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水热-煅烧法制备BiNbO4及其光催化性能研究 被引量:1
1
作者 赵洁 吴飞 +2 位作者 张晓龙 宋强 冯亚伟 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2020年第1期10-16,32,共8页
本文提出一种水热-煅烧法合成BiNbO4的新方法。以Bi(NO3)3·5H2O和NbCl5为原料,用水热法(pH=9,220℃,24 h)制得前驱体Bi5Nb3O15,再将其于800℃煅烧3 h制得α-BiNbO4,于1 040℃煅烧3 h制得β-BiNbO4。通过XRD,UV-vis DRS,TG-DTA,SEM... 本文提出一种水热-煅烧法合成BiNbO4的新方法。以Bi(NO3)3·5H2O和NbCl5为原料,用水热法(pH=9,220℃,24 h)制得前驱体Bi5Nb3O15,再将其于800℃煅烧3 h制得α-BiNbO4,于1 040℃煅烧3 h制得β-BiNbO4。通过XRD,UV-vis DRS,TG-DTA,SEM和BET等技术对样品进行表征和分析,探讨了水热温度和煅烧温度对BiNbO4催化剂晶型结构的影响。以沙拉沙星为降解模型比较了α-BiNbO4和β-BiNbO4的光催化性能,发现α-BiNbO4的光催化性能优于β-BiNbO4的光催化性能。研究了α-BiNbO4光催化降解沙拉沙星的条件及性能。结果表明,在250 W氙灯180 min的照射下,催化剂用量为2.0 g/L,沙拉沙星浓度为10 mg/L,溶液pH值为3.0时,沙拉沙星的降解率可达97.37%。α-BiNbO4在各条件下降解沙拉沙星过程均符合一级动力学模型。 展开更多
关键词 光催化 binbo4 水热-煅烧法 降解 沙拉沙星
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BiNbO_4微波介质陶瓷的研究 被引量:7
2
作者 姚尧 赵梅瑜 +2 位作者 王依琳 吴文骏 金行运 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期176-180,共5页
本文研制V2O5和V2O5-CuO复合添加的BiNbO4微波介质陶瓷.实验结果表明:CuO-V2O5复合添加,比单独加入V2O5能大幅度地降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,有效地抑制晶粒异常生长,促使瓷体晶粒尺寸较为均匀和致密,降低高频和微波频率的tan... 本文研制V2O5和V2O5-CuO复合添加的BiNbO4微波介质陶瓷.实验结果表明:CuO-V2O5复合添加,比单独加入V2O5能大幅度地降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,有效地抑制晶粒异常生长,促使瓷体晶粒尺寸较为均匀和致密,降低高频和微波频率的tanδ值.CuO-V2O5复合添加BiNbO4介质陶瓷,在3GHz频率下,εr=44; 展开更多
关键词 binbo4 介质陶瓷 低温烧结 陶瓷 微波
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BiNbO_4的光催化性能研究 被引量:5
3
作者 邢精成 卞建江 +2 位作者 王小军 黄富强 赵景泰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期565-568,572,共5页
光催化剂BiNbo_4采用传统固相反应分别在900和1300℃下进行制备。通过XRD粉末衍射和UV-vis吸收光谱分析,表征了样品的物相和光谱吸收特性。通过对样品的测试分析表明,低温样品为正交相,高温样品为三斜相,正交相的禁带宽度(3.4eV)比三斜... 光催化剂BiNbo_4采用传统固相反应分别在900和1300℃下进行制备。通过XRD粉末衍射和UV-vis吸收光谱分析,表征了样品的物相和光谱吸收特性。通过对样品的测试分析表明,低温样品为正交相,高温样品为三斜相,正交相的禁带宽度(3.4eV)比三斜相(3.0eV)更宽。以降解甲基橙来评价BiNbO_4的光催化活性,对比试验表明低温正交相BiNbO_4的光催化活性远高于高温三斜相,这是由于它们晶体结构不同造成的。对正交相BiNbO_4的光催化性能进行了深入的研究,实验发现催化剂浓度和溶液pH值对光催化剂的活性影响很大。通过第一原理的计算,讨论了BiNbO_4的电子结构和光催化反应的关系。 展开更多
关键词 binbo4 光催化 甲基橙 能带结构
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TiO_2/BiNbO_4复合光催化剂的制备及降解气相苯性能 被引量:3
4
作者 吴大旺 李硕 +2 位作者 张秋林 陈耀强 龚茂初 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1383-1388,共6页
采用固相反应法制备出BiNbO4,将其与TiO2耦合,得到TiO2/BiNbO4复合光催化剂。考察了催化剂在紫外光照射下催化降解气相苯的活性。结果表明,TiO2与BiNbO4耦合后催化活性明显提高,其中36%TiO2/BiNbO4紫外光照5 h对苯的降解率是P-25的3.7... 采用固相反应法制备出BiNbO4,将其与TiO2耦合,得到TiO2/BiNbO4复合光催化剂。考察了催化剂在紫外光照射下催化降解气相苯的活性。结果表明,TiO2与BiNbO4耦合后催化活性明显提高,其中36%TiO2/BiNbO4紫外光照5 h对苯的降解率是P-25的3.7倍。紫外-可见漫反射谱(UV-Vis DRS)、XRD、XPS和低温氮吸附-脱附等表征结果表明TiO2与BiNbO4的能级匹配,二者之间存在能带协同效应。耦合后的TiO2/BiNbO4的光生电子和空穴能有效分离,从而提高了催化剂催化活性。 展开更多
关键词 TiO2/binbo4 光催化 降解 气相苯
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掺杂ZnO-B_2O_3低温烧结BiNbO_4介质陶瓷的研究 被引量:4
5
作者 张启龙 杨辉 +2 位作者 魏文霖 王信权 陆德龙 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第4期79-81,90,共4页
研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体... 研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能。ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ<1.5×10-3。 展开更多
关键词 掺杂 ZnO-B2O3 低温烧结 binbo4 微波介质陶瓷 烧结助剂 烧结特性 介电性能
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CuO添加的BiNbO_4微波材料的研究 被引量:3
6
作者 刘艳平 张良莹 +2 位作者 丁士华 张德生 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期52-54,共3页
讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响。结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后Q×f迅速降低。Q×f降低的原因主要与添加... 讨论了CuO添加对BiNbO4微波介质材料的结构和性能的影响。结果表明,添加CuO可促进晶粒生长,使得BiNbO4材料在较低的温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后Q×f迅速降低。Q×f降低的原因主要与添加后引起的介电弛豫有关,也与添加后第二相的出现及晶粒尺寸减小有关。最佳的CuO的添加量为0.2%(质量比),添加后材料可在920°C烧结,介电性能为:εr≈45(5GHz),Q×f≥10THz。 展开更多
关键词 binbo4 微波陶瓷 CUO 介电性能
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低温烧结微波介质陶瓷BiNbO_4的研究进展 被引量:2
7
作者 李光耀 王春娟 +2 位作者 谢述峰 刘向春 田长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第11期77-80,共4页
综述了低温烧结微波介质陶瓷BiNbO_4的近期研究进展,总结了在BiNbO_4陶瓷的研究中所采用的3种基本方法:氧化物掺杂、离子置换以及与其它微波介质材料复合,归纳了不同氧化物掺杂、不同离子置换对陶瓷影响的异同点,以及表现出来的共同规律。
关键词 binbo4 微波介质陶瓷 低温烧结 微波介质材料 掺杂 氧化物 离子 复合 置换 研究
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BiNbO_4纳米棒的制备及光催化性能研究 被引量:3
8
作者 赵洁 姚秉华 冯逸晨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期569-572,共4页
采用共沉淀法制备BiNbO4纳米棒。利用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和热重分析(TG/DTA)对其结构、形貌和性质进行表征,并通过紫外-可见分光光度计分析BiNbO4纳米棒光降解罗丹明B来研究其光催... 采用共沉淀法制备BiNbO4纳米棒。利用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和热重分析(TG/DTA)对其结构、形貌和性质进行表征,并通过紫外-可见分光光度计分析BiNbO4纳米棒光降解罗丹明B来研究其光催化活性。结果表明以五氧化二铌和五水硝酸铋为原料制备得到正交相结构的BiNbO4纳米棒;BiN-bO4纳米棒具有较高的光催化活性,在紫外光下,pH值=3.05,催化剂用量为2g/L时能够有效地降解罗丹明B,降解率受到光源、催化剂浓度和溶液pH值的影响较大。 展开更多
关键词 共沉淀法 binbo4纳米棒 光催化
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A位Sm取代对BiNbO_4陶瓷烧结及微波介电性能的影响 被引量:1
9
作者 王宁 赵梅瑜 +1 位作者 李蔚 殷之文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期31-34,共4页
就Sm部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响进行了研究。实验结果发现,随Sm取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温度升高,其晶相组成及微波介电性能也随之改变。通过适量的取代,可以获得各项性能均较优异的微波介质陶瓷... 就Sm部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响进行了研究。实验结果发现,随Sm取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温度升高,其晶相组成及微波介电性能也随之改变。通过适量的取代,可以获得各项性能均较优异的微波介质陶瓷材料组成。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 取代改性 binbo4 SM 烧结性能
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合成工艺对BiNbO_4微波介质陶瓷的影响 被引量:1
10
作者 姚尧 赵梅瑜 +1 位作者 吴文骏 王依琳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期491-495,共5页
本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响.结果表明:合成温度为850℃/2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能:在... 本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响.结果表明:合成温度为850℃/2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能:在100MHz,εr=49~52,在3GHz,εr=44,Q=2000~2300,τr=38ppm(-40~25℃);τr=±6ppm(25~85℃). 展开更多
关键词 binbo4 工艺 微波介质 陶瓷 铌酸铋 烧结
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掺杂和气氛烧结对BiNbO_4材料性能的影响 被引量:6
11
作者 毛羽 丁士华 +1 位作者 姚熹 张良莹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期79-81,共3页
研究了掺杂Nd和在不同气氛中烧结对BiNbO4材料烧结特性及微波介电性能的影响。结果表明,掺杂Nd虽然会提高BiNbO4材料的介电常数εr,但会降低材料的微波介电性能。在O2和N2中烧结可获得烧结致密和较高εr的材料,但微波介电性能显著下降... 研究了掺杂Nd和在不同气氛中烧结对BiNbO4材料烧结特性及微波介电性能的影响。结果表明,掺杂Nd虽然会提高BiNbO4材料的介电常数εr,但会降低材料的微波介电性能。在O2和N2中烧结可获得烧结致密和较高εr的材料,但微波介电性能显著下降。在空气中,870℃烧结的Bi0.99Nd0.01NbO4材料有最佳的性能,即烧结密度ρ=6.947g/cm3,εr=42.84,Q×f=18 162(Q为品质因数,f为频率),谐振频率温度系数τf=3.18×10-6/℃。 展开更多
关键词 binbo4 微波介电性能 缺陷偶极子
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BiNbO_4掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响 被引量:3
12
作者 梁一帅 杨成韬 +2 位作者 周晓华 唐彬 徐洋 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期618-620,共3页
在BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO三元系统中加入BiNbO4以获得中温烧结的X8R陶瓷材料。研究发现,BT陶瓷系统的室温介电常数随BiNbO4掺杂量的增加而减小,适量的BiNbO4可改善BT陶瓷的高温稳定性。SEM和XRD分析表明,掺杂BiNbO4可在BT系统中产生条状... 在BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO三元系统中加入BiNbO4以获得中温烧结的X8R陶瓷材料。研究发现,BT陶瓷系统的室温介电常数随BiNbO4掺杂量的增加而减小,适量的BiNbO4可改善BT陶瓷的高温稳定性。SEM和XRD分析表明,掺杂BiNbO4可在BT系统中产生条状第二相Bi4Ti4O12,且第二相的比例随BiNbO4掺杂浓度的增加而增大。低介第二相Bi4Ti4O12的产生是BT陶瓷系统介电常数下降的原因。在空气中于1 100℃下烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标:室温介电常数2ε98 K>1 600,介电损耗tanδ≤1.0%,电阻率ρ≥1011Ω.cm,-55^+125℃范围内最大电容量变化率不超过±10%。 展开更多
关键词 X8R 钛酸钡 binbo4 介电性能
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烧结气氛对CuO添加BiNbO_4陶瓷微波介电性能的影响 被引量:2
13
作者 王正文 姚熹 张良莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期7-9,共3页
对不同CuO添加量的BiNbO4陶瓷做了大气和N2气氛烧结研究。结果表明BiNbO4陶瓷对低氧分压气氛非常敏感。BiNbO4在高纯N2气氛下烧结产生大量的空位缺陷致使表观密度发生变化,这种空位缺陷多少与CuO加入量没有明显关系。但添加CuO降低了烧... 对不同CuO添加量的BiNbO4陶瓷做了大气和N2气氛烧结研究。结果表明BiNbO4陶瓷对低氧分压气氛非常敏感。BiNbO4在高纯N2气氛下烧结产生大量的空位缺陷致使表观密度发生变化,这种空位缺陷多少与CuO加入量没有明显关系。但添加CuO降低了烧结温度,这种作用在N2条件下表现更为明显,出现了二次结晶现象。N2气氛条件下烧结的陶瓷微波性能没有显著恶化,对系列CuO添加的BiNbO4陶瓷介电常数,品质因数和介电常数温度系数随烧结气氛不同的变化分别作了介绍。 展开更多
关键词 铌酸铋 微波介质陶瓷 烧结气氛 缺陷 氧空位 CUO binbo4 微波介电性能 品质因数 介电常数
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不同方法制备BiNbO_4微波陶瓷的研究 被引量:1
14
作者 徐清华 杨同青 +3 位作者 乔宏伟 沈波 丁士华 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期190-192,共3页
研究了固相反应法和熔盐法两种制备方法对BiNbO4微波陶瓷的烧结温度、微观形貌、结构和介电性能的影响。实验表明:在添加CuO和V2O5分别为0.1%(质量分数)时,固相反应法在较低的烧结温度下可获得较致密的陶瓷样品,样品表面晶粒呈球状,品... 研究了固相反应法和熔盐法两种制备方法对BiNbO4微波陶瓷的烧结温度、微观形貌、结构和介电性能的影响。实验表明:在添加CuO和V2O5分别为0.1%(质量分数)时,固相反应法在较低的烧结温度下可获得较致密的陶瓷样品,样品表面晶粒呈球状,品质因数与谐振频率的乘积即Q×f值较大,谐振频率温度系数为正值;熔盐法制得的陶瓷样品具有明显的各向异性,晶粒呈棒状,谐振频率温度系数随烧结温度的升高由正值向负值变化,在940℃烧结,介电常数为38,Q×f值为7781 GHz,谐振频率温度系数近零,为0.92×10-6/℃。两种方法制得的陶瓷样品在微波频段介电常数相近。 展开更多
关键词 binbo4微波陶瓷 熔盐法 固相反应法 介电性能
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烧结助剂对BiNbO_4陶瓷烧结特性及介电性能的影响 被引量:5
15
作者 张启龙 杨辉 +2 位作者 魏文霖 邹佳丽 尤源 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期7-9,共3页
研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的... 研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加1%质量分数的ZnO-B2O3,致密化温度降低到900,达到96%的理论密度,在920保温4h,材料的r为41,Q·f为13500GHz。 展开更多
关键词 介质陶瓷 微波性能 低温烧结 铌酸铋
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Si取代对BiNbO_4烧结及微波介电性能的影响
16
作者 林易州 杨同青 +2 位作者 丁士华 姚熹 张良莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期42-44,共3页
采用传统固相反应法制备样品,研究了SiO2掺杂对BiNbO4烧结特性、微观结构、介电性能的影响。利用HP8753E网络分析仪测试样品微波性能。实验结果表明,Si取代后样品逐渐出现了三斜相,随着Si取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温度升高,晶粒变... 采用传统固相反应法制备样品,研究了SiO2掺杂对BiNbO4烧结特性、微观结构、介电性能的影响。利用HP8753E网络分析仪测试样品微波性能。实验结果表明,Si取代后样品逐渐出现了三斜相,随着Si取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温度升高,晶粒变大、形状变不规则、样品Q值减小、谐振频率温度系数由正值向负值转变。 展开更多
关键词 无机非金属材料 binbo4 微波介质陶瓷 掺杂 介电性能
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A位非化学计量对BiNbO_4陶瓷性能的影响
17
作者 王宁 赵梅瑜 +1 位作者 李蔚 殷之文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期11-14,18,共5页
为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响,对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究,结果表明,A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长,使其烧结温度降低,烧结样... 为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响,对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究,结果表明,A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长,使其烧结温度降低,烧结样品的晶相组成仍为正交-BiNbO4相,微波介电性能有所改善;A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响,Bi过量达0.030时,烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生,样品的微波介电性能急剧恶化。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 非化学计量 铌酸铋
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Exploring the compression behavior of HP-BiNbO_4 under high pressure
18
作者 刘银娟 张佳威 +4 位作者 贺端威 许超 胡启威 戚磊 梁阿坤 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第11期389-392,共4页
In the present work, a third form, the so-called HP-BiNbO4 synthesized at high pressure and high temperature is investigated with the in-situ angle-dispersive x-ray diffraction(ADXRD) measurements under high pressur... In the present work, a third form, the so-called HP-BiNbO4 synthesized at high pressure and high temperature is investigated with the in-situ angle-dispersive x-ray diffraction(ADXRD) measurements under high pressure. We explore the compression behavior and phase stability of HP-BiNbO4. The structure of HP-BiNbO4 is first determined. The x-ray diffraction data reveal that the structure HP-BiNbO4 is stable under pressures up to 24.1 GPa. The ADXRD data yield a bulk modulus Ko = 185(7) GPa with a pressure derivative Ko'= 2.9(0.8). Furthermore, the data are compared with those of other ABO4 compounds. The results show that the bulk modulus of HP-BiNbO4(about 185 GPa) is slightly higher than that of tetragonal BiVO4 and significantly greater than those of the tungstates and molybdates. 展开更多
关键词 high pressure binbo4 x-ray diffraction bulk modulus
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BiNbO_4掺杂对BaTiO_3基陶瓷的改性效应研究 被引量:4
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作者 杜旻 袁颖 +2 位作者 张树人 杨林波 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期641-644,共4页
对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNb04的微结构和介电性能进行了研究。1%(摩尔分数)BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃。BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高... 对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNb04的微结构和介电性能进行了研究。1%(摩尔分数)BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃。BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高。掺杂3%~4%(摩尔分数)BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性。烧结温度过高时,居里峰明显被抑制,居里温度向低温移动,而低温介电峰向高温移动。SEM结果表明,1%(摩尔分数)BiNbO4掺杂时,陶瓷晶粒细小且尺寸均匀。BiNbO4含量增大,陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒,且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大。XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13。 展开更多
关键词 钛酸钡 铌酸铋 X8R 多层陶瓷电容器
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