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基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器
1
作者 崔凯 李志强 +1 位作者 刘昱 张海英 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第8期82-86,92,共6页
基于IBM SiGe 0.13μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs class E功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率.利用SiGe堆叠E类结构来增加整体的电压摆幅,每个管子都是工作在安全操作区域,同时电压是超... 基于IBM SiGe 0.13μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs class E功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率.利用SiGe堆叠E类结构来增加整体的电压摆幅,每个管子都是工作在安全操作区域,同时电压是超过BVceo的,进一步加大了功放的输出功率.设计了级间匹配网络,既保持了输出级比较高的击穿电压,又兼顾了功放的性能.在10GHz工作频率下,功放的峰值PAE达到了47.4%,同时其输出功率达到21.43dBm. 展开更多
关键词 bvcbo BVCEO CLASS-E SIGE 功率放大器
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高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决
2
作者 倪振文 刘昆山 +1 位作者 沈洪远 何早红 《电子质量》 2000年第7期21-24,共4页
通过对某型高反压管ＢＶcbo 击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试ＢＶcbo单结特性时应注意的问题。
关键词 击穿特性 高反压管 发辉现象 晶体管
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