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基于氧化铝缓冲层的Si基ZnO薄膜研究 被引量：4
1
作者 向嵘 王新 +2 位作者 姜德龙 李野 田景全 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1063-1066,共4页
高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景。本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同... 高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景。本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同氧气和氩气比例下制备了高质量的ZnO薄膜。研究了引入Al2O3缓冲层后,对ZnO薄膜结构和光学特性的影响。发现对于不同氧气和氩气比例下生长的ZnO薄膜样品,其(002)方向的X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中紫外发光与可见发光峰值强度比明显增强。表明引入Al2O3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,从而为在Si衬底上制备高质量ZnO薄膜提供了参考。 展开更多
关键词 半导体技术 ZNO薄膜 al2o3缓冲层 X射线衍射 发光光谱
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ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响 被引量：3
2
作者 田力 陈姗 +3 位作者 蒋马蹄 廉淑华 杨世江 唐世洪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第4期605-608,共4页
采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线... 采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%～87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。 展开更多
关键词 ZnO∶Al(AZO) 磁控溅射法 ZnO缓冲层 al2o3缓冲层 透明导电薄膜
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Al_2O_3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究 被引量：1
3
作者 江丰 沈鸿烈 +2 位作者 鲁林峰 杨超 罗军 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1-4,共4页
采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:A... 采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。 展开更多
关键词 AZO al2o3过渡层 磁控溅射 电阻率 透射率
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Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响 被引量：4
4
作者 姚宁 邢宏伟 +4 位作者 穆慧慧 崔娜娜 葛亚爽 王英俭 张兵临 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期144-148,共5页
采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层... 采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。 展开更多
关键词 掺铝氧化锌 缓冲层 al2o3 有机电致发光器件
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氧化铝缓冲层对ZnO薄膜性质的影响 被引量：1
5
作者 王新 向嵘 +3 位作者 陈立 姜德龙 李野 王国政 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2009年第3期407-409,共3页
采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层Al2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层。然后,采用反应磁控溅射的方法在Al2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜。对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性。通过引入Al2O3缓... 采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层Al2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层。然后,采用反应磁控溅射的方法在Al2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜。对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性。通过引入Al2O3缓冲层,发现ZnO薄膜样品的(002)方向x射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中与缺陷相关的可见发光峰强度明显减弱,吸收光谱中的吸收边变得更加陡峭。这些结果表明引入Al2O3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,为制备高质量ZnO薄膜提供了参考。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 al2o3缓冲层 X射线衍射 发光光谱 吸收光谱
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不锈钢基Al_2O_3/SiC双层薄膜的制备和性能 被引量：1
6
作者 武大伟 李合琴 +2 位作者 刘丹 刘涛 李金龙 《真空》 CAS 2012年第1期48-51,共4页
用磁控溅射法在奥氏体不锈钢上分别制备了SiC单层膜和Al2O3/SiC双层膜,研究了溅射气压,溅射功率以及退火温度对性能的影响。对比了二者的结构、硬度以及耐腐蚀性。结果表明,Al2O3缓冲层降低了SiC薄膜与奥氏体不锈钢基底的热失配和晶格失... 用磁控溅射法在奥氏体不锈钢上分别制备了SiC单层膜和Al2O3/SiC双层膜,研究了溅射气压,溅射功率以及退火温度对性能的影响。对比了二者的结构、硬度以及耐腐蚀性。结果表明,Al2O3缓冲层降低了SiC薄膜与奥氏体不锈钢基底的热失配和晶格失配,减少了因其而产生的缺陷,从而改善了奥氏体不锈钢上SiC薄膜的结晶质量。 展开更多
关键词 al2o3缓冲层 al2o3/SiC薄膜 硬度 耐腐蚀性
原文传递
非晶硅缓冲层在具有Al_2O_3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用
7
作者 王文 金中和 郭海成 《现代显示》 1999年第4期4-7,共4页
ＳｉＧｅ 合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度， 比Ｓｉ 更适合用作薄膜晶体管（ ＴＦＴ） 。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３ 作多晶ＳｉＧｅ ＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ 缓冲层的高温... ＳｉＧｅ 合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度， 比Ｓｉ 更适合用作薄膜晶体管（ ＴＦＴ） 。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３ 作多晶ＳｉＧｅ ＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ 缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２ 可改善界面质量，但是还不清楚在ＳｉＧｅ 有源层与Ａｌ２Ｏ３ 门电介质之间插入一α＿Ｓｉ 缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中，对于有、无α＿Ｓｉ 缓冲层的多晶ＳｉＧｅ ＴＦＴ 展开更多
关键词 缓冲层 al2o3门绝缘子 多晶SiGeTFT 薄膜晶体管
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ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 被引量：2
8
作者 何金孝 段垚 +3 位作者 王晓峰 崔军朋 曾一平 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1334-1337,共4页
首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O... 首次报道了通过引入ZnAl2O4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl2O4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl2O4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342″).用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm. 展开更多
关键词 ZnO单晶厚膜 MVPE ZnAl2O4缓冲层 溶胶-凝胶法 ZnO-al2o3固溶体 DCXRD
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CeO2缓冲层对蓝宝石基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构和介电性能的影响
9
作者 宋安英 宋建民 +3 位作者 李振娜 代秀红 娄建忠 刘保亭 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第4期27-31,共5页
利用磁控溅射法制备Ce O_2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,在Al_2O_3(11—02)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3和Pt/BST/Al_2O_3叉指电容器,对比研究了Ce O_2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介... 利用磁控溅射法制备Ce O_2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,在Al_2O_3(11—02)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3和Pt/BST/Al_2O_3叉指电容器,对比研究了Ce O_2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介电性能的影响。通过X射线衍射仪、原子力显微镜和LCR表分别对叉指电容器的结构、表面形貌和介电性能进行了表征。实验发现,直接沉积在蓝宝石上的BST薄膜为多晶结构,生长在Ce O_2缓冲层上的BST为(001)取向的高质量外延薄膜。生长在Ce O_2缓冲层上的BST薄膜相对于没有缓冲层的BST薄膜具有更小的晶粒和均方根粗糙度。在40 V偏置电压下,Pt/BST/Al_2O_3和Pt/BST/Ce O_2/Al_2O_3叉指电容器的调谐率分别是13.2%和25.8%;最小介电损耗为0.021和0.014。结果表明Ce O_2缓冲层对生长在蓝宝石基片上的BST薄膜结构和介电性能具有重要影响。 展开更多
关键词 Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜 CeO2缓冲层 蓝宝石衬底 外延薄膜 介电性能 叉指电容器
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基于Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究
10
作者 李琦 章勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期203-211,共9页
采用旋涂Al_2O_3前驱体溶液和低温退火的方法在活性层上形成Al_2O_3薄膜,并与MoO_3结合形成Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层,制备了以聚3-己基噻吩:[6.6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(P3HT:PC_(61)BM)为活性层的倒置聚合物太阳能电池,并通过改变A... 采用旋涂Al_2O_3前驱体溶液和低温退火的方法在活性层上形成Al_2O_3薄膜,并与MoO_3结合形成Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层,制备了以聚3-己基噻吩:[6.6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(P3HT:PC_(61)BM)为活性层的倒置聚合物太阳能电池,并通过改变Al_2O_3前驱体溶液的浓度来分析复合阳极缓冲层对器件性能的影响.结果发现,Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层能有效调控倒置聚合物太阳能电池的光电性能及其稳定性.当Al_2O_3前驱体溶液的浓度为0.15%时,器件光伏性能达到最优值,与MoO_3单缓冲层的器件相比,光电转换效率(PCE)由3.85%提高到4.64%;经过80天老化测试后,具有复合阳极缓冲层的器件PCE保留为初始值的76%,而单缓冲层的器件PCE已经下降到50%以下.器件性能得到改善的原因是Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层增强了倒置太阳能电池器件阳极对空穴的收集能力,同时钝化了器件活性层,从而提升了太阳能电池器件的光伏性能及其稳定性. 展开更多
关键词 氧化铝 复合阳极缓冲层 倒置聚合物太阳能电池 交流阻抗谱
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