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侧壁修复提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究
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作者 郝家龙 李宏博 +9 位作者 吕顺鹏 朱立财 孙文超 张若甲 刘钟旭 蒋科 贲建伟 张山丽 孙晓娟 黎大兵 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期970-978,共9页
AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而,侧壁效应和电流拥挤效应严重制约高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm,台面半径分别为12.5、25.0、50.0μm的深紫外Micro-LED,... AlGaN基深紫外Micro-LED在无掩膜光刻、日盲紫外保密通信等领域具有重要应用前景。然而,侧壁效应和电流拥挤效应严重制约高电流密度下的光功率密度。本研究制备了发光波长237 nm,台面半径分别为12.5、25.0、50.0μm的深紫外Micro-LED,并系统探究了侧壁修复对不同尺寸和不同阵列化Micro-LED的影响规律。研究发现,使用KOH修复侧壁可有效降低AlGaN基深紫外Micro-LED侧壁缺陷密度,减小反向漏电流密度,同时降低由侧壁缺陷导致的肖特基-里德-霍尔(SRH)非辐射复合。对于单台面器件,器件尺寸越小,最大光功率密度越高,但侧壁效应严重制约着小尺寸器件的光功率密度,导致小尺寸器件在低电流密度下光功率密度最低,侧壁修复后,半径12.5μm的器件峰值光功率密度提升最多,提升了186%,且在不同电流密度下光功率密度均最高;对于相同发光面积的阵列化器件,侧壁修复后,阵列化程度越高,光功率密度越高,4×4阵列12.5μm的Micro-LED比半径50.0μm的器件峰值光功率密度提高了116%,其原因是在保持较低侧壁缺陷的情况下,阵列化可以提高电流密度分布均匀性,进而提高光效。该研究有助于提高Micro-LED的光功率密度,并将推动短波深紫外Micro-LED走向实际应用。 展开更多
关键词 侧壁效应 电流拥挤效应 algan micro-led 侧壁修复 阵列化工程
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基于micro-LED的波分复用高速水下可见光通信系统研究
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作者 应红 张涛 +3 位作者 王彬峰 刘涛 唐堂 惠天宇 《照明工程学报》 2025年第5期60-73,共14页
本文研究了一种基于2个商用LED和5个自行设计micro-LED的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)超高速水下可见光通信概念验证系统。通过预均衡和正交频分复用调制技术,在0.6 m水下环境中实现了28.82 Gbps的聚合通信速率,这... 本文研究了一种基于2个商用LED和5个自行设计micro-LED的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)超高速水下可见光通信概念验证系统。通过预均衡和正交频分复用调制技术,在0.6 m水下环境中实现了28.82 Gbps的聚合通信速率,这是目前所知基于micro-LED的水下可见光通信(Underwater Visible Light Communication,UVLC)的破纪录传输速率,较现有最高纪录(20.09 Gbps)提升43%。相对单通道455 nm micro-LED(7.23 Gbps),容量增益达4倍。此外,本研究还分析了各波长光源的调制带宽与光功率特性,并利用63%和40%衰减片模拟扩展距离传输环境。采用63%衰减片的WDM-UVLC系统可获得聚合速率为18.35 Gbps,其中最短的估算传输距离为650 nm波长的光源,仅为1.81 m。使用40%衰减片的WDM-UVLC获得了15.36 Gbps的总通信速率,最短估算传输距离为2.75 m,而对于在水环境衰减特性小的蓝绿光则能够获得超过8 m的估算传输距离。尤其对于455 nm通道SNR仅下降5 dB即可维持BER<3.8×10^(-3),验证了方案在功率波动下的鲁棒性与潜力。该研究不仅验证了波分复用技术结合micro-LED在水下高速通信中的潜力,更表明多色micro-LED是波分复用UVLC发射器的绝佳候选器件,通过特定的光学滤波器和光学设计,未来可实现更集成的波分复用系统。 展开更多
关键词 水下可见光通信 波分复用 micro-led 正交频分复用
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Micro-LED新型显示技术的现状、挑战及展望 被引量:2
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作者 庄喆 刘斌 《科技导报》 北大核心 2025年第2期42-51,共10页
微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比... 微型发光二极管(Micro-LED)具有较好的稳定性,是当前高亮显示应用的最佳选择,其具有高对比度、低响应时间、宽工作温区、低能耗和广视角等优势,成为当前产业界和学术界比较看好的新型显示技术。综述了Micro-LED新型显示技术的原理,对比其与现有技术的性能,从材料、器件、集成和成本良率等几个角度探讨了Micro-LED新型显示技术的关键技术挑战。未来3~5年内,Micro-LED显示技术仍然会在材料、器件、集成等技术方面存在技术创新和重大突破的关键机会,该技术支撑着未来显示产业的发展,也是中国科技创新引领全球的一次重要科技革命。建议鼓励创新,营造良好的科技创新环境,通过产学研合作解决当前Micro-LED新型显示技术的关键问题。同时发挥市场和社会资本的作用,引导产业遵循技术发展和商业发展规律。Micro-LED显示产业尽管仍面临技术挑战,但增强现实等近眼显示设备的推出,可能彻底革新现有的显示产品形态,Micro-LED显示产业市场将可能迎来爆发式增长。 展开更多
关键词 micro-led新型显示 micro-led芯片 技术挑战 产业发展
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改进相位相关与聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接
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作者 林坚普 王廷雨 +6 位作者 蔡苾芃 张建豪 梅婷 林珊玲 林志贤 乐建避 吴朝兴 《光学精密工程》 北大核心 2025年第4期641-652,共12页
针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积... 针对现有Micro-LED芯片的显微图像由于存在大量相似且整齐排列的LED而导致算法拼接速度慢及准确率低的问题,本文提出了一种基于聚类思想的Micro-LED芯片显微图像拼接方法。首先使用最大类间方差法对图像进行预处理,随后使用自适应面积拓展相位相关算法对相邻两幅图像的重叠区域进行峰值计算以求得初步配准的偏移量,接着使用图像分块联合差异值哈希算法的优化配准策略得到优化后的偏移量,最后引入基于密度的噪声应用空间聚类对可能存在的错误偏移量进行自动筛出和处理。实验结果表明本文算法平均耗时为64 ms,满足拼接实时性的需求,拼接正确率达到99.4%,配准精度控制在1个pixel之内,融合处理后在主观上可以达到完美的拼接效果,为错误偏移量导致的整体错位问题也提供了新的解决思路。本文算法有效解决了晶圆级Micro-LED芯片检测中显微图像拼接的关键环节,并可推广应用于具有重复特征且高精度要求的其他机器视觉自动化领域,具有较高的实际工程应用价值。 展开更多
关键词 图像拼接 micro-led芯片显微图像 相位相关 差异值哈希 聚类思想 缺陷检测
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2000 PPI红光Micro-LED显示阵列制备研究
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作者 杜在发 樊心民 +6 位作者 王岩 张建心 邱潇乐 曹连振 闫宝华 彭璐 吴向龙 《潍坊学院学报》 2025年第5期9-13,共5页
随着VR、AR技术的不断发展,公众对显示技术的需求不断提升。Micro-LED显示技术具有阵列密度大、显示性能好、沉浸程度高等诸多优势,被视为是未来显示技术的核心。然而密度高,性能好的Micro-LED阵列工艺难度系数大,工程上难以实现。本文... 随着VR、AR技术的不断发展,公众对显示技术的需求不断提升。Micro-LED显示技术具有阵列密度大、显示性能好、沉浸程度高等诸多优势,被视为是未来显示技术的核心。然而密度高,性能好的Micro-LED阵列工艺难度系数大,工程上难以实现。本文通过对侧壁钝化工艺过程进行优化,成功制备了性能优异且阵列密度为2000 PPI的红光Micro-LED显示阵列。经过电学性能测试发现,通过对钝化层参数的调整,Micro-LED芯片的电学性能可以进行有效优化,且通过对芯片的稳定性测试发现,随着工作次数的增加,工作电压也能保持相对稳定值。本文为制备性能良好且阵列密度高的Micro-LED阵列提供了借鉴,能够有效推动Micro-LED产业的发展。 展开更多
关键词 micro-led 高密度 电学性能
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Micro-LED晶圆缺陷检测的宽光谱大视场显微物镜设计
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作者 洪惠敏 贺文俊 《光子学报》 北大核心 2025年第3期207-220,共14页
为了实现对Micro-LED晶圆缺陷的准确和高效检测,设计了一款工作波长覆盖可见光和近红外的宽光谱、大视场、平场、复消色差显微物镜。采用正-正-负三光组结构,计算调整了各光组光焦度并分配其元件特征,实现了大视场和长工作距设计。基于B... 为了实现对Micro-LED晶圆缺陷的准确和高效检测,设计了一款工作波长覆盖可见光和近红外的宽光谱、大视场、平场、复消色差显微物镜。采用正-正-负三光组结构,计算调整了各光组光焦度并分配其元件特征,实现了大视场和长工作距设计。基于Buchdahl色散模型进行了玻璃材料的色散矢量分析并指导了初始光学系统材料替换,实现了平场复消色差设计。设计结果表明:该显微物镜的工作波长范围为420 nm~1064 nm、放大倍率为10倍、视场为3.3 mm、数值孔径为0.34、可见光波段分辨率为0.88μm、近红外波段分辨率为1.35μm、工作距为8 mm、齐焦距为95 mm。其成像质量优良,调制传递函数曲线接近衍射极限,全谱段复消色差,全视场平坦,易于加工生产,可用于检测大范围的表面以及次表面的微米级Micro-LED晶圆缺陷。 展开更多
关键词 光学设计 显微物镜 Buchdahl模型 平场复消色差 micro-led
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240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs:size effect versus edge effect 被引量:4
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作者 Shunpeng Lu Jiangxiao Bai +6 位作者 Hongbo Li Ke Jiang Jianwei Ben Shanli Zhang Zi-Hui Zhang Xiaojuan Sun Dabing Li 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第1期55-62,共8页
240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated.Then,the external quantum efficiency(EQE)and light extraction efficiency(LEE)are systematically investigated by comparing size and edge ef... 240 nm AlGaN-based micro-LEDs with different sizes are designed and fabricated.Then,the external quantum efficiency(EQE)and light extraction efficiency(LEE)are systematically investigated by comparing size and edge effects.Here,it is revealed that the peak optical output power increases by 81.83%with the size shrinking from 50.0 to 25.0μm.Thereinto,the LEE increases by 26.21%and the LEE enhancement mainly comes from the sidewall light extraction.Most notably,transversemagnetic(TM)mode light intensifies faster as the size shrinks due to the tilted mesa side-wall and Al reflector design.However,when it turns to 12.5μm sized micro-LEDs,the output power is lower than 25.0μm sized ones.The underlying mechanism is that even though protected by SiO2 passivation,the edge effect which leads to current leakage and Shockley-Read-Hall(SRH)recombination deteriorates rapidly with the size further shrinking.Moreover,the ratio of the p-contact area to mesa area is much lower,which deteriorates the p-type current spreading at the mesa edge.These findings show a role of thumb for the design of high efficiency micro-LEDs with wavelength below 250 nm,which will pave the way for wide applications of deep ultraviolet(DUV)micro-LEDs. 展开更多
关键词 algan deep ultraviolet micro-leds light extraction efficiency size effect edge effect
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Solvent engineering in perovskite nanocrystal colloid inks for super-fine electrohydrodynamic inkjet printing of color conversion microstructures in micro-LED displays 被引量:2
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作者 Shuli Wang Xuemin Kong +7 位作者 Siting Cai Yunshu Luo Yuxuan Gu Xiaotong Fan Guolong Chen Xiao Yang Zhong Chen Yue Lin 《Chinese Chemical Letters》 2025年第8期554-559,共6页
Super-fine electrohydrodynamic inkjet(SIJ)printing of perovskite nanocrystal(PNC)colloid ink exhibits significant potential in the fabrication of high-resolution color conversion microstructures arrays for fullcolor m... Super-fine electrohydrodynamic inkjet(SIJ)printing of perovskite nanocrystal(PNC)colloid ink exhibits significant potential in the fabrication of high-resolution color conversion microstructures arrays for fullcolor micro-LED displays.However,the impact of solvent on both the printing process and the morphology of SIJ-printed PNC color conversion microstructures remains underexplored.In this study,we prepared samples of CsPbBr3PNC colloid inks in various solvents and investigated the solvent's impact on SIJ printed PNC microstructures.Our findings reveal that the boiling point of the solvent is crucial to the SIJ printing process of PNC colloid inks.Only does the boiling point of the solvent fall in the optimal range,the regular positioned,micron-scaled,conical PNC microstructures can be successfully printed.Below this optimal range,the ink is unable to be ejected from the nozzle;while above this range,irregular positioned microstructures with nanoscale height and coffee-ring-like morphology are produced.Based on these observations,high-resolution color conversion PNC microstructures were effectively prepared using SIJ printing of PNC colloid ink dispersed in dimethylbenzene solvent. 展开更多
关键词 SOLVENT Perovskite nanocrystal Electrohydrodynamic inkjet printing Color conversion microstructures arrays micro-led display
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蜂巢表面AlGaInP基倒装Micro-LED的光电性能
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作者 谢军 张威 +2 位作者 谢子敬 徐盛海 王洪 《发光学报》 北大核心 2025年第10期1953-1960,共8页
AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效... AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效率。使用不同厚度的镍掩膜获得不同形貌的表面纹理。结果表明,在20 A/cm^(2) 电流密度下,使用1 nm厚镍金属纳米掩膜湿法蚀刻的Micro-LED的发光强度和外量子效率比无表面纹理的Micro-LED分别提升21.04%和23.58%。提出了一种使用ICP干法刻蚀结合湿法刻蚀制备蜂巢型圆柱状表面纹理。在相同工艺的ICP刻蚀后对GaP层湿法腐蚀不同时间,在电流密度为20 A/cm^(2) 时,使用ICP蚀刻和湿法蚀刻10 s*3次的Micro-LED发光强度和外量子效率分别比无表面纹理的Micro-LED提高了81.61%和48.40%。 展开更多
关键词 ALGAINP 倒装 光提取效率 micro-led 表面纹理
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面向Micro-LED全彩显示的量子点图案化技术
10
作者 李佳源 刘逸菲 +5 位作者 古宇轩 陆政宇 吴挺竹 陈忠 林岳 王树立 《发光学报》 北大核心 2025年第11期2000-2016,共17页
微型发光二极管(Micro-LED)显示技术由于其综合性能优异,被认为是“下一代新型显示技术”的有力候选者。量子点色转换方案为Micro-LED显示技术全彩化提供了低成本设计方案,近些年得到了广泛的关注和研究。除了高质量的量子点材料合成之... 微型发光二极管(Micro-LED)显示技术由于其综合性能优异,被认为是“下一代新型显示技术”的有力候选者。量子点色转换方案为Micro-LED显示技术全彩化提供了低成本设计方案,近些年得到了广泛的关注和研究。除了高质量的量子点材料合成之外,如何通过可靠的图案化技术实现量子点的微尺度阵列化集成,也是构建色转换Micro-LED全彩显示器件的关键。本文系统综述了面向Micro-LED全彩显示的量子点图案化技术,主要包括喷墨打印、光刻、电泳沉积、转移印刷、微流控技术、微孔填充、激光加工。同时,也对用以上方法制备的量子点色转换微结构及Micro-LED器件性能进行了详细阐述。最后,探讨了量子点图案化技术及其在Micro-LED全彩显示应用方面面临的挑战及未来研究方向。 展开更多
关键词 量子点 图案化 micro-led 全彩显示
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GaN基Micro-LED芯片低频噪声特性研究
11
作者 张腾飞 王伟 华文渊 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期226-231,共6页
针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,文章采用电流-电压(I-V)特性和电流噪声功率谱密度分析相结合的方法,系统研究该器件电流输运机制及其在不同电流注入条件下的低频噪声特性。研究结果表明:在低电流注入区间(1 nA<I<1μA),低频噪声呈... 针对GaN基蓝光Micro-LED芯片,文章采用电流-电压(I-V)特性和电流噪声功率谱密度分析相结合的方法,系统研究该器件电流输运机制及其在不同电流注入条件下的低频噪声特性。研究结果表明:在低电流注入区间(1 nA<I<1μA),低频噪声呈现产生-复合噪声和1/f噪声的叠加特性,其中1/f噪声仅在频率低于10 Hz时显著显现;在中值电流注入范围(6.6μA<I<830μA)且测试频率f低于1×10^(3)Hz时,测得电流噪声斜率分别1.75,2.06,1.99和1.76。通过引入多尺度熵复杂度分析揭示噪声信号的非规律特征,证实该部分电流区间的噪声源主要来自电子-空穴对的产生-复合过程,而非缺陷辅助隧穿所引起。当注入电流增至1~10 mA范围时,串联电阻的热效应开始主导运输特性,导致电流随电压的指数增长关系发生偏离。此时,1/f噪声主要来源于串联电阻,对应的1/f噪声指数因子γ分别为1.53,1.42,1.37,1.24和1.03,逐渐接近于标准1/f噪声(γ=1)。 展开更多
关键词 micro-led 正向电流 输运机制 多尺度熵 低频噪声
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芯片尺寸与阵列偏移对图形衬底Micro-LED光强空间分布的影响
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作者 张佳辰 李盼盼 +2 位作者 李金钗 黄凯 李鹏岗 《发光学报》 北大核心 2025年第2期366-372,共7页
微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用... 微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用图形蓝宝石衬底(Patterned sapphire substrate,PSS)技术,通过微米级图形单元优化光提取率。在大尺寸LED中,PSS对光强空间分布影响较小,但在微米级Micro-LED中影响显著。本文采用光线追迹方法,系统研究了发光波长为460 nm的不同尺寸PSS Micro-LED在不同阵列偏移下的光强空间分布,并量化了光强空间分布的非对称率,最后解释了该现象。结果表明,随着尺寸减小,PSS对光强空间分布影响增大。当尺寸为3μm×5μm时,在y轴和x轴的光强空间分布的非对称率达3.06%和4.22%,因而影响Micro-LED发光均匀性。本研究为Micro-LED在显示应用中的优化设计提供了理论支持。 展开更多
关键词 micro-led 图形蓝宝石衬底(PSS) 非对称率
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表面复合与光提取效率竞争机制对Micro-LED光效的影响
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作者 刘志强 江莹 +7 位作者 莫梦月 闫金健 李鹏岗 黄凯 李金钗 卢卫芳 康俊勇 张荣 《厦门大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期682-689,共8页
[目的]基于表面复合引起的尺寸效应,研究Micro-LED器件的尺寸、形状与光效的关系.[方法]利用SimuLED软件,通过设计不同尺寸和形状的器件,探究器件表面复合占比与周长面积比之间的关系,并分析器件形状对Micro-LED性能的影响.[结果]器件... [目的]基于表面复合引起的尺寸效应,研究Micro-LED器件的尺寸、形状与光效的关系.[方法]利用SimuLED软件,通过设计不同尺寸和形状的器件,探究器件表面复合占比与周长面积比之间的关系,并分析器件形状对Micro-LED性能的影响.[结果]器件表面复合速率与周长面积比成线性比例关系;器件形状通过表面复合占比与光提取效率共同影响器件的外量子效率.在本文研究的3种芯片形状中,圆形芯片的内量子效率最高,正六边形芯片的外量子效率最高,而方形芯片的内、外量子效率以及光功率均最低.[结论]当器件的尺寸受限时,可以通过优化器件形状,以降低表面复合占比和提高光提取效率,进而提高光效. 展开更多
关键词 micro-led 尺寸效应 表面复合速率 周长面积比 光提取效率
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Micro-LED新型显示技术与发展分析
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作者 金光旭 《消费电子》 2025年第11期125-127,共3页
随着科技的迅猛发展以及人们对显示效果要求的不断提升,传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)等显示技术已经无法满足人们对于高亮度、高对比度、低功耗以及快速响应等多... 随着科技的迅猛发展以及人们对显示效果要求的不断提升,传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)等显示技术已经无法满足人们对于高亮度、高对比度、低功耗以及快速响应等多样化需求,Micro-LED显示技术应运而生。本文首先阐述Micro-LED显示技术的原理,其通过微小尺寸的发光二极管(Light Emitting Diode,LED)芯片实现自发光的独特机制。其次全面对比了Micro-LED与传统LCD、OLED等显示技术在环境对比度、运动图像响应时间、色域、效率和功耗方面的显著优势,并深入探讨了Micro-LED新型显示技术面临的关键挑战,最后针对性地提出了一系列发展策略,展望了Micro-LED新型显示技术的发展趋势。本文对Micro-LED新型显示技术进行了全面且深入的研究,以此为相关人员提供实践参考。 展开更多
关键词 micro-led新型显示技术 LCD OLED
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GaN基Micro-LED芯片的电-热短路效应研究
15
作者 王伟 张腾飞 李红旭 《微纳电子技术》 2025年第10期48-55,共8页
研究了GaN基蓝光微型发光二极管(micro-LED)芯片在电流应力作用下的光电退化机制及其电-热耦合短路效应,揭示了micro-LED芯片独特的突发性短路失效机理。实验结果表明,施加2 h电流应力后,芯片发光强度衰减至初始值的约43%,反向漏电流显... 研究了GaN基蓝光微型发光二极管(micro-LED)芯片在电流应力作用下的光电退化机制及其电-热耦合短路效应,揭示了micro-LED芯片独特的突发性短路失效机理。实验结果表明,施加2 h电流应力后,芯片发光强度衰减至初始值的约43%,反向漏电流显著增大,且在-10 V偏压下的超低频噪声功率谱密度增幅达4个数量级,证实缺陷态密度增加是导致光电特性退化的主要因素。此外,热成像分析显示,应力时间延长至约5 h时,芯片表面热点区域面积呈现指数级扩展趋势,最终因局部介质击穿或金属互连桥接而引发突发性短路失效。同时发现,在芯片结温114.8℃的热应力下仅造成约22%的发光强度衰减,而强制散热条件下发光强度衰减幅度(约43%)与无散热条件基本相当。该现象表明载流子注入诱导的缺陷增殖是芯片退化的主导机制,其对性能退化的贡献度约为热效应的两倍。 展开更多
关键词 微型发光二极管(micro-led) 超低频噪声 结温 突发性短路 发光强度
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AlGaN/GaN异质结欧姆接触优化与导通机理研究
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作者 王强 曹京津 +2 位作者 曲莹 范晶晶 李飞扬 《微纳电子技术》 2026年第1期87-93,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻... 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻分别为1.01Ω·mm和304Ω/□。通过TLM结构的变温测试来研究AlGaN/GaN异质结欧姆接触的导通机理。实验结果表明,随着测试温度升高,接触电阻率仅从1.01Ω·mm增加到1.26Ω·mm,展现出良好的温度稳定性。比接触电阻率与温度的拟合曲线表明,场发射是AlGaN/GaN异质结欧姆接触电流传输的主导机制。透射电子显微镜的结果表明,在高温退火中,金属Ti扩散至AlGaN中与之发生反应并产生大量的N空位,在AlGaN势垒层中形成重掺杂,从而减小了势垒宽度,促进了欧姆接触的形成。 展开更多
关键词 algan/GAN异质结 欧姆接触制备 传输线模型(TLM) 变温测试 导通机理
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Mini-LED显示与Micro-LED显示浅析 被引量:9
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作者 林伟瀚 杨梅慧 《电子产品世界》 2019年第7期65-67,共3页
液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位.Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点,Mini-LED则是其过渡产品.对比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED显示特性.Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可变性等... 液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位.Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点,Mini-LED则是其过渡产品.对比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED显示特性.Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可变性等方面性能优异.而Mini-LED结合8K及QD技术将达到OLED画质,并且可靠性和成本占优势. 展开更多
关键词 Mini-LED显示 micro-led显示 LCD OLED
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Micro-LED技术和产业化研究进展 被引量:4
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作者 耿怡 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期4-7,共4页
基于Micro-LED技术发展趋势和新特点,从产线建设和战略合作等角度,对我国Micro-LED产业化进展进行了总结,指出发展面临的瓶颈主要有外延生长、巨量转移、有源背板驱动和彩色化等几大部分,这些部分之间存在不同又相互联系,各部分紧密合作... 基于Micro-LED技术发展趋势和新特点,从产线建设和战略合作等角度,对我国Micro-LED产业化进展进行了总结,指出发展面临的瓶颈主要有外延生长、巨量转移、有源背板驱动和彩色化等几大部分,这些部分之间存在不同又相互联系,各部分紧密合作,协同攻克技术瓶颈将是推动Micro-LED技术突破和产业化发展的重要手段。在超大尺寸应用领域和小尺寸应用领域,技术开发和系统集成创新仍然是重要的突破路径,在此过程中,材料和设备的进步也将为MicroLED的大规模量产提供助力。 展开更多
关键词 新型显示 micro-led 产业化
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晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展 被引量:10
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作者 苏昊 李文豪 +6 位作者 李俊龙 刘慧 王堃 张永爱 周雄图 吴朝兴 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期582-594,共13页
随着微型氮化镓(GaN)发光二极管(LED)制造工艺的不断进步,Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中,晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截,... 随着微型氮化镓(GaN)发光二极管(LED)制造工艺的不断进步,Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中,晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截,提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量(百万数量级)、小尺寸(<50μm)的晶圆级Micro-LED芯片阵列,现有的电学检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。因此,提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级Micro-LED检测技术的发展趋势。本文首先介绍了晶圆级Micro-LED芯片检测时所需要检测的几个指标,其次详细介绍并分析了现有的或已经提出的检测手段,最后对晶圆级Micro-LED芯片检测技术进行总结并展望了未来技术发展方向。 展开更多
关键词 micro-led 缺陷检测 接触型检测 无接触检测
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氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展 被引量:7
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作者 蒋府龙 许非凡 +2 位作者 刘召军 刘斌 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2013-2023,共11页
现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关注。Micro-LED显示技术是一种新自发光显... 现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关注。Micro-LED显示技术是一种新自发光显示技术,具有对比度高、响应快、色域宽、功耗低及寿命长等优点,可以满足高级显示应用的个性化需求。然而目前在Micro-LED显示商业化进程中,依然存在一些技术瓶颈尚未解决。应用于Micro-LED晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径;此外利用颜色转换媒介实现单片Micro-LED全彩显示技术尚未成熟。本文从以上3个问题点出发,分别综述了Micro-LED显示目前存在的技术问题及研究现状。 展开更多
关键词 氮化镓 micro-led显示 外延 micro-led器件 效率衰减 micro-led全彩显示
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