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CALO-IsCMOS用微通道板性能测试与模拟仿真
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作者 胡泽训 丛晓庆 +15 位作者 李涛 林焱剑 孙建宁 王健 顾燕 祝佳祺 程岩 张欢 常乐 刘倍宏 何治丽 王志刚 权征 曹伟伟 李然 黎龙辉 《红外与激光工程》 北大核心 2026年第3期258-270,共13页
微通道板(Microchannel Plate,MCP)是高能宇宙辐射探测设施(High Energy Radiation Detection facility,HERD)中增强型科学级互补金属氧化物半导体相机(Intensified Scientific Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,IsCMOS)的核心... 微通道板(Microchannel Plate,MCP)是高能宇宙辐射探测设施(High Energy Radiation Detection facility,HERD)中增强型科学级互补金属氧化物半导体相机(Intensified Scientific Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,IsCMOS)的核心电子倍增器件。通过采用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术与扩口技术,研制出高增益、长寿命、大开口、低光晕的MCP,用于满足空间探测的严苛技术要求。结合扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、X射线光电子能谱仪(X-ray Photoelectron Spectrometer,XPS)、原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)、3D轮廓测量仪表征MCP的表面形貌和微观结构;通过增益、寿命及成像测试分析评估电子倍增及成像特性;利用CST Studio Suite构建仿真模型,验证二次电子发射系数(Secondary Electron Emission,SEE)以及开口面积比(Open Area Ratio,OAR)对MCP性能的影响。测试结果表明,ALD技术在MCP通道内壁形成均匀致密的Al2O3薄膜,粗糙度从0.55 nm降低至0.43 nm,变形量降低了71%。增益从372@800 V提升至743@800 V,在总输出电荷量30 C时,工作寿命相对提升6.5倍。扩口技术使得MCP的OAR从67%提升至87%,增益从743@800 V提升至945@800 V,光晕10%峰高全宽直径(Full Width at Maximum,FWM)从378μm降低至288μm。模拟结果表明,更高的SEE和OAR,可有效提高MCP的增益,抑制入射电子的散射以及光晕的产生。测试结果与模拟仿真基本吻合,为空间探测需求用高性能MCP提供了重要实验与理论依据。 展开更多
关键词 微通道板 电子倍增 原子层沉积 扩口 CST仿真
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工艺参数对PEALD TaN导电薄膜的影响
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作者 乌李瑛 刘丹 +3 位作者 张文昊 马玲 王英 程秀兰 《半导体技术》 北大核心 2026年第4期334-343,共10页
针对超大规模集成电路中铜互连扩散阻挡层的应用需求,探讨了以有机钽源为前驱体、H_(2)和Ar混合气体为反应等离子体的增强原子层沉积(PEALD)技术制备TaN导电薄膜的工艺。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)... 针对超大规模集成电路中铜互连扩散阻挡层的应用需求,探讨了以有机钽源为前驱体、H_(2)和Ar混合气体为反应等离子体的增强原子层沉积(PEALD)技术制备TaN导电薄膜的工艺。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等分析手段对薄膜结构进行表征,重点研究了沉积温度、H_(2)与Ar体积流量比、等离子体脉冲时间等关键参数对TaNx薄膜沉积速率、电阻率、微观结构和表面形貌的影响。结果表明,在沉积温度为270℃、H_(2)与Ar体积流量比为8∶0、等离子体脉冲时间为12 s的优化条件下,可获得低电阻率(478.7μΩ·cm)、高致密性且表面光滑(均方根粗糙度<0.3 nm)的纳米级导电立方相TaN(c-TaN)薄膜,满足先进集成电路的技术要求。 展开更多
关键词 等离子体增强原子层沉积(PEALD) TAN 铜扩散阻挡层 铜互连 电阻率
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银制品表面氧化铝保护膜的机械与耐腐蚀性能
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作者 杨永亮 张泓筠 +2 位作者 莫秋燕 李娜 付秀华 《电镀与精饰》 北大核心 2026年第4期18-24,共7页
为提高银制品的机械与耐腐蚀性能,采用热原子层沉积技术,以三甲基铝(TMA)和水为前驱体,在抛光后的925银表面制备了不同厚度的氧化铝保护膜。结果表明,膜厚与色差(ΔE)呈非线性关系,当膜厚为125 nm时存在色差极小值且不影响银制品外观;沉... 为提高银制品的机械与耐腐蚀性能,采用热原子层沉积技术,以三甲基铝(TMA)和水为前驱体,在抛光后的925银表面制备了不同厚度的氧化铝保护膜。结果表明,膜厚与色差(ΔE)呈非线性关系,当膜厚为125 nm时存在色差极小值且不影响银制品外观;沉积125 nm保护膜后,初始接触角由77.7°降至58.1°,暴露于空气中逐渐增大至72.8°;压痕测试表明,镀膜后最大纳米压痕硬度提升至基底的5.5倍,但显微硬度未见提升。纳米划痕测试中,保护膜在法向载荷488μN、划痕深度122 nm时失效;低载荷摩擦磨损实验表明,镀膜后摩擦系数增大,且保护膜在持续摩擦86 s时失效;耐腐蚀测试中,镀膜样品在0.1 mol/L的硫化钠溶液中浸泡40 min未发生腐蚀变色,然而硫化钠溶液对保护膜的侵蚀是最终发生腐蚀的主要原因。 展开更多
关键词 银制品 原子层沉积 氧化铝保护膜 耐腐蚀性
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集成电路用电子特气应用研究进展
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作者 赵帅凯 袁振军 +4 位作者 余学功 顾广安 李国鹏 刘见华 万烨 《化工进展》 北大核心 2026年第3期1504-1516,共13页
随着半导体技术的持续发展与突破,针对集成电路和电子特气的研究工作日益深入且成果丰硕,有力推动了半导体制造工艺的创新发展。然而,在集成电路技术节点的演进历程中,缺陷率和集成度是制约其信息传输能力提升的两大关键因素,前者受电... 随着半导体技术的持续发展与突破,针对集成电路和电子特气的研究工作日益深入且成果丰硕,有力推动了半导体制造工艺的创新发展。然而,在集成电路技术节点的演进历程中,缺陷率和集成度是制约其信息传输能力提升的两大关键因素,前者受电子特气的质量、低/高介电常数材料影响,后者则与光刻技术、刻蚀技术、晶体管、封装工艺等集成化水平紧密关联。本文以集成电路工艺节点演进脉络为主线,首先介绍了不同技术节点集成电路的演进历程,并对集成电路在埃米时代的技术突破进行展望;其次基于集成电路的基底制造和芯片封装环节,简要介绍了应用于10nm节点以下的3D封装技术,随后详细阐述了随着制程向3nm及以下节点迈进,电子特气纯度逐渐逼近物理极限,急需电子特气与工艺技术的深度融合,并从电子特气在制造环节的应用角度进行探讨;最后简要介绍了90nm节点下低/高介电常数材料及应用,并对未来电子特气和集成电路的发展提出了相关建议,旨在为我国电子特气和集成电路行业的未来发展提供有益借鉴与参考,助力行业实现更高质量的发展。 展开更多
关键词 集成电路 电子特气 制造工艺技术 电子材料 化学气相沉积 原子层沉积
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基于原子层沉积的Ru薄膜制备及其导电性能研究
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作者 左雪芹 卢陈梓 +4 位作者 陆雪强 包志豪 黄高山 梅永丰 石建军 《功能材料与器件学报》 2026年第1期98-104,共7页
随着集成电路器件尺寸的不断缩小,当工艺技术节点低于5 nm时,传统金属互连材料Cu因其电阻尺寸效应已无法满足性能需求,亟需开发新型金属互连材料及其制备技术。本研究采用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,以SiO_(2)为衬底... 随着集成电路器件尺寸的不断缩小,当工艺技术节点低于5 nm时,传统金属互连材料Cu因其电阻尺寸效应已无法满足性能需求,亟需开发新型金属互连材料及其制备技术。本研究采用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,以SiO_(2)为衬底,系统研究Ru(EtCp)_(2)/O_(2)体系中循环次数、前驱体与氧气脉冲时间以及沉积温度等工艺参数对Ru薄膜生长及导电性能的影响,为高导电Ru互连薄膜的ALD工艺优化提供技术支持。实验结果表明:当ALD循环次数低于200次时,Ru颗粒呈离散岛状结构;当循环次数达到500次后,形成连续导电网络,薄膜中Ru单质纯度超过90%。在SiO_(2)衬底上沉积的Ru薄膜厚度为19.7 nm,电阻率为25.6μΩ·cm。当前驱体与氧气脉冲时间分别为5 s和10 s时,薄膜沉积速率达到0.051 nm·循环^(-1)。通过调节沉积温度优化薄膜中的晶界扩散,在325℃下薄膜导电网络稳定,SiO_(2)衬底方阻为18Ω;而在350℃下,热应力导致晶粒粗化和导电网络碎裂,方阻增加至59Ω。 展开更多
关键词 RU 薄膜 原子层沉积(ALD) 导电性
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用于高温薄膜应变计的C/SiC绝缘层制备及电阻性能研究
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作者 唐逸杰 蒋洪川 +1 位作者 赵晓晖 邓新武 《强度与环境》 2026年第1期17-24,共8页
为了提高C/SiC复合材料衬底上绝缘层薄膜的附着力与高温绝缘性能,采用磁控溅射、原子层沉积等薄膜制备技术在衬底上设计并制备了四种复合绝缘层薄膜,绝缘层分别为Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)绝缘层,以及添加了阻渗层后的三种Si_(3)N_(4)-Al... 为了提高C/SiC复合材料衬底上绝缘层薄膜的附着力与高温绝缘性能,采用磁控溅射、原子层沉积等薄膜制备技术在衬底上设计并制备了四种复合绝缘层薄膜,绝缘层分别为Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)绝缘层,以及添加了阻渗层后的三种Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)-(阻渗层)Al_(2)O_(3)、Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)-(阻渗层)HfO_(2)和Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)/MgO-(阻渗层)HfO_(2)绝缘层。利用扫描电子显微镜、掠入射X射线衍射仪和电阻采集仪设备对四种复合绝缘层的薄膜结构和高温绝缘性能进行表征。结果表明,Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)复合绝缘层具有良好的高温结构稳定性,添加Al_(2)O_(3)/HfO_(2)阻渗层后抑制了Pt电极的元素扩散,有效提高了绝缘性能,Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)-(阻渗层)Al_(2)O_(3)和Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)-(阻渗层)HfO_(2)复合绝缘层在1000°C下的绝缘电阻分别为1.65和0.23 MΩ,前者绝缘电阻大但循环性能明显低于后者。MgO掺杂改性Al_(2)O_(3)层后的Si_(3)N_(4)-Al_(2)O_(3)/MgO-(阻渗层)HfO_(2)复合绝缘层,促进了薄膜致密化并引入大量界面提高了绝缘电阻,在1000°C绝缘电阻提高到1.8 MΩ,第三次升温至1000℃时其绝缘电阻仍大于0.1 MΩ,满足C/SiC衬底上高温薄膜应变计绝缘层的需求。 展开更多
关键词 C/SIC复合材料 复合绝缘层 磁控溅射 原子层沉积 高温绝缘性能
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区域选择性原子层沉积的研究现状与发展趋势
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作者 武晓瑞 欧阳亦 +2 位作者 石建军 陆雪强 左雪芹 《功能材料与器件学报》 2026年第1期53-66,共14页
近年来,随着制造技术进入原子级时代,纳米制造技术取得了显著进步。然而,随着制造尺寸的不断缩小,传统的“沉积—光刻—刻蚀”工艺在精度、效率及成本等方面面临前所未有的挑战,亟须开发新型的技术路线。区域选择性原子层沉积技术可利... 近年来,随着制造技术进入原子级时代,纳米制造技术取得了显著进步。然而,随着制造尺寸的不断缩小,传统的“沉积—光刻—刻蚀”工艺在精度、效率及成本等方面面临前所未有的挑战,亟须开发新型的技术路线。区域选择性原子层沉积技术可利用材料在不同区域的成核差异来实现选择性沉积,因而能够在特定区域实现纳米尺度的高效、精确和可控沉积,被认为是替代传统工艺的潜在技术之一。本文从区域选择性原子层沉积的基本原理出发,系统综述其工艺发展现状,并简要介绍区域选择性原子层沉积的主要应用领域,最后对该技术的未来发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 原子层沉积 区域选择性沉积 纳米制造 原子制造
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基于原子层沉积技术的锂电池材料研究进展
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作者 王博 张敬贤 宋永一 《化工进展》 北大核心 2026年第3期1540-1555,共16页
通过对已有电池材料进行修饰改性或制备新型材料,以实现更高的能量密度、更长的循环稳定性、更好的安全性,是锂电行业发展的重要方向。原子层沉积(ALD)技术是一种基于饱和自限反应的薄膜沉积技术,将其应用于锂电池领域可以在原子级别实... 通过对已有电池材料进行修饰改性或制备新型材料,以实现更高的能量密度、更长的循环稳定性、更好的安全性,是锂电行业发展的重要方向。原子层沉积(ALD)技术是一种基于饱和自限反应的薄膜沉积技术,将其应用于锂电池领域可以在原子级别实现对电池材料的精准调控,进而提高锂电池的性能。本文从ALD技术的原理和发展历史出发,重点综述了ALD技术在表面改性修饰和直接合成锂电池正极、负极、电解质等方面的研究进展,对适用于新能源领域的新型ALD技术进行了总结,探讨了目前限制ALD技术在锂电行业大规模工业化应用的主要原因。ALD工艺凭其技术特点在电池材料的改性和制备中具有独特优势,当前针对传统锂电池体系,ALD技术已经进入量产前夕,但仍面临前体利用率低、沉积速率慢、成本高昂等一系列问题。未来,开发种类丰富、安全无毒、价格低廉的前体是重要的研究方向。此外,持续开发和完善满足工业化规模要求的ALD技术工艺及反应装备也是今后的重点工作。 展开更多
关键词 锂电池 原子层沉积 电池材料 表面修饰
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基于SiO_(2)衬底的超薄β-Ga_(2)O_(3)MOSFET特性
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作者 吴宗烜 赵旭 +2 位作者 刘旭阳 陈春伶 陈海峰 《半导体技术》 北大核心 2026年第2期119-124,共6页
基于超宽禁带β-Ga_(2)O_(3)的MOSFET在功率驱动电路领域具有重要的应用潜力。研究了SiO_(2)衬底上的超薄β-Ga_(2)O_(3)MOSFET的特性。通过采用不同工艺参数制备不同结构的MOSFET,研究薄膜厚度(60、120、180 nm)、退火温度(700、800、... 基于超宽禁带β-Ga_(2)O_(3)的MOSFET在功率驱动电路领域具有重要的应用潜力。研究了SiO_(2)衬底上的超薄β-Ga_(2)O_(3)MOSFET的特性。通过采用不同工艺参数制备不同结构的MOSFET,研究薄膜厚度(60、120、180 nm)、退火温度(700、800、900℃)、源漏电极间距(30、35、40μm)、栅源电极间距(5、10、15μm)等关键工艺与结构参数对器件性能的影响。结果表明:薄膜厚度和退火温度显著影响器件的阈值电压,考虑阈值电压和饱和电流等因素,120 nm厚的薄膜制备的器件性能最好;受亚阈值摆幅及阈值电压的限制,退火温度为900℃时器件性能最优;源漏和栅源电极间距直接调制器件的导通电阻与饱和电流,源漏电极间距为35μm和栅源电极间距为10μm的器件综合性能最佳。本研究为β-Ga_(2)O_(3)基MOSFET的发展提供了参考。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 原子层沉积 MOSFET 退火 电极间距
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两种混配型镧前驱体的热力学性能及其原子层沉积La_(2)O_(3)薄膜性能研究
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作者 赵文勇 周洪 丁玉强 《中国稀土学报》 北大核心 2026年第1期71-81,共11页
本文通过两步法合成得到两种混配型镧配合物,La(tmod)_(3)-DMEA(tmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮根,DMEA=N,N'-二甲基乙二胺,1)和La(tmod)_(3)-MEDA(MEDA=N-甲基乙二胺,2),并用^(1)H NMR,^(13)C NMR,元素分析和X射线单晶衍射对配合... 本文通过两步法合成得到两种混配型镧配合物,La(tmod)_(3)-DMEA(tmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮根,DMEA=N,N'-二甲基乙二胺,1)和La(tmod)_(3)-MEDA(MEDA=N-甲基乙二胺,2),并用^(1)H NMR,^(13)C NMR,元素分析和X射线单晶衍射对配合物进行了表征。X射线单晶衍射的结果显示,配合物1和2均为单体结构。热重结果证明含N双齿中性配体的不对称性能够增强其与镧原子之间的结合力,进而提高混配型配合物的挥发性。以配合物2为前驱体,臭氧为氧源,成功的在SiO_(2)/Si(100)衬底上沉积得到La_(2)O_(3)薄膜。最佳的工艺参数:前驱体2和臭氧的脉冲时间分别为6和5 s,薄膜的生长速率为0.032 nm/cycle,ALD窗口为240~280℃。 展开更多
关键词 混配型镧配合物 原子层沉积 热分析 La_(2)O_(3)
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基于第一性原理的SiO_(2)薄膜选择性渗透机制及钯合金氢敏元件性能优化
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作者 曾晓哲 赫树开 +4 位作者 王幸辉 原伟 张志辉 秦自瑞 殷楠 《仪表技术与传感器》 北大核心 2026年第3期5-10,29,共7页
为解决MEMS钯合金氢气传感器在实际应用中易受O_(2)、CO_(2)等气体交叉干扰问题,文中结合第一性原理分子动力学与势能面扫描技术,并辅以实验验证,研究了SiO_(2)薄膜作为传感器保护层的作用机制。在理论模拟层面,构建了含H_(2)、O_(2)、C... 为解决MEMS钯合金氢气传感器在实际应用中易受O_(2)、CO_(2)等气体交叉干扰问题,文中结合第一性原理分子动力学与势能面扫描技术,并辅以实验验证,研究了SiO_(2)薄膜作为传感器保护层的作用机制。在理论模拟层面,构建了含H_(2)、O_(2)、CO_(2)分子的SiO_(2)超晶胞模型,结果显示:H_(2)分子进入SiO_(2)次表层能垒为0.83 eV,内部扩散能垒为0.93 eV,易于扩散;而O_(2)、CO_(2)分子进入次表层的能垒分别至少为5.86、8.30 eV,难以穿透且内部扩散阻力更大。同时采用原子层沉积工艺制备10 nm非晶SiO_(2)薄膜,经球差校正透射电镜(aberration corrected transmission electron microscopy,AC-TEM)等表征确认其结构。性能测试表明:有无SiO_(2)隔离膜的传感器对比明显,无SiO_(2)隔离膜的传感器在空气背景下受O_(2)干扰严重,有SiO_(2)隔离膜的传感器可有效阻隔O_(2)且不影响H_(2)扩散,传感器的响应性能、恢复性能及灵敏度稳定。文中证实SiO_(2)薄膜能显著提升MEMS钯合金氢气传感器的抗干扰能力,为其在复杂环境中的应用提供了理论与实验支撑。 展开更多
关键词 MEMS钯合金氢气传感器 SiO_(2)薄膜 第一性原理分子动力学 选择性渗透 原子层沉积
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基于PC_Based控制器的ALD设备控制系统设计
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作者 汤晨宇 李义华 张洪国 《机械工程与自动化》 2026年第1期196-198,共3页
原子层沉积是特殊的化学气相沉积,是一种先进的沉积技术。通过分解ALD设备的工艺需求,分析原ALD设备控制系统存在的不足,最终选用倍福的CX系列PC_Based控制器作为主控制器,结合昆仑通态TPC1570Gn触摸屏和欧姆龙的NX系列温控模块组成ALD... 原子层沉积是特殊的化学气相沉积,是一种先进的沉积技术。通过分解ALD设备的工艺需求,分析原ALD设备控制系统存在的不足,最终选用倍福的CX系列PC_Based控制器作为主控制器,结合昆仑通态TPC1570Gn触摸屏和欧姆龙的NX系列温控模块组成ALD设备的控制系统,并对该系统的硬件通信连接进行了设计,同时还对控制程序的一些难点进行了阐述和分析。最后将该系统应用在ALD设备上进行验证,工艺实验结果表明该控制系统远优于原控制系统。 展开更多
关键词 原子层沉积 PC_Based HMI 控制系统
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原子层沉积在气体传感器中的应用研究进展
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作者 宋法余 张菁源 +1 位作者 李伟金 涂敏 《功能材料与器件学报》 2026年第1期20-38,共19页
原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)是一种高精度薄膜沉积技术,不仅能够实现亚纳米级厚度的均匀薄膜沉积,而且具备优异的三维保形覆盖能力,可实现在复杂纳米结构及异质界面上的均匀生长。随着气体传感器技术的发展,ALD在气敏材料... 原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)是一种高精度薄膜沉积技术,不仅能够实现亚纳米级厚度的均匀薄膜沉积,而且具备优异的三维保形覆盖能力,可实现在复杂纳米结构及异质界面上的均匀生长。随着气体传感器技术的发展,ALD在气敏材料的制备与性能调控等方面展现出广阔的应用前景,特别是在薄膜、纳米结构、异质结以及纳米颗粒负载结构的制备方面。通过精确控制薄膜厚度和成分,ALD技术能够显著提升气体传感器的灵敏度、选择性和稳定性。本文系统综述ALD技术在气体传感器领域的研究进展,详细分析当前研究中存在的主要问题,并对其未来在气体传感领域的应用前景进行展望。 展开更多
关键词 原子层沉积 气体传感器 纳米结构 异质结 纳米颗粒负载
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大尺寸微波等离子体增强原子层沉积设备研制与工艺验证
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作者 朱玉泉 张志轩 +3 位作者 张婧 吴金龙 王伟昌 连水养 《真空》 2026年第1期1-8,共8页
随着半导体工艺不断向更小尺寸与更高精度方向发展,原子层沉积设备的研发日益受到广泛关注。本研究将微波等离子体源与原子层沉积技术相结合,通过系统性设计思路,集成真空系统、微波传导系统、气源输入系统与控制系统,成功研制出一套大... 随着半导体工艺不断向更小尺寸与更高精度方向发展,原子层沉积设备的研发日益受到广泛关注。本研究将微波等离子体源与原子层沉积技术相结合,通过系统性设计思路,集成真空系统、微波传导系统、气源输入系统与控制系统,成功研制出一套大尺寸微波等离子体增强原子层沉积设备。微波传输仿真与光学发射谱检测结果表明,该设备成功实现了高密度等离子体的稳定激发与高活性自由基的产生。通过不同微波功率(400~1000 W)与不同氧气流量(10~1000 sccm)的参数调控,设备实现了较短的单次沉积循环时间14 s,较高的氧自由基强度值15769,所沉积的8英寸氧化铝薄膜的非均匀性为0.88%、632.8 nm处的折射率为1.65(消光系数接近于0)、介电常数与击穿场强分别高达9.3与23.6 MV/cm。本研究开发的微波等离子体增强原子层沉积设备,展现出良好的大尺寸晶圆适配与高质量薄膜沉积能力,为先进半导体工艺与集成电路制造中的高性能介电层、阻挡层及封装界面层等应用提供了有力的设备支撑。 展开更多
关键词 微波等离子体 原子层沉积设备 晶圆级工艺 氧化铝薄膜
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基于ALD技术的锂离子电池导电剂改进研究
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作者 刘会会 《粘接》 2026年第2期393-396,共4页
为了提高锂离子电池的性能,采用原子层沉积(ALD)技术分别将高、低比表面积导电剂SuperP和高比表面积导电剂CA-a用氧化铝薄膜包覆改性,并对其包覆前与包覆后导电剂物理化学性质的变化以及其对于电池性能的作用进行了系统的探讨,研究结果... 为了提高锂离子电池的性能,采用原子层沉积(ALD)技术分别将高、低比表面积导电剂SuperP和高比表面积导电剂CA-a用氧化铝薄膜包覆改性,并对其包覆前与包覆后导电剂物理化学性质的变化以及其对于电池性能的作用进行了系统的探讨,研究结果显示:Al_(2)O_(3)膜呈非晶态均一地包覆在导电剂的表面上;经水溶性测试发现,经包覆处理的导电剂分散性明显改善,亲水性加强。电池性能测试表明,经过改良的导电剂展示了卓越的倍率性能、循环稳定性和库仑效率,特别是高比表面积的导电剂CA-a在经过30次ALD循环包覆处理后,其在6C倍率下容量保持率提升显著。研究对高性能导电剂设计和优化具有一定的借鉴作用。 展开更多
关键词 锂离子电池 导电剂 原子层沉积 氧化铝薄膜 倍率性能
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Ni@C_(3)N_(4)单原子催化剂的制备及其水体抗生素污染降解性能
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作者 邓楚楚 安文刚 杨悦锁 《吉林大学学报(理学版)》 北大核心 2026年第1期185-192,共8页
针对水体中抗生素如磺胺甲恶唑(SMX)存在广泛、对生态系统和人类健康构成威胁且传统污水处理工艺难以有效去除的问题,制备一种负载单原子Ni的少层C_(3)N_(4)催化剂(Ni@C_(3)N_(4)),通过氧还原反应生成H_(2)O_(2),可高效电催化降解磺胺... 针对水体中抗生素如磺胺甲恶唑(SMX)存在广泛、对生态系统和人类健康构成威胁且传统污水处理工艺难以有效去除的问题,制备一种负载单原子Ni的少层C_(3)N_(4)催化剂(Ni@C_(3)N_(4)),通过氧还原反应生成H_(2)O_(2),可高效电催化降解磺胺甲恶唑.结构表征表明,Ni以单原子形式高度分散在少层C_(3)N_(4)基体中,并显著调控少层C_(3)N_(4)的电子结构,优化活性位点分布.电化学测试结果表明,Ni@C_(3)N_(4)具有良好的二电子选择性和快速反应动力学性能,在酸性条件(pH=3)下,Ni@C_(3)N_(4)可通过两电子路径生成H_(2)O_(2),在120 min内对磺胺甲恶唑的降解率可达81.3%,显著优于未掺杂的C_(3)N_(4)催化剂.动力学分析结果表明,降解过程符合准一级反应模型.该研究结果为水体中抗生素的治理提供了新思路. 展开更多
关键词 磺胺甲恶唑 少层相氮化碳 单原子催化剂 氧还原反应 过氧化氢
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原子层沉积法制备HfO_(2)/Al_(2)O_(3)X射线多层膜 被引量:2
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作者 赵慧斌 李艳丽 +2 位作者 张贺 牛耕 韩立 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第4期958-964,共7页
X射线多层膜可实现特定波长X射线的高效反射,是获得单色X射线的一种重要元件。由于X射线的波长短,多层膜的周期厚度通常为纳米量级,高精度膜厚控制的原子层沉积(ALD)法是制备X射线多层膜的一种有效方法。对于常用的0.154 nm X射线,HfO_(... X射线多层膜可实现特定波长X射线的高效反射,是获得单色X射线的一种重要元件。由于X射线的波长短,多层膜的周期厚度通常为纳米量级,高精度膜厚控制的原子层沉积(ALD)法是制备X射线多层膜的一种有效方法。对于常用的0.154 nm X射线,HfO_(2)/Al_(2)O_(3)是一种有效的多层膜材料组合,为进一步研究ALD法制备的HfO_(2)/Al_(2)O_(3)X射线多层膜的特性,探索多层膜的应用,利用ALD法制备了周期厚度3.8 nm、周期数60的Hf O_(2)/Al_(2)O_(3)多层膜,表征结果显示:多层膜为非晶薄膜,表面粗糙度为0.77 nm,膜层间的界面清晰,周期厚度的最大偏差为0.11 nm,多层膜的X射线(0.154 nm)最高反射率约为45%。将HfO_(2)/Al_(2)O_(3)多层膜应用于X射线衍射仪中,测试同一硅粉样品,测试结果显示:安装多层膜后,衍射谱的背底强度降低,且未见杂峰,展现出HfO_(2)/Al_(2)O_(3)多层膜的应用潜力。 展开更多
关键词 X射线 氧化铪/氧化铝多层膜 原子层沉积 衍射仪
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原子层热电堆热流传感器的发展及其应用 被引量:1
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作者 杨凯 陈曦 +3 位作者 朱涛 陶伯万 赵睿鹏 王辉 《实验流体力学》 北大核心 2025年第2期1-14,共14页
高频脉动热流在高超声速边界层转捩、激波/边界层干扰等气动基础问题的实验研究中非常重要。当前,高频脉动热流测试主要依赖于原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。采用金属有机化学气相沉积技术路线,在优化沉积环... 高频脉动热流在高超声速边界层转捩、激波/边界层干扰等气动基础问题的实验研究中非常重要。当前,高频脉动热流测试主要依赖于原子层热电堆(Atomic Layer Thermopile,ALTP)热流传感器。采用金属有机化学气相沉积技术路线,在优化沉积环境条件参数的基础上发展了性能更优的ALTP热流传感器。面向传感器小型化、耐高温、柔性等发展需求,通过导电膜连接将多条YBa_(2)Cu_(3)O_(7)-δ(YBCO)薄膜首尾串联,在保持传感器尺寸不变的同时提高灵敏度系数,为传感器小型化奠定了基础;通过替换常规ALTP热流传感器敏感元的热电材料体系,研制了基于La1-xCaxMnO_(3)(LCMO)的耐高温(超过500℃)ALTP热流传感器样件。针对LCMO的能量输运特点,采用半导体材料性能调控方法,以交替串联的方式延长敏感薄膜的有效长度,进而能在有限的传感器感应面上布置更多的敏感薄膜;以表面经特殊处理的金属薄带为基底替换斜切SrTiO_(3)晶片,发展了柔性ALTP热流传感器,便于开展高频脉动热流的密集点测试以及在复杂曲面等位置布放高频脉动热流测点。传感器应用方面,除在激波风洞等实验环境下开展高频脉动热流测试的应用外,针对薄膜热电阻和同轴热电偶标定环节多、测热结果不确定度偏高等问题,讨论了利用ALTP热流传感器在线标定的可行性;针对高超声速低密度风洞中的薄壁量热计、同轴热电偶和红外热图等测热方式易受噪声干扰、不确定度高以及有效时间短等问题,通过风洞实验验证了ALTP热流传感器在高超声速低密度风洞中长时间中低热流测试的可行性,弥补了现有测热手段的不足。 展开更多
关键词 原子层热电堆 热流 标定 柔性 耐高温 高频脉动
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精密谐振器件表面导电层原子层沉积制备技术研究 被引量:1
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作者 龚婷 冯昊 《表面技术》 北大核心 2025年第12期175-185,共11页
目的 利用原子层沉积(ALD)技术在半球陀螺谐振子表面制备Pt导电层。方法 以ALD制备的氧化物/金属薄膜为谐振子过渡层,再沉积Pt为导电层。椭圆偏振光谱仪(SE)用于测试薄膜厚度。利用X-射线光电子能谱(XPS)、掠入射X-射线衍射(GIXRD)、扫... 目的 利用原子层沉积(ALD)技术在半球陀螺谐振子表面制备Pt导电层。方法 以ALD制备的氧化物/金属薄膜为谐振子过渡层,再沉积Pt为导电层。椭圆偏振光谱仪(SE)用于测试薄膜厚度。利用X-射线光电子能谱(XPS)、掠入射X-射线衍射(GIXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)分析薄膜组成、晶型、形貌及粗糙度。采用聚焦离子束-透射电子显微镜(FIB-TEM)结合能量色散X射线元素面分布(EDX-mapping)、线扫描分布谱揭示膜层微观结构。采用电子万能试验机测试薄膜和石英片的界面结合强度。结果 SE测试结果表明,Pt/氧化物薄膜体系的Pt平均厚度为123?,不均匀度仅为1.6%,Pt/金属薄膜体系的Pt平均厚度为155?,不均匀度为4%。XPS显示Pt薄膜主要成分由零价Pt构成,XRD检测到在2θ=39.8°处存在明显的Pt(111)衍射峰。SEM观测到薄膜表面Pt纳米颗粒分布均匀。AFM进一步揭示金属及Pt/金属薄膜粗糙度分别为1.47 nm和0.99 nm。FIB-TEM、EDX-mapping及线扫描分布谱结果表明Pt/氧化物和Pt/金属厚度均匀、致密,膜层界面的元素相互扩散。力学测试显示,氧化物过渡层使界面结合强度提升至7.1MPa,较无过渡层体系(3.0MPa)提高1.37倍;金属过渡层体系结合强度最高可达8.4 MPa。结论 ALD技术可以实现半球陀螺谐振子表面高均匀性、高结合强度的Pt薄膜制备。 展开更多
关键词 半球陀螺谐振子 原子层沉积 Pt薄膜 过渡层 均匀性 结合强度
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机器学习在原子制造中的应用:现状、挑战与展望 被引量:1
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作者 单斌 羡秭琪 +1 位作者 文艳伟 陈蓉 《金属功能材料》 2025年第4期1-14,共14页
随着半导体制造向原子尺度推进,纳米器件对材料种类和沉积精度的要求不断提升。原子层沉积与原子层刻蚀作为实现原子尺度精确控制的核心技术,正面临工艺参数高维度化和反应机制复杂化的挑战。传统的实验和模拟手段难以满足高通量筛选和... 随着半导体制造向原子尺度推进,纳米器件对材料种类和沉积精度的要求不断提升。原子层沉积与原子层刻蚀作为实现原子尺度精确控制的核心技术,正面临工艺参数高维度化和反应机制复杂化的挑战。传统的实验和模拟手段难以满足高通量筛选和高精度优化需求,而机器学习技术的迅速发展为解决这一问题提供了全新的范式。本文系统综述了机器学习方法在前驱体设计、反应路径预测、薄膜沉积参数优化及过程控制等方面的最新研究成果,阐述了机器学习与计算材料科学相结合在提高建模效率、提升预测精度和实现智能化工艺控制方面的显著优势。同时,分析了现阶段机器学习应用中面临的泛化性不足、数据稀疏、跨尺度融合难题等主要挑战,展望了未来融合物理信息、多尺度模型和语义数据平台等前沿技术的应用前景,以期实现原子制造领域从离线预测到在线智能控制的转型。 展开更多
关键词 原子层沉积 原子层刻蚀 机器学习 前驱体设计 工艺优化
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