15-15Ti钢表面AlN/SiC双层薄膜的制备及耐Pb-Bi溶液腐蚀性能 被引量：5

1

作者 林志伟 李合琴 +1 位作者 张静 唐琼 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期114-119,共6页

采用磁控溅射法在15-15Ti不锈钢上沉积AlN/SiC双层薄膜,并在800℃氩气气氛中退火120 min。用XRD、AFM和SEM表征了薄膜的结构和形貌。测试了镀膜前后15-15Ti钢在500℃持续1000 h条件下在含氧质量分数为(0.76~1.39)×10-8%的铅铋溶液... 采用磁控溅射法在15-15Ti不锈钢上沉积AlN/SiC双层薄膜,并在800℃氩气气氛中退火120 min。用XRD、AFM和SEM表征了薄膜的结构和形貌。测试了镀膜前后15-15Ti钢在500℃持续1000 h条件下在含氧质量分数为(0.76~1.39)×10-8%的铅铋溶液中的耐腐蚀性能。结果表明:未镀膜15-15Ti钢的腐蚀层厚度约为600 nm,并且钢发生了溶解腐蚀;而镀膜后的钢未发现铅铋合金的侵蚀现象,钢的耐腐蚀能力明显提高。 展开更多

关键词 15-15Ti钢 铅铋合金 aln/sic双层薄膜 磁控溅射 耐腐蚀性能

原文传递

AlN/SiC_w(Y_2O_3SiO_2)复合材料热处理增强机理

2

作者 张宏泉 裴新美 李凝芳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第A01期246-250,共5页

利用ＸＲＤ， ＥＰＭＡ 和ＨＲＥＭ 等测试技术对ＡｌＮ／ＳｉＣｗ（Ｙ２Ｏ３ＳｉＯ２） 复合材料热处理增强机理进行了研究。结果表明： 材料在１ ３００ ℃空气中进行热处理， 其氧化处理过程也是其热处理增强过程， 增强机理主要... 利用ＸＲＤ， ＥＰＭＡ 和ＨＲＥＭ 等测试技术对ＡｌＮ／ＳｉＣｗ（Ｙ２Ｏ３ＳｉＯ２） 复合材料热处理增强机理进行了研究。结果表明： 材料在１ ３００ ℃空气中进行热处理， 其氧化处理过程也是其热处理增强过程， 增强机理主要是由于氧化扩散改变了粒界玻璃相的相组成， 粒界玻璃相在高温氧化气氛下和ＡｌＮ颗粒发生作用， 生成ＡｌＮ 多形体２ＨδＳｉａｌｏｎ 相， 并与ＳｉＣ 展开更多

关键词 复合材料 热处理 增强机理 氧化铝碳化硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜 被引量：10

3

作者 陈耀 王文新 +5 位作者 黎艳 江洋 徐培强 马紫光 宋京 陈弘 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期896-901,共6页

采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 ar... 采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。 展开更多

关键词 GAN aln sic衬底 MOCVD X射线衍射

在线阅读 下载PDF 职称材料

燃烧合成AlN—SiC固溶体陶瓷 被引量：6

4

作者 陈克新 葛昌纯 +1 位作者 曹文斌 李江涛 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期273-278,共6页

在氮气氛中，点燃铝粉，硅粉和碳黑的混合粉末，合成AlN-SiC陶瓷研究了氮气压力和反应物配比对燃烧温度、燃烧波蔓延速度以及燃烧产物的影响．结合热力学分析，解释了AlN-SiC固溶体的形成机理及反应次序用扫描电镜观察了反应产物的形貌.

关键词 燃烧合成 氮化铝 碳化硅 复相陶瓷

在线阅读 下载PDF 职称材料

TiO_2添加剂对AlN-SiC材料微波衰减性能的影响 被引量：8

5

作者 吴华忠 李晓云 +1 位作者 丘泰 沈春英 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期48-50,共3页

在AlN-SiC复相材料中加入TiO2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-SiC-TiO2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-SiC复相材料微波衰减性能与SiC含量的之间的关系,以及添加剂TiO2对AlN-SiC复相材料微波衰减... 在AlN-SiC复相材料中加入TiO2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-SiC-TiO2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-SiC复相材料微波衰减性能与SiC含量的之间的关系,以及添加剂TiO2对AlN-SiC复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,SiC是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO2的添加大大促进了AlN-SiC复相材料的烧结性能和微波衰减性能,添加了TiO2后6 GHz下衰减量由0.6 dB增加到0.85 dB。初步探讨了AlN-SiC-TiO2复相材料的微波衰减机理,电导损耗、介质损耗是其主要的微波衰减机理。 展开更多

关键词 氮化铝-碳化硅 二氧化钛 微波衰减材料 热压烧结

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC含量和热压烧结温度对AlN-SiC复相陶瓷材料导热性能的影响 被引量：3

6

作者 程卫华 李晓云 +2 位作者 丘泰 贾杪蕾 郜玉含 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期69-71,共3页

采用热压烧结工艺制备了AIN-SiC复相陶瓷材料，用XRD、SEM和激光导热仪等研究了SiC加入量和烧结温度对复相陶瓷材料导热性能的影响。结果表明：当质量分数在20％～75％范围内，随着SiC含量的增加，复相陶瓷材料的热导率逐渐增大，最大... 采用热压烧结工艺制备了AIN-SiC复相陶瓷材料，用XRD、SEM和激光导热仪等研究了SiC加入量和烧结温度对复相陶瓷材料导热性能的影响。结果表明：当质量分数在20％～75％范围内，随着SiC含量的增加，复相陶瓷材料的热导率逐渐增大，最大热导率达到了88．92W·m^-1·K^-1；进一步增加SiC的含量，复相材料的热导率叉呈现下降趋势，当SiC质量分数为80％时，热导率降到了42．70W·m^-1·K^-1；当SiC质量分数为20％时，随着烧结温度的升高（1800-1950℃），复相陶瓷材料的热导率逐渐上升，从42．15W·m^-1·K^-1增加到68．41W·m^-1·K^-1。 展开更多

关键词 氮化铝 碳化硅 导热性能 热压烧结

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究 被引量：2

7

作者 杨艳玲 鲁燕萍 +3 位作者 杜斌 杨华猛 杨振涛 刘征 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期60-64,共5页

分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ... 分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ为0.158～0.163,在Ku波段ε'为11.48～10.96,tgδ为0.18～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97～24.26,tgδ为0.326～0.327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。 展开更多

关键词 aln—sic微波衰减材料 损耗机理 SPS烧结

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlN-SiC复合超细粉制备技术的研究进展 被引量：1

8

作者 步文博 徐洁 +1 位作者 丘泰 李晓云 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第3期30-33,共4页

综述了国内外AlN-SiC复合超细粉制备方法的研究进展,着重阐述了化学合成法,包括溶胶-凝胶法、碳热还原氮化法、自蔓延高温合成法及化学气相沉积法(CVD)等的研究状况,并对不同制备工艺的优缺点进行了评述。结合本实验室的研完成果,认为... 综述了国内外AlN-SiC复合超细粉制备方法的研究进展,着重阐述了化学合成法,包括溶胶-凝胶法、碳热还原氮化法、自蔓延高温合成法及化学气相沉积法(CVD)等的研究状况,并对不同制备工艺的优缺点进行了评述。结合本实验室的研完成果,认为原位化学反应合成工艺是今后制备AlN-SiC复合超细粉的发展趋势,并介绍了该领域的最新发展动态。 展开更多

关键词 aln sic 复合超细粉 固溶体 制备工艺 氮化铝 碳化硅 机械粉碎 化学合成 微波衰减陶瓷

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlN-SiC复合微波衰减材料的衰减性能 被引量：6

9

作者 石明 鲁燕萍 +1 位作者 刘征 高陇桥 《真空电子技术》 2007年第4期14-16,共3页

以氮化铝、碳化硅等为原料,在高温氮气氛下无压烧结制备了AlN-SiC复合衰减材料。运用网络分析仪、电阻测试仪等测试仪器,研究了材料的衰减性能。结果表明,通过无压烧结得到了性能均一、具有优良衰减性能的AlN-SiC复合微波衰减材料,材料... 以氮化铝、碳化硅等为原料,在高温氮气氛下无压烧结制备了AlN-SiC复合衰减材料。运用网络分析仪、电阻测试仪等测试仪器,研究了材料的衰减性能。结果表明,通过无压烧结得到了性能均一、具有优良衰减性能的AlN-SiC复合微波衰减材料,材料介电参数适当,适于微波管内衰减器的设计使用;同时,本文也综合了关于微波管用微波衰减材料衰减性能的一些必要的测试手段。 展开更多

关键词 aln-sic 无压烧结 衰减性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC晶须、晶板增韧AlN陶瓷的研究 被引量：2

10

作者 张宏泉 杨中民 牟善彬 《陶瓷学报》 CAS 1998年第2期68-72,共5页

本文利用现代测试技术对SICw、SiCP增韧AlN材料的力学性能、显微结构进行研究，并分析探讨了材料的增韧机理。结果表明：SiCw可有效改善材料的断裂韧性和断裂强度．其增韧机理主要为裂纹偏转和晶须拔出效应。SiCp的加入对材料的断裂韧... 本文利用现代测试技术对SICw、SiCP增韧AlN材料的力学性能、显微结构进行研究，并分析探讨了材料的增韧机理。结果表明：SiCw可有效改善材料的断裂韧性和断裂强度．其增韧机理主要为裂纹偏转和晶须拔出效应。SiCp的加入对材料的断裂韧性起到良好的促进作用，但对材料的断裂强度则有不良的作用，其增韧机理主要为裂纹偏转和分枝效应。 展开更多

关键词 复合材料 晶须 增韧 碳化硅 氮化铝陶瓷 陶瓷

在线阅读 下载PDF 职称材料

偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶 被引量：2

11

作者 齐海涛 王利杰 +3 位作者 洪颖 王香泉 张志欣 郝建民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期469-473,共5页

采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与... 采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶对热应力的吸收作用有关。未发现明显的穿线缺陷。发现AlN-SiC界面存在双角锥空腔,其起因是生长初期界面处未被AlN完全密实覆盖的微小区域,在生长过程中因内部温差不断发生的升华和凝华的自我调制过程。喇曼光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性较好,(0002)面X射线摇摆曲线半高宽为76 arcsec,喇曼光谱E1(TO)模的半高宽为7.5 cm-1。 展开更多

关键词 氮化铝 物理气相传输法(PVT) 碳化硅籽晶 偏晶向 形貌分析

原文传递

SiC－AlN－Y_2O_3复相陶瓷的氧化行为

12

作者 潘裕柏 谭寿洪 +1 位作者 江东亮 王菊红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期359-362,共4页

经研究致密的ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷的氧化行为后发现，陶瓷材料的表面在空气中氧化的反应物随着温度的高低而变化．８００℃、２０ｈ氧化试验后，试样表面无任何变化，１１００℃氧化．２０ｈ，表面形成了极少量的ＳｉＯ２... 经研究致密的ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷的氧化行为后发现，陶瓷材料的表面在空气中氧化的反应物随着温度的高低而变化．８００℃、２０ｈ氧化试验后，试样表面无任何变化，１１００℃氧化．２０ｈ，表面形成了极少量的ＳｉＯ２，但两者均无增重．１２５０℃与１３２０℃氧化３０ｈ后，试样的重量和表面发生较明显的变化，形成了ＳｉＯ２与α－Ａｌ２Ｏ３，１３７０℃氧化试验３０ｈ后，陶瓷表面的氧化产物ＳｉＯ２与α－Ａｌ２Ｏ３转化成莫来石（３Ａｌ２Ｏ３·２ＳｉＯ２）结构．试样表面的氧化层均匀而且致密． 展开更多

关键词 碳化硅 氮化铝 氧化 复相陶瓷 氧化钇

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlN-Y_2O_3配比对SiC耐磨材料结构和性能的影响

13

作者 李文凤 黄庆飞 +3 位作者 郭会师 高元 侯永改 邹文俊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1918-1922,共5页

在AlN-Y_2O_3添加量为6wt%的前提下,将摩尔比分别为10∶90、20∶80、30∶70和40∶60的AlN、Y_2O_3引入SiC耐磨材料中,于氧化气氛下经1600℃保温3 h烧成,研究了AlN、Y_2O_3配比对SiC耐磨材料结构和性能的影响。结果表明:AlN、Y_2O_3配比... 在AlN-Y_2O_3添加量为6wt%的前提下,将摩尔比分别为10∶90、20∶80、30∶70和40∶60的AlN、Y_2O_3引入SiC耐磨材料中,于氧化气氛下经1600℃保温3 h烧成,研究了AlN、Y_2O_3配比对SiC耐磨材料结构和性能的影响。结果表明:AlN、Y_2O_3配比对SiC耐磨材料的性能影响较大,当其为30∶70时,SiC耐磨材料的性能较优,其体积密度和显气孔率分别为2.66 g/cm^3和3.95%,磨损量为0.11 g/min,硬度和抗折强度分别为2774 HV和185 MPa。SiC耐磨材料较优异的烧结性能和力学性能可归因于新生成的Y_2Si_2O_7和3Al_2O_3·2SiO_2充填于SiC颗粒间所起的强化作用。 展开更多

关键词 sic aln-Y2O3 力学性能 显微结构

在线阅读 下载PDF 职称材料

热爆反应合成AlN-SiC材料

14

作者 梁宝岩 穆云超 樊平 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2013年第2期265-269,共5页

采用Al、Si粉和C0.36N0.64粉末为原料,通过化学炉诱发热爆反应合成技术,制备AlN-SiC固溶体粉体。采用XRD和SEM确定合成试样的物相组成和观察样品的显微形貌。研究结果表明,通过热爆反应可合成AlN-SiC固溶体材料,当原料中C0.36N0.64粉末... 采用Al、Si粉和C0.36N0.64粉末为原料,通过化学炉诱发热爆反应合成技术,制备AlN-SiC固溶体粉体。采用XRD和SEM确定合成试样的物相组成和观察样品的显微形貌。研究结果表明,通过热爆反应可合成AlN-SiC固溶体材料,当原料中C0.36N0.64粉末过量时,可合成单相AlN-SiC固溶体材料。样品由许多六角片状细小晶粒和尺寸较大的AlN-SiC固溶体晶粒组成,晶粒边长分别约为1.5μm和20μm。结合动力学和热力学分析,讨论了热爆反应合成AlN-SiC固溶体的反应合成机理。C0.36N0.64先发生分解生成N2和C,然后,Al与N2反应,生成AlN,反应放出大量的热,诱发热爆反应的发生。最后,AlN与Si、C反应,或Si3N4与C和N2反应,生成AlN-SiC固溶体。 展开更多

关键词 aln sic 热爆反应 反应机制

在线阅读 下载PDF 职称材料

Y_2O_3-SiO_2 添加剂对 AlN/SiC_W 复合材料性能的影响

15

作者 张宏泉 李凝芳 《武汉工业大学学报》 EI CSCD 1998年第2期7-10,共4页

利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和ＨＲＥＭ等测试技术系统地研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂对ＡｌＮ／ＳｉＣＷ复合材料力学性能及高温抗氧化性能的影响。结果表明：Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂可有效地改善材料的力学性能，材料的氧化过... 利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和ＨＲＥＭ等测试技术系统地研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂对ＡｌＮ／ＳｉＣＷ复合材料力学性能及高温抗氧化性能的影响。结果表明：Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２添加剂可有效地改善材料的力学性能，材料的氧化过程也是其热处理增强过程。添加剂组成接近其低共熔点时，材料随氧化时间的延长而得到增强增韧，且增幅最大，其最佳掺量为１０ｗｔ％。氧化处理改变了粒界玻璃相的相组成，玻璃相与ＡｌＮ颗粒发生作用，生成ＡｌＮ多形体２ＨδＳｉａｌｏｎ相，形成对材料有益的空间交错的结构。 展开更多

关键词 添加剂 氧化钇 氮化铝陶瓷 复合材料 碳化硅

原文传递

AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究

16

作者 吴军 王荣华 +6 位作者 韩平 梅琴 刘斌 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期262-265,共4页

利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC... 利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜具有单一的晶体取向;Raman散射谱线初步表明得到的SiC薄膜为4H型态。衬底温度过低,不利于Si、C原子选择合适的格点位置成键,外延薄膜晶体质量不高;衬底温度过高,H2的刻蚀作用和表面原子的解吸附作用增强,不利于SiC的成核生长。C/Si比过小,薄膜表面会形成Si的小液滴;C/Si比过大,薄膜中会产生Si空位形式的微缺陷。因此,研究表明在Al N/Si(111)衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,较为理想的C/Si比值为1.3。 展开更多

关键词 aln/Si(111)衬底 4H-sic薄膜 异质外延 碳硅比

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC的添加对AlN/Mo/SiC复合陶瓷的制备和性能影响探究 被引量：4

17

作者 董茜 杨志民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期904-908,共5页

以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30 MPa制备出致密度高达98.5%的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷。采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR自动测试仪,网络分析仪及激光导热仪对样品的微观形貌,导电性能,... 以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30 MPa制备出致密度高达98.5%的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷。采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR自动测试仪,网络分析仪及激光导热仪对样品的微观形貌,导电性能,介电性能和热导率进行了测试分析。研究结果表明:采用放电等离子烧结工艺,在较低的温度下可以制备出组织致密均匀的AlN/Mo/SiC复合材料,但随着SiC添加含量的增加,当SiC的体积含量占到总体的60%时,复合材料的致密度又会出现明显的下降。添加SiC后,相对于AlN/Mo复合陶瓷,复合材料的电阻率得以进行有效的控制,不会出现非线性突变—渗流现象,而是在一定的范围内缓慢下降。在26.5～40.0 GHz下复合材料的介电常数和介电损耗均随着SiC含量的增加而增加。复合材料的热导率随着SiC含量的增加而下降:当致密度高于某临界值时,其热导率主要受SiC含量及其分布状态的影响,随着SiC含量的增加呈缓慢下降的趋势;而当致密度低于临界值后,致密度成为热导率的决定性因素,使得复合材料的热导率随着致密度的降低快速下降。 展开更多

关键词 aln/Mo/sic复合陶瓷 放电等离子烧结 电阻率 介电性能 热导率

原文传递

低温反应熔渗工艺制备AlN-SiC复相陶瓷及其性能研究 被引量：1

18

作者 孙小凡 陈小武 +3 位作者 靳喜海 阚艳梅 胡建宝 董绍明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1223-1229,共7页

AlN-SiC复相陶瓷力学性能好、导热性与抗高温氧化性能优异,作为纤维增强陶瓷基复合材料的基体材料具有良好的应用前景。本研究以Si-Al合金为熔渗介质,多孔C-Si_(3)N_(4)为熔渗预制体,对低温反应熔渗制备AlN-SiC复相陶瓷及其性能展开研... AlN-SiC复相陶瓷力学性能好、导热性与抗高温氧化性能优异,作为纤维增强陶瓷基复合材料的基体材料具有良好的应用前景。本研究以Si-Al合金为熔渗介质,多孔C-Si_(3)N_(4)为熔渗预制体,对低温反应熔渗制备AlN-SiC复相陶瓷及其性能展开研究。研究发现Si-Al合金形态对反应熔渗过程存在着重要的影响:以Si-Al合金粉末作为熔渗介质时,反应熔渗过程中在Si-Al/C-Si_(3)N_(4)界面处将原位形成一层致密的Al–O阻挡层,从而严重阻碍Si-Al熔体向C-Si_(3)N_(4)预制体内部的渗透,使反应熔渗过程难以进行;以Si-Al合金锭作为熔渗介质时,Si-Al熔体可以深入渗透到多孔C-Si_(3)N_(4)预制体内部,并通过进一步反应,原位形成致密的AlN-SiC复相陶瓷。材料性能测试表明,所得材料的力学和热学性能与其内部残余硅含量关系密切。随着残余硅含量降低,材料强度明显提升,而热导率有所下降。含质量分数4%残余硅的AlN-SiC复相陶瓷,抗弯强度达到320.1 MPa,热导率达26.3 W·m^(–1)·K^(–1),材料的强度几乎与传统反应烧结SiC陶瓷相当,并深入探讨了出现上述现象的本质原因。本研究对低温熔渗工艺制备SiCf/AlN-SiC复合材料具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 反应熔渗(RMI) aln-sic 机械性能 热导率

在线阅读 下载PDF 职称材料

Y_2O_3-SiO_2助剂对常压烧结SiC-AlN复相材料烧结性能的影响 被引量：2

19

作者 陈云 李晓云 +4 位作者 王玉春 冯永宝 戴斌 丘泰 孙悦 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期633-638,共6页

Si C∶Al N以质量比1∶1,添加不同质量分数Y2O3-Si O2（摩尔比为2.9∶7.1）复合烧结助剂,分别在氢气和氩气气氛下常压烧结制备Si C-Al N复相材料。研究烧结气氛、烧成温度和Y2O3-SiO2含量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明,与氢气... Si C∶Al N以质量比1∶1,添加不同质量分数Y2O3-Si O2（摩尔比为2.9∶7.1）复合烧结助剂,分别在氢气和氩气气氛下常压烧结制备Si C-Al N复相材料。研究烧结气氛、烧成温度和Y2O3-SiO2含量对该复相材料烧结性能的影响。结果表明,与氢气气氛相比,氩气气氛下烧结体更易致密;16501850℃,随着烧结温度升高,烧结致密性明显提高。氩气气氛1850℃下保温1 h,Y2O3-SiO2复合助剂含量为9.09wt%,烧结体的显气孔率可低于0.15%,晶粒尺寸均匀且连接紧密。烧结过程中,Y2O3、Si O2烧结助剂与Al N表面的Al2O3在一定温度下形成液相有助于样品致密化。Y2O3与Al N表面的Al2O3反应生成钇铝石榴石（Y3Al5O12）,Si O2高温下主要形成玻璃相。Si C-Al N复相材料是由主晶相6H-Si C和Al N,次晶相Y3Al5O12组成。 展开更多

关键词 碳化硅-氮化铝 常压烧结 烧结气氛 致密性

在线阅读 下载PDF 职称材料

TDI制造出首块4英寸AlN/SiC半绝缘衬底

20

作者 陈裕权 《半导体信息》 2006年第6期26-26,共1页

关键词 半绝缘 aln/sic TDI ALGAN 淀积 无线通信 晶膜 厚膜 原型结构 批产品

原文传递