fading and hinders their further practical application. Nanotechnology could act as a useful tool to effectively address the issue. Herein, lotus-stalk Bi4Ge3O12 nanosheets vertically grown on the nickel foam (denoted as Bi4Ge3O12 NSs@NF) were prepared via a straight-forward solvothermal method. Benefiting from their three dimensional (3D) conductive framework and two dimensional (2D) lotus-stalk Bi4Ge3O12 nanosheet structure, as anode materials of lithium-ion batteries (LIBs) and sodium-ion batteries (NIBs), the electrochemical performances of Bi4Ge3O12 NSs@NF were greatly enhanced as a result of mitigating the huge volume variations during cycles. The Bi4Ge3O12 NSs@NF electrodes delivered a high reversible capacity of 1033.1 mAh/g for the first cycle and exhibited 68.6%capacity retention of after 88 cycles at 0.10 A/g in the voltage window of 0.01~3.0 V versus Li/Li+. In the test of NIBs, the lotus-stalk Bi4Ge3O12 composite electrodes still stored Na+as high as 332.3 mAh/g at 0.10 A/g over 100 sodiation/desodiation repeating cycles. 展开更多
关键词 bi4Ge3O12 NANOSHEETS LITHIUM-ION battery Sodium-ion BATTER ANODE
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W^6+改性对Bi4Ti3O(12)高温压电陶瓷电性能影响研究 被引量:2
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作者 张智鹏 沈宗洋 +4 位作者 秦晨 宋福生 骆雯琴 王竹梅 李月明 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2020年第1期29-34,共6页
采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W^6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地... 采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W^6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地提高了陶瓷的致密度,且WO3的引入降低了BIT陶瓷的电导率和介电损耗,提高了其压电与机电性能。当WO3掺杂量x=0.14时,陶瓷具有如下优异性能:压电常数d(33)=16 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.1%,机械品质因数Qm=1942,介电常数εr=160(@100 k Hz),介电损耗tanδ=0.16%(@100 k Hz),居里温度Tc=632℃,在500℃下,电阻率ρ=9.4×10^7Ω·cm,表明BITW陶瓷在高温应用方面具有很大的前景。 展开更多
关键词 铋层状陶瓷 压电性能 介电性能 热稳定性 bi4TI3O12
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