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Au-Sn共晶焊料分层电镀沉积法应用工艺及性能分析
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作者 吴莉莉 邓永强 +1 位作者 杨皓 胡蒙均 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第11期85-92,共8页
为提升Au-Sn共晶焊料的焊接质量,需对Au-Sn焊料的成分和厚度进行精确控制。为此,本研究提出一种Au-Sn共晶焊料分层电镀沉积法的应用工艺,并给出相应的性能分析方法。采用Au-DMH作为金主盐、焦磷酸亚锡作为锡主盐,配合亚硫酸钠、焦磷酸... 为提升Au-Sn共晶焊料的焊接质量,需对Au-Sn焊料的成分和厚度进行精确控制。为此,本研究提出一种Au-Sn共晶焊料分层电镀沉积法的应用工艺,并给出相应的性能分析方法。采用Au-DMH作为金主盐、焦磷酸亚锡作为锡主盐,配合亚硫酸钠、焦磷酸钾等络合剂及EDTA、邻苯二酚等添加剂,配制了稳定的无氰Au-Sn共沉积镀液。以表面预镀0.2μm Au的6英寸晶圆硅片作为共晶焊料的基体,利用双脉冲电流工艺进行分层电镀沉积,控制Au-Sn原子比为80∶20,总厚度为1.5~2.0μm。通过控制不同的电流密度,依次进行种子层沉积和分层电镀沉积,得到Au-Sn共晶焊料分层电镀样品,厚度达到目标值。性能测试表明,镀液在加入锡酸钠后20 d内阴极极化曲线无明显变化,显示出良好的稳定性。电镀层显微组织结构层次分明,Sn元素均匀分布,Au元素有序沉积。镀层表面由均匀分布的细小颗粒组成,平整度和一致性显著提高。峰值电流密度对Sn含量影响显著,15 mA/cm^(2)时Sn含量约为13~20 at.%,45 mA/cm^(2)时Sn含量稳定在35~40 at.%。结合力测试显示,镀层在60 d内未出现脱离现象。耐腐蚀性测试表明,镀层在浓盐酸溶液中浸泡50 d后质量损失未突破预设上限值,显示出优异的耐腐蚀性能。 展开更多
关键词 au-sn共晶焊料 电镀沉积法 应用工艺 性能分析 电镀层 无氰镀液
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钎焊工艺对Au-Sn/Ni焊点组织及力学性能的影响 被引量:2
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作者 韦小凤 朱学卫 +2 位作者 杨福增 杨有刚 王日初 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第22期84-91,共8页
通过回流焊技术制备Au-Sn/Ni焊点,通过扫描电子显微镜和能谱检测分析钎焊接头的微观组织及其相组成,利用疲劳试验机对焊点的剪切强度进行检测,研究不同钎焊工艺对Au-Sn/Ni焊点组织和力学性能的影响。结果表明,在310℃钎焊1 min的Au-Sn/N... 通过回流焊技术制备Au-Sn/Ni焊点,通过扫描电子显微镜和能谱检测分析钎焊接头的微观组织及其相组成,利用疲劳试验机对焊点的剪切强度进行检测,研究不同钎焊工艺对Au-Sn/Ni焊点组织和力学性能的影响。结果表明,在310℃钎焊1 min的Au-Sn/Ni焊点经过水冷或空冷后,焊料内部均形成镶嵌有离散分布的(Ni,Au)_3Sn_2相的(Au5Sn+Au Sn)共晶组织,焊料/Ni界面处形成(Ni,Au)_3Sn_2金属间化合物(intermetallic compound,IMC)层;钎焊后炉冷的焊点,由于冷却速度过慢,导致焊料中Ni质量分数增大,(Ni,Au)_3Sn_2相异常长大消耗共晶组织中的(Au,Ni)Sn相,焊料共晶组织消失。随着钎焊时间的延长,基板中的Ni原子不断往焊料扩散,界面处的IMC层厚度均有不同程度的增加。随钎焊时间延长焊点的剪切强度逐渐下降,而剪切断裂模式为脆性断裂,发生在焊料与金属间化合物层的界面处。Au-Sn/Ni焊点在310℃下钎焊1 min,并采用水冷方式时得到的力学性能最佳。 展开更多
关键词 au-sn/Ni焊点 界面反应 IMC层 剪切强度
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用于大功率半导体激光器封装的Au-Sn合金焊料的制备和特性研究 被引量:6
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作者 黄波 陈金强 +4 位作者 杨凯 孙亮 宋国才 高欣 薄报学 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2007年第3期1-4,共4页
介绍了具有极好热特性、电特性和机械特性以及相对低的熔化温度的Au(80wt.%-Sn(20wt.%)共熔合金焊料的制备方法和过程,研究了用于焊接大功率半导体激光器的Au-Sn合金的特性,并探讨了获得可靠焊接应注意的问题。
关键词 au-sn合金焊料 大功率半导体激光器 共熔合金 焊接
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面向异质集成的Au-Sn、Au-In晶圆级键合 被引量:6
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作者 吴焱 刘鹏飞 姜理利 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第4期246-250,290,共6页
针对高温(>300℃)及低温(<200℃)键合应用场景,提出了一种多沟槽键合结构,对键合参数、金属层厚度等方面进行优化,实现了基于Au-Sn键合、Au-In键合的三层GaAs-Si异质晶圆级堆叠。Au-Sn键合强度均大于293.10 MPa,键合区内观测到高... 针对高温(>300℃)及低温(<200℃)键合应用场景,提出了一种多沟槽键合结构,对键合参数、金属层厚度等方面进行优化,实现了基于Au-Sn键合、Au-In键合的三层GaAs-Si异质晶圆级堆叠。Au-Sn键合强度均大于293.10 MPa,键合区内观测到高强度、高可靠性的AuSn共晶组织。研究了单面In结构的Au-In扩散机理,提出不同阶段下Au-In扩散顺序及生成的金属间化合物。 展开更多
关键词 au-sn键合 Au-In键合 异质集成 扩散机理
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电镀Au-Sn合金的研究 被引量:8
5
作者 张静 徐会武 +2 位作者 李学颜 苏明敏 陈国鹰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1066-1069,共4页
Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中。对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺条件,用扫描电镜的方法测试不同电流密度下Au-S... Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中。对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺条件,用扫描电镜的方法测试不同电流密度下Au-Sn合金组分,用测厚仪测试镀层厚度,计算出镀速,最终确定电镀Au-Sn(质量分数为20%)合金的电镀条件,并对微氰和无氰电镀液优缺点进行了对比分析。 展开更多
关键词 金锡合金 微氰 无氰 电镀 电流密度 扫描电镜
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Microstructural evolution of Au-Sn solder prepared by laminate rolling during annealing process 被引量:6
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作者 WEI Xiaofeng WANG Richu FENG Yan ZHU Xuewei PENG Chaoqun 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第6期627-632,共6页
The microstructural evolution and inteffacial reaction of the Au/Sn/Au/Sn/Au/Sn/Au couples were investigated during annealing at 453, 523, and 543 K for up to 240 h. The Au/Sn combination formed a rapid diffusion syst... The microstructural evolution and inteffacial reaction of the Au/Sn/Au/Sn/Au/Sn/Au couples were investigated during annealing at 453, 523, and 543 K for up to 240 h. The Au/Sn combination formed a rapid diffusion system. Even in rolled Au-Sn solder, three phases, such as AuSn, AuSn2, and AuSn4, were formed. After initial annealing at 453 K, the diffusion layers of AuSn, AuSn2, and AuSn4, which were formed after rolling, expanded gradually and then fully transformed into phase (containing Sn from 10% to 18.5%, mole fraction) and 6 (AuSn) phase. As a whole, the microstmcture of the couple was stable during annealing at 453 K. The solid-state interracial reaction was much faster at 523 K than at 453 K. After annealing at 523 K for 6 h, the AuSn, AuSn2, and AuSn4 were fully transformed into the phase and phase (AuSn). In spite of the prolonged annealing time for up to 240 h, no significant change of the interfacial microstructure occurred, and the microstructure of the couple was stable during annealing at 523 K. When annealing at 543 K, however, the interfacial of Au/Sn was transformed into solid-liquid state, and the whole couple formed a eutecfic structure rapidly, causing the solder to be brittle. The study results clearly demonstrate that the service temperature of the Au-Sn solder should be lower than 543 K. 展开更多
关键词 au-sn solders intermetallic compounds (IMCs) rolling-annealing method interfacial reaction microstructural evolution
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Au-Sn合金电镀 被引量:1
7
作者 王丽丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期36-37,42,共3页
概述了改善的AuSn 合金镀液, 可以稳定地形成组成为80w t% Au、20w t% Sn 的AuSn 合金镀层, 适用于具有抗蚀剂图形的半导体等电子零件上形成AuSn 合金微细焊料图形。
关键词 au-sn合金 有机酸锡盐 半导体制造工艺 电镀
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无氰共沉积Au-Sn共晶合金薄膜
8
作者 唐定 朱莞烨 衷水平 《金属功能材料》 CAS 2022年第4期22-27,共6页
电化学沉积是一种制备高性能与高可靠Au-30%(原子分数)Sn共晶合金封装材料的较好方法。采用恒电流法从一种无氰Au-Sn电镀液中沉积得到Au-Sn共晶合金薄膜。通过电化学测试、合金薄膜成分与形貌分析以及多批次重现性实验,确定在-2.0 mA/cm... 电化学沉积是一种制备高性能与高可靠Au-30%(原子分数)Sn共晶合金封装材料的较好方法。采用恒电流法从一种无氰Au-Sn电镀液中沉积得到Au-Sn共晶合金薄膜。通过电化学测试、合金薄膜成分与形貌分析以及多批次重现性实验,确定在-2.0 mA/cm^(2)电流密度下可以沉积出表面平整致密且Sn原子含量稳定在30%(原子分数)左右的Au-Sn共晶合金薄膜。Au-Sn共晶合金薄膜的沉积速率约为5.0μm/h。差热分析曲线(DSC)表明,Au-Sn共晶合金薄膜共晶点温度为277.4℃,与理论值相一致。另外,该无氰Au-Sn电镀液具有较好的储存寿命。研究结果可以为无氰共沉积Au-Sn共晶合金薄膜提供一定的参考和经验。 展开更多
关键词 au-sn共晶合金 无氰电镀液 共沉积 沉积速率 储存寿命
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Effects of Cu addition on growth of Au-Sn intermetallic compounds at Sn-xCu/Au interface during aging process
9
作者 TIAN Yanhong,WANG Chunqing,and LIU Wei Microjoining Laboratory,State Key Laboratory of Advanced Welding Production Technology,Harbin Institute of Technology,Harbin 15000,China 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第S1期331-337,共7页
The growth of Au-Sn intermetallic compounds(IMCs) is a major concern to the reliability of solder joints in microelectronic,optoelectronic and micro-electronic-mechanical system(MEMS) which has a layer of Au metalliza... The growth of Au-Sn intermetallic compounds(IMCs) is a major concern to the reliability of solder joints in microelectronic,optoelectronic and micro-electronic-mechanical system(MEMS) which has a layer of Au metallization on the surface of components or leads.This paper presented the growth behavior of Au-Sn IMCs at interfaces of Au metallization and Sn-based solder joints with the addition of Cu alloying element during aging process,and growth coefficients of the Au-Sn IMCs were calculated.Results on the interfacial reaction between Sn-xCu solders and Au metallization during aging process show that three layers of Au-Sn IMCs including AuSn,AuSn2 and AuSn4 formed at the interface region.The thickness of each Au-Sn IMC layer vs square root of aging time follows linear relationship.Calculation of the IMC growth coefficients shows that the diffusion coefficients decrease with the addition Cu elements,which indicates that Cu addition suppresses the growth of Au-Sn IMCs layer. 展开更多
关键词 Sn-based solder alloys Cu alloying element au-sn intermetallic compounds
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碱性镀Au-Sn合金
10
《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第7期64-64,共1页
关键词 碱性镀 au-sn合金 空心珠宝电铸白金 镀槽 镀层 晶相 组成
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用于微电子和光电子Au-Sn合金的脉冲电镀
11
《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第8期78-78,共1页
关键词 微电子 光电子 au-sn合金 脉冲电镀
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分步法电镀制备的Au-Sn共晶凸点的微观组织
12
作者 潘剑灵 黄明亮 赵宁 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期2016-2022,共7页
研究金属离子与络合剂摩尔浓度比、pH值及电镀温度对Au、Sn镀层表面形貌及其镀速的影响。通过分步法电镀Au/Sn/Au三层结构薄膜,并回流制备Au-Sn共晶凸点。结果表明:镀Au过程中,随着Au离子与亚硫酸钠摩尔浓度比的增加,Au镀层晶粒细化,并... 研究金属离子与络合剂摩尔浓度比、pH值及电镀温度对Au、Sn镀层表面形貌及其镀速的影响。通过分步法电镀Au/Sn/Au三层结构薄膜,并回流制备Au-Sn共晶凸点。结果表明:镀Au过程中,随着Au离子与亚硫酸钠摩尔浓度比的增加,Au镀层晶粒细化,并在摩尔浓度比为1:6时获得了最快的沉积速度;当电镀温度较低时,镀Au层表面呈多孔状,随着温度的升高,镀层致密性增加,晶粒也趋于圆滑。镀Sn过程中,随着Sn离子与焦磷酸钾摩尔浓度比的增大,镀层表面起伏加剧,镀层孔洞增多。当pH值为8.0时,镀层平整致密,随着pH值的增高,析氢反应加剧,Sn离子水解,导致镀层质量下降。运用分步法电镀制备的Au/Sn/Au三层结构薄膜均匀,回流得到了具有典型共晶组织的Au-Sn凸点。 展开更多
关键词 分步法电镀 回流 共晶组织 凸点
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采用底部填料预涂工艺的Au-Sn粘结倒芯片COF技术 被引量:1
13
作者 蔡积庆 《印制电路信息》 2004年第10期60-64,共5页
概述了COF粘结技术以及应用底部填料预涂工艺的Au-Sn粘结倒芯片COF技术。
关键词 COF 芯片 技术 底部
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Au-Sn金属间化合物的第一性原理研究 被引量:15
14
作者 胡洁琼 谢明 +3 位作者 张吉明 刘满门 杨有才 陈永泰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期272-279,共8页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,计算研究了Au-Sn二元系金属间化合物的生成焓、结合能、电子结构、弹性性质和结构稳定性.计算结果表明:Au5Sn合金的生成焓最小,说明Au5Sn较容易生成,但Au5Sn在热力学和力学上是不稳定的;A... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,计算研究了Au-Sn二元系金属间化合物的生成焓、结合能、电子结构、弹性性质和结构稳定性.计算结果表明:Au5Sn合金的生成焓最小,说明Au5Sn较容易生成,但Au5Sn在热力学和力学上是不稳定的;AuSn2和AuSn4的键合作用较强,弹性模量、剪切模量均大于AuSn和Au5Sn;从电子结构的角度,AuSn2和AuSn4的成键主要来自于Au原子d轨道与Sn原子p轨道的杂化;而AuSn以Sn—Sn键的相互作用为主,Au5Sn相中Au的占比较大,导致Au—Au共价键发挥作用,抑制了Sn导带p电子的成键. 展开更多
关键词 电子结构 弹性性质 第一性原理 au-sn金属间化合物
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电子束蒸镀真空度调控对Au80Sn20焊料界面组织及结合力强化的机制研究
15
作者 梁月 王兢 +1 位作者 梁超 何锦华 《现代交通与冶金材料》 2025年第S1期244-248,共5页
研究了真空镀膜的真空度对金锡(Au80Sn20)焊料制备及焊接质量的影响。在不同真空度(1×10^(-2)~5×10^(-4)Pa)下采用电子束蒸镀制备的Au/Sn交替叠层结构,通过共晶焊接获得Au5Sn/AuSn双相共晶组织。实验表明,真空度提升显著优化... 研究了真空镀膜的真空度对金锡(Au80Sn20)焊料制备及焊接质量的影响。在不同真空度(1×10^(-2)~5×10^(-4)Pa)下采用电子束蒸镀制备的Au/Sn交替叠层结构,通过共晶焊接获得Au5Sn/AuSn双相共晶组织。实验表明,真空度提升显著优化界面性能:5×10^(-4)Pa条件下,焊料孔隙率显著降低,金属间化合物(IMC)层连续致密,芯片推力达10.6 kgf,较低真空样品提升43%。高真空环境通过消除氧化膜、降低熔融合金表面张力及脱气效应,促进润湿与界面冶金结合,抑制脆性断裂。该研究为高功率器件封装提供了工艺优化依据。 展开更多
关键词 金锡焊料 真空蒸镀 金属间化合物 共晶 界面性能
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金锡镀层在CSP气密封装中的应用及其可靠性 被引量:3
16
作者 李亚飞 王宇翔 +4 位作者 籍晓亮 温桎茹 米佳 汪红兵 郭福 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期49-55,I0006,共8页
芯片级尺寸封装的气密性被越来越广泛的关注,为了实现CSP器件的可伐管帽与陶瓷基板之间的气密性互连,采用分层电镀沉积的方法在高温共烧陶瓷(HTCC)基板表面制备了金/锡/金镀层,利用金与锡间的共晶反应以实现管帽和基板的气密性可靠封接... 芯片级尺寸封装的气密性被越来越广泛的关注,为了实现CSP器件的可伐管帽与陶瓷基板之间的气密性互连,采用分层电镀沉积的方法在高温共烧陶瓷(HTCC)基板表面制备了金/锡/金镀层,利用金与锡间的共晶反应以实现管帽和基板的气密性可靠封接.文中分析了金/锡/金镀层质量、焊接工艺对Au80Sn20共晶焊料封接结果的影响.结果表明,金/锡/金镀层厚度和层间的结合力决定了Au-Sn共晶焊料的封接质量.在焊接升温过程中,锡镀层首先熔化形成“熔池”,溶解上下侧与之接触的金镀层,直至完成共晶反应;采用较短的焊接时间能够实现更好的金锡共晶封接;焊接温度为330℃、保温时间为30 s时,Au-Sn镀层共晶反应形成δ/(Au,Ni)Sn—ζ相—δ/(Au,Ni)Sn的分层共晶组织,实现了可伐管帽与HTCC基板的气密性封接. 展开更多
关键词 au-sn焊料 共晶反应 电镀沉积 CSP封装
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孕育形核处理对金锡共晶合金铸态凝固组织的影响 被引量:10
17
作者 宋佳佳 郭德燕 +1 位作者 邓超 毛勇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期756-760,共5页
研究了添加微量Au或Sn作为孕育形核剂进行孕育形核处理对金锡共晶合金Au20Sn铸态凝固组织的影响。结果表明:添加微量Au或Sn进行孕育形核处理均将显著改善金锡共晶合金铸态凝固组织,特别是改变了初生相的结构、形貌和尺寸。初生相的结构... 研究了添加微量Au或Sn作为孕育形核剂进行孕育形核处理对金锡共晶合金Au20Sn铸态凝固组织的影响。结果表明:添加微量Au或Sn进行孕育形核处理均将显著改善金锡共晶合金铸态凝固组织,特别是改变了初生相的结构、形貌和尺寸。初生相的结构由传统凝固组织中的’-Au5Sn相改变为-AuSn相,初生相的形貌和尺寸由粗大且分布不均的树枝状改变为细小且分布较为均匀的棒状或卵状,而且添加微量Sn比添加微量Au孕育形核处理后得到的凝固组织中初生相更趋均匀;同时,孕育形核处理也细化了共晶层片组织,共晶团的平均尺寸明显减小。 展开更多
关键词 金锡共晶合金 孕育形核 凝固组织 初生相
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基于Au基共晶焊料的焊接技术及其应用 被引量:22
18
作者 胡永芳 李孝轩 禹胜林 《电焊机》 2008年第9期57-60,共4页
采用BTU隧道炉对Au基共晶焊料(金锡、金锗)的焊接技术及在TR组件应用情况进行研究分析,并进行了显微镜观察、X-ray检测。试验结果表明:通过隧道炉进行的Au基共晶焊料的焊接润湿角小于90°,呈R角,焊透率均能达到95%以上,具有很低的... 采用BTU隧道炉对Au基共晶焊料(金锡、金锗)的焊接技术及在TR组件应用情况进行研究分析,并进行了显微镜观察、X-ray检测。试验结果表明:通过隧道炉进行的Au基共晶焊料的焊接润湿角小于90°,呈R角,焊透率均能达到95%以上,具有很低的空洞率,剪切强度远大于砷化镓本身材料的强度,生产效率高,能够满足产品的大批量生产应用。 展开更多
关键词 Au/Sn焊料 Au/Ge焊料 空洞率
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ICP-AES法同时测定金锡合金中13个杂质元素 被引量:5
19
作者 何姣 李光俐 +2 位作者 贺胜男 王应进 蔡文云 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期55-59,共5页
试样用HCl-HNO3溶解,采用ICP-AES法同时测定金锡合金中铝、铍、铋、钙、镉、铬、铜、铁、镁、锰、镍、铅、锌等13个杂质元素。对基体金、锡的影响、元素分析谱线、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,确定了最佳实验条件。样品加标回... 试样用HCl-HNO3溶解,采用ICP-AES法同时测定金锡合金中铝、铍、铋、钙、镉、铬、铜、铁、镁、锰、镍、铅、锌等13个杂质元素。对基体金、锡的影响、元素分析谱线、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,确定了最佳实验条件。样品加标回收率为90.2%~117.8%,相对标准偏差为3.6%~7.5%。方法操作简便、快速、准确。 展开更多
关键词 分析化学 ICP-AES 金锡合金 杂质元素
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基于金基钎料的毫米波T/R组件连接技术研究 被引量:5
20
作者 许立讲 李孝轩 +1 位作者 刘刚 严伟 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期60-62,66,共4页
介绍了对金锡(Au-Sn)及金锗(Au-Ge)二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge钎料的综合性能,讨论了Au-Sn及Au-Ge钎料在芯片封装领域的应用。基于金基钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术,研究了芯片共晶焊接技术和组件气密... 介绍了对金锡(Au-Sn)及金锗(Au-Ge)二元合金相图、Au-Sn及Au-Ge钎料的综合性能,讨论了Au-Sn及Au-Ge钎料在芯片封装领域的应用。基于金基钎料(Au-Sn、Au-Ge)采用BTU烧结炉研究了毫米波T/R组件连接技术,研究了芯片共晶焊接技术和组件气密封装技术。试验结果表明,共晶焊接试验芯片通过X-ray检测焊透率高于95%,焊接接头剪切强度满足国军标要求;组件气密封装试验组件气密性达到10-10Pa.m3/s,毫米波T/R组件电性能测试满足设计要求。 展开更多
关键词 金锡 金锗 毫米波 T/R组件 连接
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