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造孔剂含量对多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷结构和性能的影响 被引量:6
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作者 汪长安 董薇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期440-443,共4页
以Si_(3)N_(4)为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量对材... 以Si_(3)N_(4)为基体、BN为添加剂,采用添加PMMA造孔剂法制备出具有优良力学性能和介电性能的多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷。通过对材料的物相组成、显微结构、气孔率、孔径分布、力学及介电性能的表征和测试,系统分析了造孔剂含量对材料结构和性能的影响。结果表明:随着造孔剂含量的增加,多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷的气孔率增大,抗弯强度减小,介电常数减小,而介电损耗呈微弱的上升趋势。当造孔剂粒径为2μm,含量为5%(质量分数,下同)时,制备出气孔率达到40.8%,抗弯强度达到(114.67±10.73)MPa,介电常数为4.0,介电损耗为3.3×10^(-3)的高性能多孔BN/Si_(3)N_(4)复合陶瓷透波材料。 展开更多
关键词 bn/si3N4 多孔陶瓷 造孔剂法 介电性能 力学性能
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烧结温度对BN/Si_3N_4透波材料性能和显微结构的影响 被引量:3
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作者 赵玉军 沈建兴 张玉军 《齐鲁工业大学学报》 2015年第4期27-30,共4页
利用无压烧结技术,制备BN/Si_3N_4透波材料;研究了1 400℃、1 500℃、1 600℃和1 680℃四个烧结温度对BN/Si_3N_4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明:温度升高有利于β-Si_3N_4晶相的生成,烧结温度为1 600℃... 利用无压烧结技术,制备BN/Si_3N_4透波材料;研究了1 400℃、1 500℃、1 600℃和1 680℃四个烧结温度对BN/Si_3N_4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明:温度升高有利于β-Si_3N_4晶相的生成,烧结温度为1 600℃时,BN/Si_3N_4透波材料中针状β-Si_3N_4相和h-BN相并存;随着烧结温度的升高,气孔率单调降低,相对密度单调升高;弯曲强度、断裂韧性、介电常数和介电损耗逐渐增大;当烧结温度为1 600℃时,相对密度为74.2%,弯曲强度和断裂韧性分别为281.3 MPa和2.74 MPa/m^2,介电常数和介电损耗分别为5.01和0.010 2,可以作为航空航天飞行器的候选材料。 展开更多
关键词 bn/si3 N4 烧结温度 力学性能 介电性能 显微结构
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一步法制备BN/Si复合团簇结构
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作者 任书霞 籍凤秋 +1 位作者 王建雷 张光磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期459-464,共6页
以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶。实验结果表明合成温度对BN/S... 以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶。实验结果表明合成温度对BN/Si复合结构形成有重要影响,只有在1250℃以上的温度才会生成BN/Si复合团簇结构,另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物。PL光谱显示复合产物在360 nm的激发下,其发光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)处。 展开更多
关键词 bn/si复合团簇结构 一步法 PL光谱
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不同烧结温度下cBN/SiAlON陶瓷复合材料的性能研究
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作者 石晓飞 蔡志新 +4 位作者 何超 王建军 李晓东 茹红强 岳新艳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期196-199,共4页
以Si3N4、Al N、Al2O3和c BN粉为原材料,采用放电等离子烧结在不同温度下制备20%c BN/Si Al ON(质量分数)陶瓷复合材料,通过XRD、SEM及力学性能评估等手段研究了材料的物相组成、显微组织、体积密度、硬度以及断裂韧性等性能。结果表明:... 以Si3N4、Al N、Al2O3和c BN粉为原材料,采用放电等离子烧结在不同温度下制备20%c BN/Si Al ON(质量分数)陶瓷复合材料,通过XRD、SEM及力学性能评估等手段研究了材料的物相组成、显微组织、体积密度、硬度以及断裂韧性等性能。结果表明:20%c BN/Si Al ON陶瓷复合材料的最佳烧结温度为1500℃。并考察了用Si O2膜包覆c BN后对该材料力学性能的影响,用包裹后的c BN颗粒制备的c BN(coated)/Si Al ON复合材料,c BN颗粒与Si Al ON基体的界面结合明显改善,且复合材料的体积密度和硬度升高,断裂韧性略微降低。 展开更多
关键词 c bn/si Al ON 放电等离子烧结 si O2包覆 性能
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反应烧结法制备BN/Si3N4复相陶瓷的结构和性能 被引量:1
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作者 李永伟 唐学原 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期317-322,共6页
采用在硅(Si)粉中添加硼(B)粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅(BN/Si_3N_4)复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明:成型压强的增加会导... 采用在硅(Si)粉中添加硼(B)粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅(BN/Si_3N_4)复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明:成型压强的增加会导致样品氮化率下降;随着氮化温度的升高,样品氮化率增大;随着B添加量的增加,样品的氮化率先升高后降低.采用12 MPa成型且B添加量为10%(质量分数)时,经1 450℃氮化处理制得的陶瓷以β-Si_3N_4相为主,孔隙率为40.12%,在2~18GHz频率下,其介电常数为3.27~3.58,介电损耗角正切值为1.10×10^(-3)~1.12×10^(-2).B的加入有效地改善了Si_3N_4陶瓷的介电性能,有望应用于透波材料领域. 展开更多
关键词 反应烧结 bn/si3N4复相陶瓷 氮化率 介电性能
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高性能透波Si_3N_4-BN基陶瓷复合材料的研究 被引量:45
6
作者 张伟儒 王重海 +2 位作者 刘建 高芳 范景林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第3期3-6,共4页
采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16... 采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16 0MPa ,弹性模量 (E)为 99GPa ,介电常数 (ε)为 4 0左右。 展开更多
关键词 透波 si3N4-bn基陶瓷 复合材料 力学性能 介电性能
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Si_3N_4/BN层状陶瓷软层成分对材料韧性的影响 被引量:7
7
作者 昝青峰 蔡胜有 黄勇 《山东陶瓷》 CAS 1999年第2期4-8,共5页
层状结构能够有效地提高陶瓷材料的韧性,本论文用轧膜/涂层的方法制备了Si3N4/BN层状陶瓷复合材料。软层的结构及其与硬层的结合状态对整个材料的韧性非常重要,改变软层的成分可以改变软硬层间的结合强度,进而可以影响层状... 层状结构能够有效地提高陶瓷材料的韧性,本论文用轧膜/涂层的方法制备了Si3N4/BN层状陶瓷复合材料。软层的结构及其与硬层的结合状态对整个材料的韧性非常重要,改变软层的成分可以改变软硬层间的结合强度,进而可以影响层状材料的韧性。本论文研究了材料韧性随软层成分变化而变化的趋势,并对其原因进行了分析。 展开更多
关键词 软层 断裂 增韧 氮化硅 氮化硼 陶瓷
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Si/Al/BN多层膜的制备及研究 被引量:1
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作者 曲长庆 孙连婕 +2 位作者 陈希明 郭燕 吴小国 《天津理工大学学报》 2012年第1期76-78,88,共4页
本文采用磁控溅射系统制备了Si/Al/BN多层膜结构,并通过XRD,AFM,傅立叶红外光谱仪,纳米压痕仪等对Si/Al/BN多层膜结构进行了表征,表征结果表明本实验制备的Si/Al/BN多层膜基片符合高频声表面波器件基片的要求,为金刚石/IDT/BN多层膜超... 本文采用磁控溅射系统制备了Si/Al/BN多层膜结构,并通过XRD,AFM,傅立叶红外光谱仪,纳米压痕仪等对Si/Al/BN多层膜结构进行了表征,表征结果表明本实验制备的Si/Al/BN多层膜基片符合高频声表面波器件基片的要求,为金刚石/IDT/BN多层膜超高频声表面波器件的制备奠定了基础. 展开更多
关键词 si/Al/bn多层膜 高频声表面波 原子力显微镜 纳米压痕仪
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浸渍热解对常压烧结SiC/h-BN陶瓷力学性能的影响
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作者 杨万利 代丽娜 +2 位作者 史忠旗 肖志超 张旭辉 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期635-640,共6页
采用常压烧结工艺在1700℃保温2 h制备了Si C/h-BN复相陶瓷,在真空条件下使用硅溶胶和酚醛树脂溶液对烧结后试样进行交替循环浸渍,并在1450℃保温1 h进行热解处理,对比研究了浸渍热解处理前后复相陶瓷的致密度、抗弯强度和Vickers硬度... 采用常压烧结工艺在1700℃保温2 h制备了Si C/h-BN复相陶瓷,在真空条件下使用硅溶胶和酚醛树脂溶液对烧结后试样进行交替循环浸渍,并在1450℃保温1 h进行热解处理,对比研究了浸渍热解处理前后复相陶瓷的致密度、抗弯强度和Vickers硬度的变化,并讨论了复相陶瓷的强化机制。结果表明:Si C/h-BN陶瓷的致密度和力学性能在浸渍热处理后均得到显著的改善,其中Si C/20wt.%h-BN的相对密度从69.7%提高到74.9%,而抗弯强度提高了约1.5倍。浸渍热处理后形成了细小纳米态的Si C颗粒,相互交联沉积在孔隙界面,使裂纹沿界面扩展的阻力显著增加,从而提高了复合材料的力学性能。 展开更多
关键词 无机非金属材料 碳化硅/六方氮化硼陶瓷 浸渍热解处理 强化 硅溶胶 酚醛树脂
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Si_3N_4对导电BN蒸发舟性能影响 被引量:3
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作者 陈淑权 孙百忠 付春清 《山东陶瓷》 CAS 1999年第4期26-29,共4页
本文通过对BN-TiB2 基导电蒸发舟中添加一定量的Si3N4,研究了Si3N4对导电蒸发舟电性能、耐腐蚀性能的影响。研究表明,添加适量Bi3N4 能够在保持电性能良好的基础上,大大提高导电蒸发舟的耐腐蚀性,从而延长了... 本文通过对BN-TiB2 基导电蒸发舟中添加一定量的Si3N4,研究了Si3N4对导电蒸发舟电性能、耐腐蚀性能的影响。研究表明,添加适量Bi3N4 能够在保持电性能良好的基础上,大大提高导电蒸发舟的耐腐蚀性,从而延长了其使用寿命。 展开更多
关键词 蒸发舟 腐蚀 氮化硅 氮化硼 包装 真空镀钻纸膜
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Li_3N在生成BN反应中的作用 被引量:4
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作者 徐晓伟 刘志甫 +1 位作者 林前哨 李玉萍 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期75-79,共5页
研究了常压高温下Li3N在B4 C与含氮化合物生成BN反应中的作用。实验结果表明 ,在 950℃高温下 ,B4 C与Si3N4 反应不生成hBN ,B4 C与NH4 Cl反应只生成少量hBN。在该两种原料中加入Li3N后 ,反应产物中hBN的生成量都明显增多。但Li3N本身... 研究了常压高温下Li3N在B4 C与含氮化合物生成BN反应中的作用。实验结果表明 ,在 950℃高温下 ,B4 C与Si3N4 反应不生成hBN ,B4 C与NH4 Cl反应只生成少量hBN。在该两种原料中加入Li3N后 ,反应产物中hBN的生成量都明显增多。但Li3N本身没有与B4 C生成hBN的反应。由此推断 ,Li3N在上述B4 C与含氮化合物生成hBN的反应中表现出了催化作用。此外 ,在以hBN为原料 ,以Li3N为催化剂合成出cBN的温度压力区域内 ,对B4 C Si3N4 Li3N体系所做的高温高压实验没有合成出hBN或cBN。还讨论了在低压条件下原位合成cBN的探索实验中 。 展开更多
关键词 氮化锂 碳化硼 氮化硼 常压高温 含氮化合物 hbn六角结构生成反应 催化作用
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高韧性复相陶瓷材料的仿生结构设计、制备与力学性能 被引量:25
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作者 黄勇 汪长安 +3 位作者 昝青峰 李淑琴 李翠伟 邹林华 《成都大学学报(自然科学版)》 2002年第3期1-7,共7页
从天然生物材料 (竹、木、贝壳等 )结构出发 ,提出了高韧性复相陶瓷材料仿生结构设计新思路及设计的基本要点 .针对仿贝壳珍珠层结构特征 ,采用轧膜或流延成型工艺 ,成功制备出仿贝壳珍珠层结构特征的Si3 N4 /BN层状陶瓷材料 .通过对该... 从天然生物材料 (竹、木、贝壳等 )结构出发 ,提出了高韧性复相陶瓷材料仿生结构设计新思路及设计的基本要点 .针对仿贝壳珍珠层结构特征 ,采用轧膜或流延成型工艺 ,成功制备出仿贝壳珍珠层结构特征的Si3 N4 /BN层状陶瓷材料 .通过对该材料的结构参数和几何参数进行优化设计 ,可获得优异的力学性能 :断裂韧性在 2 0~ 2 8MPa·m1/ 2 ,断裂功高于 40 0 0J/m2 ,同时抗弯强度可保持在 5 0 0~ 70 0MPa .并分析了该材料具有高韧性的原因 。 展开更多
关键词 高韧性复相陶瓷材料 仿生结构 设计 制备 力学性能 断裂韧性 抗弯程度
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硅掺杂氮化硼纳米管的制备及其光学性质
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作者 王岩松 王野 +4 位作者 王文全 徐世峰 陈东风 刘瑞麟 张立功 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期968-971,共4页
通过高温热解聚合物前驱体方法制备Si掺杂BN纳米管.采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品的结构与形貌进行表征,结果表明,样品属于一端开口的竹节状BN纳米管,通过变温光致发光谱及喇曼光谱研究了Si掺杂BN纳米管的光学性质.
关键词 bn纳米管 si掺杂 发射谱 喇曼光谱
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