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激光熔覆AlN/TiAl制备Ti-Al-N复合涂层及其摩擦性能研究
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作者 黄飞龙 肖华强 +1 位作者 林波 莫太骞 《激光技术》 北大核心 2025年第2期188-194,共7页
为了制备耐磨钛基涂层,采用激光熔覆技术在TC4表面制备了Ti-Al-N涂层,对不同激光功率下涂层的物相组成、组织演变、硬度进行观察分析,再对复合涂层在空气环境中的摩擦学性能进行分析。结果表明,涂层增强相主要由Ti_(2)AlN,TiN,TiAl及Ti_... 为了制备耐磨钛基涂层,采用激光熔覆技术在TC4表面制备了Ti-Al-N涂层,对不同激光功率下涂层的物相组成、组织演变、硬度进行观察分析,再对复合涂层在空气环境中的摩擦学性能进行分析。结果表明,涂层增强相主要由Ti_(2)AlN,TiN,TiAl及Ti_(x)Al_(y)等组成,各物相衍射峰强度随激光功率的增加而改变,基体相则由(γ-TiAl+α_(2)-Ti_(3)Al)组成;涂层与基体冶金结合,随着激光功率的增加,组织由弥散分布的柱状晶逐渐变成粗大树枝晶,但在2.4 kW功率时,组织又变得细小;复合涂层的显微硬度可以达到基体的2.14倍;在空气摩擦环境中,不同试样均以磨粒磨损为主,其中基体磨损严重;不同激光功率下的涂层均大幅度提高了基体的耐磨性,涂层中有增强相的存在,涂层的最小磨损率为0.786×10^(-4) mm^(3)·N^(-1)·min^(-1),基体为1.34×10^(-4) mm^(3)·N^(-1)·min^(-1);通过控制激光功率可以调节涂层性能。这一研究可以对激光熔覆制备高耐磨钛基复合涂层在航天、海工设备中的应用提供基础支持。 展开更多
关键词 激光技术 钛合金 激光熔覆 Ti-al-n复合涂层 干摩擦磨损
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Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质 被引量:21
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作者 高小奇 郭志友 +1 位作者 张宇飞 曹东兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期509-514,共6页
基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子... 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。 展开更多
关键词 al-n共掺杂 ZNO 电子结构 光学特性
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Al-N共掺杂ZnO的第一性原理研究 被引量:5
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作者 张小超 樊彩梅 +2 位作者 丁永波 梁镇海 韩培德 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1518-1523,共6页
为了研究p型ZnO的掺杂改性,本文运用第一性原理密度泛函理论研究了未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO晶体的几何结构、能带结构、电子态密度。计算结果表明:未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO的超晶胞体积分别为0.2043 nm3、0.2034 nm... 为了研究p型ZnO的掺杂改性,本文运用第一性原理密度泛函理论研究了未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO晶体的几何结构、能带结构、电子态密度。计算结果表明:未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO的超晶胞体积分别为0.2043 nm3、0.2034 nm3、0.2027 nm3、0.1990 nm3,带隙分别为0.72 eV、0.71 eV、0.60 eV、0.55 eV;N是比较理想的p型掺杂受主,若在禁带中再引入激活施主Al后,可填充的电子数由原来的19个增加到24个,N原子接受从价带跃迁的电子使价带产生非局域化空穴载流子,从而提高了晶体的导电性。与未掺杂,Al、N单掺杂相比,Al-N共掺杂ZnO具有更稳定的结构,更窄的带隙,更好的导电性,更有利于实现p型化。 展开更多
关键词 第一性原理 P型ZNO al-n共掺杂ZnO
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非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互连阻挡层的研究 被引量:9
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作者 陈剑辉 刘保亭 +5 位作者 李晓红 王宽冒 李曼 赵冬月 杨林 赵庆勋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期23-26,共4页
以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu互连的阻挡层,采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm)/Ni-Al-N(10nm)/Si的异质结。利用四探针测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了不同温度下高真空退火样品的输运性质、微观结构与表面形貌。实... 以一种新的三元非晶化合物薄膜作为Cu互连的阻挡层,采用射频磁控溅射法构架了Cu(120 nm)/Ni-Al-N(10nm)/Si的异质结。利用四探针测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了不同温度下高真空退火样品的输运性质、微观结构与表面形貌。实验发现非晶Ni-Al-N薄膜经过650℃的高温处理仍能保持非晶态,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明非晶Ni-Al-N具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。另外,相对于Ni-Al扩散阻挡层材料,N的掺入填充了阻挡层的缺陷,降低了Cu膜粗糙度,使薄膜表面更加平整致密,起到了细化晶粒的作用。对Ni-Al-N阻挡层的失效机制的研究表明Ni-Al-N阻挡层的失效机制有别于传统的Cu-Si互扩散机制,Cu膜内应力导致其颗粒内聚形成大团簇,与阻挡层剥离会导致Cu/Ni-Al-N/Si结构失效。 展开更多
关键词 CU互连 Ni-al-n 扩散阻挡层 失效机制
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涂层结构对Ti-Al-N涂层氧化行为的影响 被引量:7
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作者 彭继华 肖新生 +1 位作者 苏东艺 田君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期208-213,共6页
采用多弧离子镀技术及TiAl合金靶,在SKH51高速钢基体上沉积了Ti1-xAlxN单层构型涂层和TiN/Ti1-xAlxN复合多层构型涂层,分析其高温氧化行为。用扫描电镜、X射线衍射、电子探针等手段表征了涂层氧化后的组织结构和元素分布。试验发现,基... 采用多弧离子镀技术及TiAl合金靶,在SKH51高速钢基体上沉积了Ti1-xAlxN单层构型涂层和TiN/Ti1-xAlxN复合多层构型涂层,分析其高温氧化行为。用扫描电镜、X射线衍射、电子探针等手段表征了涂层氧化后的组织结构和元素分布。试验发现,基体Fe元素扩散到涂层表面意味着SKH51涂层试样剧烈氧化阶段的开始。当涂层的构型相同时,涂层的抗氧化性能随着涂层中铝含量增加而单调增加。但对于TiN/Ti0.33Al0.67N复合多层构型涂层,其抗氧化性则比Ti0.33Al0.67N单层构型涂层差,高于铝含量基本相同的Ti0.67Al0.33N单层构型涂层。空气中800℃恒温退火,TiN/Ti0.33Al0.67N涂层出现严重氧化的时间是43 h,Ti0.33Al0.67N、Ti0.67Al0.33N涂层分别为53 h和11 h。因此,Ti-Al-N涂层的抗氧化性不仅同涂层中铝含量有关,涂层构型也起着重要用。 展开更多
关键词 涂层结构 多弧离子镀 Ti-al-n涂层 微观结构 氧化行为
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纳米Ta-Al-N薄膜的制备及其扩散阻挡特性的研究 被引量:2
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作者 周继承 陈海波 李幼真 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期327-331,共5页
采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构... 采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征。实验结果表明,本实验条件下制得的Ta-Al-N纳米薄膜表面光滑;随着Al靶溅射功率的增加,Ta-Al-N薄膜中Al含量和方块电阻相应增大,均方根粗糙度降低,而沉积速率变化不大,且Ta-Al-N膜层对Cu扩散的阻挡能力增强。但在过高的温度下退火,导致Cu通过Ta-Al-N的晶界扩散到Ta-Al-N/Si界面并形成Cu3Si,从而引起阻挡层的失效。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 Ta—al-n纳米薄膜 Cu扩散阻挡层 阻挡特性
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Ti-Si-Al-N纳米复合膜的组织与性能 被引量:3
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作者 李学梅 尤建飞 +2 位作者 董松涛 汪蕾 许俊华 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期144-148,共5页
采用磁控反应溅射法制备了一系列Al含量不同的Ti-Si-Al-N纳米复合薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及配套能量色散谱仪研究了Al含量对薄膜组织结构、硬度及高温抗氧化性的影响。结果表明:Ti-Si-Al-N薄膜点阵常数随Al含量的增加呈... 采用磁控反应溅射法制备了一系列Al含量不同的Ti-Si-Al-N纳米复合薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及配套能量色散谱仪研究了Al含量对薄膜组织结构、硬度及高温抗氧化性的影响。结果表明:Ti-Si-Al-N薄膜点阵常数随Al含量的增加呈下降趋势;Al含量增加到6.48at%时出现h-AlN相,此时薄膜具有最高的硬度,约33GPa;薄膜的抗氧化温度提高到约900℃,但Al含量较高易导致薄膜晶粒在高温下长大。 展开更多
关键词 Ti-Si-al-n复合膜 显微硬度 高温抗氧化性 磁控反应溅射法
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Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究 被引量:2
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作者 梁薇薇 孔春阳 +1 位作者 秦国平 阮海波 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第2期68-71,共4页
利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果... 利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018~6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1~9Ω·cm,迁移率为1~2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。 展开更多
关键词 al-n共掺 p-ZnO N离子注入 XPS
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气流氮化制备Al-N粉末的工艺及机理研究 被引量:1
9
作者 薛翔 唐建成 +1 位作者 李晓玲 陈淑华 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2007年第3期14-18,共5页
本文采用金属Al粉在高纯氮气中反应的方法制备Al-N粉末,并研究了Al粉的恒温氮化工艺与台阶氮化工艺及研磨与未研磨状态对Al粉氮化效果的影响。结果表明:由台阶氮化工艺所得的Al-N粉末的含氮量高,氮化效果好;由研磨的Al粉制得的Al-N粉末... 本文采用金属Al粉在高纯氮气中反应的方法制备Al-N粉末,并研究了Al粉的恒温氮化工艺与台阶氮化工艺及研磨与未研磨状态对Al粉氮化效果的影响。结果表明:由台阶氮化工艺所得的Al-N粉末的含氮量高,氮化效果好;由研磨的Al粉制得的Al-N粉末团聚现象较严重,氮含量降低,不如未研磨Al粉的氮化效果好。这是由于台阶氮化工艺可以避免在恒定温度下长时间保温而导致的瞬间放热,以及由此引起的粉末团聚,因而能获得更好的氮化效果;同时,由于在Al粉氮化初期形成的氮化膜与内部粉末的热膨胀率不匹配,导致在粉末表面出现环应力,应力大小与Al粉颗粒的尺寸有直接联系,Al粉颗粒越小,环应力越大,越容易导致膜层破裂而使得膜内Al熔体流出,烧结长大,故研磨不利于提高Al粉的氮化效果。 展开更多
关键词 气流氮化 al-n粉末 研磨
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Li-Al-N-H系络合物贮氢反应的第一性原理研究 被引量:1
10
作者 刘奕新 梁初 +3 位作者 蒋龙 黎光旭 韦文楼 郭进 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期108-113,共6页
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PW-PP)方法,计算Li-Al-N-H系络合物贮氢反应中各个化合物的晶胞参数、电子结构、生成焓和贮氢反应的反应焓。结果表明:Li3AlN2的Li—N、Al—N键主要为离子键,LiNH2的N—H键主要为共价键,Li—N键... 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PW-PP)方法,计算Li-Al-N-H系络合物贮氢反应中各个化合物的晶胞参数、电子结构、生成焓和贮氢反应的反应焓。结果表明:Li3AlN2的Li—N、Al—N键主要为离子键,LiNH2的N—H键主要为共价键,Li—N键主要为离子键;298K时贮氢反应的反应焓计算值分别为-23.7和-55.3kJ/mol,与实验值均符合得较好;反应中各固态、气态物质的晶胞的结构优化后的晶格常数、键长与键角等与相应的实验值均符合较好。 展开更多
关键词 Li-al-n-H络合物 电子结构 反应焓 第一性原理
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磁控溅射沉积V-Al-N涂层的结构和性能研究 被引量:1
11
作者 朱萍 葛芳芳 +1 位作者 李胜祗 黄峰 《表面技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期46-48,73,共4页
通过反应磁控溅射法制备了V1-xAlxN(0≤x≤0.67)涂层,研究了Al含量对涂层微观结构、力学性能及摩擦磨损性能的影响。结果表明:在0≤x≤0.51范围内,随Al含量的增加,V1-xAlxN涂层的微观结构不断变得致密,硬度不断提高,其中结构最为致密的V... 通过反应磁控溅射法制备了V1-xAlxN(0≤x≤0.67)涂层,研究了Al含量对涂层微观结构、力学性能及摩擦磨损性能的影响。结果表明:在0≤x≤0.51范围内,随Al含量的增加,V1-xAlxN涂层的微观结构不断变得致密,硬度不断提高,其中结构最为致密的V0.49Al0.51N涂层的硬度较VN提高了近3倍;在较宽的成分区间内,V1-xAlxN涂层结构均比较致密,硬度大于30GPa,最高硬度达到41GPa;随着硬度的改善,V1-xAlxN涂层的摩擦磨损性能较VN涂层也有不同程度的提高。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 V-al-n涂层 微结构 摩擦磨损
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TC4合金表面磁控溅射W-Al-N复合膜的摩擦磨损和高温抗氧化性能 被引量:1
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作者 韩士萍 马辉 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期14-18,68,共6页
目前,在WN中加入Al制备多元复合膜的研究国内外报道较少。通过射频磁控溅射法,以不同Al靶功率在Si(100)和TC4合金上制备了不同Al含量的W-Al-N复合膜。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪、纳米压痕仪(CSM)、摩擦磨损试验机、高温氧化试... 目前,在WN中加入Al制备多元复合膜的研究国内外报道较少。通过射频磁控溅射法,以不同Al靶功率在Si(100)和TC4合金上制备了不同Al含量的W-Al-N复合膜。采用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪、纳米压痕仪(CSM)、摩擦磨损试验机、高温氧化试验研究了W-Al-N复合膜的微结构、力学性能、摩擦磨损性能及高温抗氧化性能。结果表明:随着Al含量的增加,W-Al-N复合膜的择优取向发生变化,(111)和(220)衍射峰逐渐消失,复合膜主要呈(200)择优取向生长;复合膜的硬度先增加后减小,当Al含量为32.40%(原子分数,下同)时硬度达到最大值37 GPa,此时表征复合膜抵抗塑性变形能力的变量H^3/E^(*2)也达到最大值0.308;室温下,随Al含量的增加,W-Al-N复合膜的摩擦系数与单层WN薄膜的相比变化不大,磨损率先降低后增大,在硬度最大处得到磨损率最低值9×10^(-9)mm^2/N;W_(0.676)Al_(0.324)N复合膜的摩擦系数在200℃时降低,随后随温度的升高先增大后减小;Al的加入提高了复合膜的高温抗氧化性能,起始氧化温度由WN单层膜的400℃提高到复合膜的800℃。 展开更多
关键词 磁控溅射 W-al-n复合膜 TC4合金 微结构 高温摩擦磨损 高温抗氧化
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Al-N共掺杂制备ZnO薄膜及其性能研究 被引量:2
13
作者 赵文海 李敏君 +1 位作者 赵祥敏 张伟 《科技视界》 2012年第32期23-23,46,共2页
运用真空射频磁控溅射[1]反应系统(JGP500D1)进行薄膜沉积,在经过镜面抛光过的Si单晶片衬底上[2],利用掺杂质量2%Al的ZnO:Al陶瓷靶(纯度为99.99%),采用施主-受主共掺杂的方法,在N2于Ar体积比1:1的混和气体的气氛下,制备了Al-N共掺杂的Zn... 运用真空射频磁控溅射[1]反应系统(JGP500D1)进行薄膜沉积,在经过镜面抛光过的Si单晶片衬底上[2],利用掺杂质量2%Al的ZnO:Al陶瓷靶(纯度为99.99%),采用施主-受主共掺杂的方法,在N2于Ar体积比1:1的混和气体的气氛下,制备了Al-N共掺杂的ZnO薄膜。探讨了掺杂对薄膜晶体结构、表面形貌及电学性能影响。 展开更多
关键词 al-n共掺杂 ZNO薄膜 磁控溅射
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Ti-Al-N涂层的组织结构与摩擦学性能 被引量:12
14
作者 朱军亮 王更柱 +5 位作者 解志文 陈添 宋晓航 高旭 于晓光 宋华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期54-59,共6页
目的采用多元等离子体注入与沉积(MPIIID)技术制备Ti-Al-N涂层,系统研究涂层的微观组织结构、力学性能与摩擦学特性。方法借助XRD,XPS,SEM和TEM等,观察分析Ti-Al-N涂层的微观组织结构与物相组成,采用纳米压入试验仪、布氏硬度试验仪、... 目的采用多元等离子体注入与沉积(MPIIID)技术制备Ti-Al-N涂层,系统研究涂层的微观组织结构、力学性能与摩擦学特性。方法借助XRD,XPS,SEM和TEM等,观察分析Ti-Al-N涂层的微观组织结构与物相组成,采用纳米压入试验仪、布氏硬度试验仪、摩擦磨损试验仪和激光共聚焦显微镜等测试分析Ti-Al-N涂层的力学性能、膜基结合力和摩擦磨损性能。结果 Ti-Al-N涂层表现出较高的膜-基结合强度。Al元素掺杂诱发Ti-Al-N涂层发生严重晶格畸变。当Al原子数分数为6.18%时,Ti-Al-N涂层以c-TiAlN相结构为主,表现出超高硬度(达到39.83 GPa);随着Al元素含量增加,涂层中的软质h-TiAlN相结构增多,硬度随之下降。摩擦试验结果表明,低Al含量Ti-Al-N涂层的抗磨损能力良好,其主要磨损机制为磨粒磨损;高Al含量Ti-Al-N涂层的抗磨损能力较差,其主要磨损机制倾向粘着磨损。结论 MPIIID技术成功实现了Ti-Al-N涂层的低温制备与成分调控,低Al含量的Ti-Al-N涂层具有优良的力学性能和优异的抗磨损能力。 展开更多
关键词 多元等离子体注入与沉积 Ti-al-n涂层 组织结构 摩擦磨损
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Zr-Al-N及Zr-Al-Si-N复合膜的微结构及力学性能 被引量:3
15
作者 靳树强 董松涛 +2 位作者 尤建飞 喻利花 许俊华 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期12-16,共5页
采用多靶反应磁控溅射技术制备不同Al含量的Zr-Al-N复合膜及不同Si含量的Zr-Al-Si-N复合膜。采用能谱仪、X射线衍射仪和显微硬度计对薄膜进行测试,研究Al含量对Zr-Al-N复合膜微结构和力学性能的影响以及Si含量对Zr-Al-Si-N复合膜微结构... 采用多靶反应磁控溅射技术制备不同Al含量的Zr-Al-N复合膜及不同Si含量的Zr-Al-Si-N复合膜。采用能谱仪、X射线衍射仪和显微硬度计对薄膜进行测试,研究Al含量对Zr-Al-N复合膜微结构和力学性能的影响以及Si含量对Zr-Al-Si-N复合膜微结构和力学性能的影响。结果表明,当Al含量为13.97at%时,Zr-Al-N复合膜的硬度达到最大,最大值为27.16 GPa,随着Al含量的继续增加,薄膜由B1(NaCl型面心立方结构)型结构向B1-B4(ZnS型纤锌矿结构)型双相结构转变,硬度急剧降低;当Si含量为18.79at%时,Zr-Al-Si-N复合膜的硬度达到最大,最大值为34.43 GPa,进一步增加Si含量薄膜向非晶态转化,薄膜硬度降低。 展开更多
关键词 Zr-al-n复合膜 Zr-Al-Si-N复合膜 微结构 显微硬度 反应磁控溅射
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磁控溅射Ti-Al-N复合膜的摩擦磨损性能分析
16
作者 陆昆 杨海 《宁德师范学院学报(自然科学版)》 2023年第2期138-142,共5页
采用真空磁控溅射技术的方法制备了不同Al质量分数的Ti-Al-N薄膜,分别研究了室温及高温下不同Al质量分数的Ti-Al-N薄膜的摩擦磨损性能.研究结果表明,Al质量分数和温度都对薄膜的摩擦磨损性能产生较大的影响.室温时,当Al质量分数为49.97%... 采用真空磁控溅射技术的方法制备了不同Al质量分数的Ti-Al-N薄膜,分别研究了室温及高温下不同Al质量分数的Ti-Al-N薄膜的摩擦磨损性能.研究结果表明,Al质量分数和温度都对薄膜的摩擦磨损性能产生较大的影响.室温时,当Al质量分数为49.97%时,薄膜的平均摩擦系数最小,为0.772 3;高温条件下,薄膜的摩擦系数显著低于室温条件下,当Al质量分数为39.51%时,平均摩擦系数最小,为0.379 2. 展开更多
关键词 Ti-al-n薄膜 真空磁控溅射技术 摩擦磨损 AL原子 摩擦系数
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激光熔覆Ti-Al-N复合涂层高温氧化及摩擦磨损性能 被引量:7
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作者 田雨鑫 肖华强 +3 位作者 游川川 冯进宇 肖易 周璇 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期1779-1791,共13页
采用激光熔覆于TC4合金表面原位合成Ti-Al-N复合涂层,对比研究复合涂层及TC4基体的高温氧化行为及宽温域下的摩擦磨损性能。结果表明:复合涂层在800℃以下生成以TiO_(2)为主的多层膜,在900和1000℃下涂层氧化产物为TiO_(2)和Al_(2)O_(3... 采用激光熔覆于TC4合金表面原位合成Ti-Al-N复合涂层,对比研究复合涂层及TC4基体的高温氧化行为及宽温域下的摩擦磨损性能。结果表明:复合涂层在800℃以下生成以TiO_(2)为主的多层膜,在900和1000℃下涂层氧化产物为TiO_(2)和Al_(2)O_(3)的混合氧化层,涂层表现出较好的抗高温氧化性能;由于氧化膜增厚及涂层中分布的Ti_2AlN自润滑相的作用,800℃时涂层摩擦因数降至0.2091,磨损率降至0.025×10^(-4)mm^3·N^(-1)·m^(-1)是TC4钛合金基体的1.43%。复合涂层在测试温度区间以磨粒磨损为主,高温条件下氧化物具有明显的润滑作用。 展开更多
关键词 激光熔覆 Ti-al-n复合涂层 自润滑 氧化 磨粒磨损
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N2流量对HiPIMS制备Al-N共掺杂ZnO薄膜的性能影响 被引量:1
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作者 李倩 张玉琛 +4 位作者 王正铎 杨丽珍 张海宝 刘忠伟 陈强 《真空与低温》 2019年第6期361-367,共7页
采用高功率脉冲反应磁控溅射(HiPIMS)在玻璃基底上沉积Al-N共掺氧化锌(ZnO)薄膜,研究氮气(N2)流量对Al-N共掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质的影响。测量结果表明,N2流量对掺杂的ZnO薄膜电导率类型转变和光电性能有很大影响:... 采用高功率脉冲反应磁控溅射(HiPIMS)在玻璃基底上沉积Al-N共掺氧化锌(ZnO)薄膜,研究氮气(N2)流量对Al-N共掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质的影响。测量结果表明,N2流量对掺杂的ZnO薄膜电导率类型转变和光电性能有很大影响:当N2流量为8 mL/min时,掺杂ZnO薄膜在可见光波段透过率大于85%,薄膜导电类型为n型;随着N2流量的增加,薄膜经历n-p-n型的转变过程。当N2流量为20 mL/min时,掺杂的ZnO结晶性最好,晶体缺陷少、XRD衍射峰半峰宽(FWHM)最小、表面粗糙度也低,为p-ZnO。薄膜电学性能测量显示:载流子浓度、迁移率、电阻率分别为5.47×10^17 cm^-3、2.7 cm^2/Vs、4.51Ωcm。 展开更多
关键词 高功率脉冲反应磁控溅射 氧化锌 al-n共掺 p型导电
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Al-N共掺ZnO:Co纳米薄膜的制备及其性能研究 被引量:1
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作者 金哲明 孙可心 +3 位作者 杨芳淼 谭明月 姚成宝 孙文军 《科技创新与应用》 2016年第10期7-9,共3页
利用共溅射技术在石英玻璃衬底上沉积前驱体氮化物,在真空优于4×10-4Pa时、对前驱体氮化物分别在450℃、550℃、650℃温度下热氧化45min后获得Al-N共掺杂Zn O:Co薄膜,利用XRD分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构,氧化温度为650℃结晶质... 利用共溅射技术在石英玻璃衬底上沉积前驱体氮化物,在真空优于4×10-4Pa时、对前驱体氮化物分别在450℃、550℃、650℃温度下热氧化45min后获得Al-N共掺杂Zn O:Co薄膜,利用XRD分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构,氧化温度为650℃结晶质量最好;使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在热氧化温度为450℃、550℃、650℃下制得的薄膜样品带隙分别为3.18、3.06、3.10e V;利用振动样品磁强计对样品的磁性进行测试,结果表明样品在室温下具有铁磁性,当热氧化温度为450℃时,磁学性能最好。 展开更多
关键词 共溅射 热氧化 al-n共掺 光学带隙 磁学特性
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Ti-Al-N薄膜的性能及应用 被引量:14
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作者 陈建国 尹瑞洁 +2 位作者 乔学亮 王向丽 杨守银 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2001年第2期50-52,共3页
利用多弧离子沉积技术在 W18Cr4V高速钢表面沉积 (Ti,Al) N薄膜 ,实验结果表明 (Ti,Al) N薄膜的硬度和抗氧化性能明显优于 Ti N薄膜 ,(Ti,Al) N膜层刀具的寿命大大高于 Ti
关键词 刀具 多弧离子沉积 高速钢 涂层刀具
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