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BaMgF4薄膜生长及其特性
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作者 未休 《电子材料快报》 1995年第10期7-8,共2页
关键词 MBE技术 bamgf4薄膜 铁电栅绝缘薄膜 薄膜生长
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BaMgF_4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究
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作者 康玲玲 刘廷禹 +1 位作者 张启仁 徐灵芝 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1470-1474,共5页
运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱。采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV。计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203-14.475eV和21.480-21.767 eV两个区间有很... 运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱。采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV。计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203-14.475eV和21.480-21.767 eV两个区间有很明显的吸收峰,吸收边为10.337 eV,对应BaMgF4晶体的本征吸收边125nm,计算结果与实验结果基本一致。 展开更多
关键词 电子结构 介电函数 吸收光谱 bamgf4晶体
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含色心BaMgF_4晶体电子结构的研究
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作者 康玲玲 刘廷禹 +1 位作者 张启仁 徐灵芝 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2011年第3期451-455,共5页
运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究BaMgF4晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-Xα源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带... 运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-Xα)研究BaMgF4晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-Xα源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带中;并用过渡态的方法计算得到F心的电子从基态到激发态的光学跃迁能量为5.12 eV,对应242 nm处的吸收带,计算结果与实验结果吻合得很好,因此,推测F心在BaMgF4晶体中引起236~274 nm的吸收. 展开更多
关键词 电子结构 F心 离散变分法 bamgf4晶体
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Ce^(3+)与Tb^(3+)共激活的Ba MgF_4体系的发光性质与能量传递 被引量:9
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作者 石士考 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期22-24,共3页
研究了BaMgF4 体系中Ce3 + 和Tb3 + 离子的发射光谱以及它们之间的能量传递现象。Ce3 + 可以将吸收的能量直接传递给Tb3 + 离子 ,使得Tb3 + 的绿色发光强度大大增加。
关键词 发光 能量传递 发射光谱 离子 激活
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Study of electronic structures and absorption bands of BaMgF_4 crystal with F colour centre
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作者 康玲玲 刘廷禹 +2 位作者 张启仁 徐灵芝 张飞武 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第4期404-407,共4页
The electronic structures of BaMgF4 crystals containing an F colour centre are studied within the framework of the fully relativistic self-consistent Direc-Slater theory, using a numerically discrete variational (DV... The electronic structures of BaMgF4 crystals containing an F colour centre are studied within the framework of the fully relativistic self-consistent Direc-Slater theory, using a numerically discrete variational (DV-Xa) method. It is concluded from the calculated results that the energy levels of the F colour centre are located in the forbidden band. The optical transition energy from the ground state to the excited state for the F colour centre is about 5.12 eV, which corresponds to the 242-nm absorption band. These calculated results can explain the origin of the absorption bands. 展开更多
关键词 electronic structures F-type colour centre DV-Xa (numerically discrete variational method) bamgf4 crystal
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BaMgF_4:Er^(3+),Yb^(3+)上转换纳米晶的合成及其发光性能研究 被引量:3
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作者 潘成龙 刘红利 +4 位作者 郭芸 景姝 孙静 周禾丰 王华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第15期202-206,共5页
采用反向共沉淀法制备了形貌呈棒状的BaMgF4:Er3+,Yb3+上转换纳米晶.样品在980 nm半导体激光器激发下发射绿色和红色上转换荧光,其发射的绿、红发射带归因于Er3+离子的2H11/2—4I15/2,4S3/2—4I15/2和4F9/2—4I15/2跃迁.当Er3+的掺杂浓... 采用反向共沉淀法制备了形貌呈棒状的BaMgF4:Er3+,Yb3+上转换纳米晶.样品在980 nm半导体激光器激发下发射绿色和红色上转换荧光,其发射的绿、红发射带归因于Er3+离子的2H11/2—4I15/2,4S3/2—4I15/2和4F9/2—4I15/2跃迁.当Er3+的掺杂浓度为3%,Yb3+离子掺杂浓度为10%时,荧光粉的上转换发光强度最强;随着Yb3+离子浓度的增加样品的红光发射增强,绿光发射减弱.通过上转换发光强度与抽运电流关系曲线的拟合,得出BaMgF4:Er3+,Yb3+上转换材料的绿光与红光的上转换过程均为双光子吸收过程. 展开更多
关键词 bamgf4 ER3+ YB3+ 反向共沉淀法 上转换
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GaAs衬底上强介质BaMgF_4膜的形成
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作者 赵虹 《航天工艺》 1997年第4期26-29,共4页
研究了GaAs衬底上形成强介质BaMgF4膜的最佳条件,在BaMgF4源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含BaF2和MgF2晶体的BaMgF4膜是有效的。最佳淀积温度和退火温度分别是300℃和600℃C,描述了最佳膜的结晶性... 研究了GaAs衬底上形成强介质BaMgF4膜的最佳条件,在BaMgF4源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含BaF2和MgF2晶体的BaMgF4膜是有效的。最佳淀积温度和退火温度分别是300℃和600℃C,描述了最佳膜的结晶性和电特性。 展开更多
关键词 衬底 强介质 bamgf4 砷化镓 电子器件 绝缘栅
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