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基于BOE硅腐蚀现象的硅纳米线制作被引量：1: 1; 作者王慧泉郑阳明 +3 位作者金仲和马慧莲李铁王跃林《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期2187-2190,共4页; 介绍一种硅纳米线制作方法.在SOI顶层硅上制作硅纳米梁,通过离子注入形成pnp结构,利用新发现的没有特殊光照时BOE溶液腐蚀pn结n型区域现象,结合BOE溶液氧化硅腐蚀,实现硅纳米线制作.制作完全采用传统MEMS工艺,具有工艺简单,成本低,可控... 展开更多; 关键词硅纳米线选择性腐蚀 boe溶液 PN结; 在线阅读下载PDF 职称材料

BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象: 2; 作者王慧泉金仲和 +2 位作者李铁马慧莲王跃林《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2007年第4期253-255,共3页; 通过选择性离子注入，在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构．实验发现，在黑暗条件下，PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀；该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关，随环境温度升高而加快，腐蚀速率范围为0．25～3．5nm／min；腐蚀... 展开更多; 关键词选择性腐蚀 boe溶液 PN结硅纳米线; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD提高SiO_2薄膜致密性的研究被引量：7: 3; 作者郭文涛谭满清 +2 位作者焦健郭小峰孙宁宁《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期577-581,共5页; 为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶... 展开更多; 关键词 PECVD SIO2薄膜致密性 boe腐蚀速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

固结磨料研磨K9玻璃亚表面损伤层深度测量方法研究被引量：3: 4; 作者戴子华朱永伟 +2 位作者李军高平左敦稳《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2014年第5期6-12,共7页; 光学工件研磨后亚表面损伤层深度是确定其抛光加工余量的重要依据。采用三种典型的光学材料亚表面损伤层深度测量方法(BOE分步腐蚀法、BOE差动腐蚀法、磁流变抛光斑点法),测量比较了固结磨料研抛垫(FAP)研磨后K9玻璃的亚表面损伤层厚度... 展开更多; 关键词亚表面损伤研磨 boe分步腐蚀法 boe差动腐蚀法磁流变斑点法; 在线阅读下载PDF 职称材料

VDMOS器件制造中的湿法工艺与设备研究被引量：4: 5; 作者宋文超《电子工业专用设备》 2021年第6期16-20,共5页; 简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原理进行了介绍。; 关键词 VDMOS器件湿法设备 RCA清洗 SPM去胶 boe腐蚀铝腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_(2)湿法腐蚀速率分析和形貌控制被引量：1: 6; 作者武艳青张奇 +3 位作者车相辉于峰涛姚文港董风鑫《电子工艺技术》 2021年第6期334-337,共4页; 制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果... 展开更多; 关键词 SiO_(2)薄膜 boe腐蚀液湿法腐蚀腐蚀速率腐蚀形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

二氧化硅湿法刻蚀的片内及片间均匀性的改善被引量：2: 7; 作者张凌越王雷《集成电路应用》 2018年第7期42-44,共3页; 随着硅片尺寸的加大和工艺尺寸的不断缩小,硅片上薄膜的均匀性对产品的良率影响越来越大,湿法蚀刻均匀性也逐渐成为影响产品良率的一个关键参数。通过对化学清洗槽中刻蚀剂流速的优化,化学清洗槽之后水槽的去离子水水流量优化,去离子水... 展开更多; 关键词集成电路制造湿法刻蚀 SIO2 boe 均匀性流速水流量; 在线阅读下载PDF 职称材料

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